[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110257627.5 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113206070A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 叶上暐;张谦维;黄敏龙 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
中介层，具有上表面；
重分布线(RDL)，位于所述中介层的所述上表面上；
硅光芯片，位于所述重分布线上；
第一管芯，与所述硅光芯片横向偏移并具有朝上的主动表面，并且所述第一管芯内埋于所述中介层的所述上表面下方的腔体内，其中，所述第一管芯的主动表面通过所述重分布线与所述硅光芯片电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一管芯还具有与所述主动表面相对设置的非主动表面，其中，所述非主动表面通过管芯粘接膜(DAF)贴附与所述中介层的所述腔体内。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述腔体的宽度大于所述第一管芯的宽度。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述腔体的宽度比所述第一管芯的宽度大凸块(bump)金属尺寸的2/3。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
扇出封装件，设置于所述重分布线和所述第一管芯上方，所述扇出封装件包括堆叠的多层管芯；
其中，所述多层管芯中的最下层中的第二管芯与所述第一管芯相对设置并电连接。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述扇出封装件的所述多层管芯还包括位于所述第二管芯上方的第三管芯，并且，所述扇出封装件还具有与所述第三管芯电连接的重分布线和在所述扇出封装件内垂直延伸的导电柱，
其中，所述第三管芯通过所述扇出封装件内的所述重分布线和所述导电柱以及穿过所述中介层的贯通孔(TSV)与所述硅光芯片电连接。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第三管芯包括堆叠设置的多个所述第三管芯。
8.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二管芯包括快速存取存储器管芯，所述第三管芯包括非快速存取存储器管芯。
9.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述扇出封装件通过凸块金属与所述中介层电连接。
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一管芯包括处理器管芯和缓存管芯。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110257627.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示装置及瓶体检测设备
- 下一篇：瓶体姿态筛选装置及瓶体检测设备
- 同类专利
- 专利分类
