[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
申请号: | 202110257627.5 | 申请日: | 2021-03-09 |
公开(公告)号: | CN113206070A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 叶上暐;张谦维;黄敏龙 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/50 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构,其特征在于,包括:中介层,具有上表面;重分布线(RDL),位于中介层的上表面上;硅光芯片,位于重分布线上;第一管芯,与硅光芯片横向偏移并具有朝上的主动表面,并且第一管芯内埋于中介层的上表面下方的腔体内,其中,第一管芯的主动表面通过重分布线与硅光芯片电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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