[发明专利]一种改善SiC器件界面特征的方法有效

申请号：	202110223085.X	申请日：	2021-03-01
公开（公告）号：	CN113035709B	公开（公告）日：	2022-11-08
发明（设计）人：	白欣娇;李帅;崔素杭;张策;李晓波;张乾;敖金平	申请（专利权）人：	同辉电子科技股份有限公司
主分类号：	H01L21/316	分类号：	H01L21/316;H01L21/314;H01L21/02;H01L21/04;G01R31/26
代理公司：	河北知亦可为专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115	代理人：	张梅申
地址：	050200 河北省石家庄***	国省代码：	河北;13
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摘要：	本发明公开了一种改善SiC器件界面特征的方法，包括以下步骤：S1、对SiC器件表面进行光刻胶的涂覆；S2、对SiC器件进行加热；S3、对SiC器件进行高温退火；S4、清洗SiC器件表面；S5、对SiC器件表面进行氧化；S6、对SiC器件表面进行退火；S7、对SiC器件表面进行二次氧化；S8、紫外线照射；S9、清理表面；S10、性能测试；本发明在使用时，通过对SiC器件表面涂覆光刻胶，并使其表面碳化形成碳化膜对SiC器件表面粗糙度进行改善，并在对SiC器件进行氧化处理后，通过湿氧二次氧化法对SiC器件进行二次氧化处理，减小SiC器件过渡区厚度并降低过渡区成分含量；本发明在使用时，通过多次性能测试，对SiC器件改善过程中存在的问题进行记录，便于进行进一步的改善工作。
搜索关键词：	一种改善 sic 器件界面特征方法
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摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置，用于使形成在衬底上的膜的膜品质提高。该半导体器件的制造方法具有通过执行规定次数的循环而在衬底上形成膜的工序，该循环中不同时地执行如下工序：向处理室内的衬底供给包含规定元素的原料的工序、从处理室内除去原料的工序、向处理室内的衬底供给包含氮、碳以及氢的第1反应体的工序、从处理室内除去第1反应体的工序、向处理室内的衬底供给包含氧的第2反应体的工序、从处理室内除去第2反应体的工序，将除去原料的工序的实施时间设定为比除去第1反应体的工序的实施时间长，或者将除去第2反应体的工序的实施时间设定为比除去第1反应体的工序的实施时间长。

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摘要：本发明公开了一种BPSG膜层处理方法及半导体中间产品，该方法用于对BPSG工艺中断后的所得产品中的BPSG膜层进行处理，所得产品包括位于BPSG膜层之下的LTO‑PETEOS膜层以及位于其下的晶圆，该方法包括：对所得产品进行干法刻蚀，将其中的BPSG膜层全部刻蚀掉；使用湿法工艺清洗干法刻蚀的残留物，并对干法刻蚀后的LTO‑PETEOS膜层的表面进行平滑处理；在LTO‑PETEOS膜层的表面生长目标厚度的BPSG膜层。本发明通过对BPSG工艺中断后BP％浓度已经变化的BPSG膜层进行干法刻蚀去除，保证有问题的膜层彻底去除干净，而后再补长全部膜层，保证返工的BPSG膜层BP％无偏离和膜质完好无损。

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摘要：提供一种包括具有良好的铁电性的金属氧化物膜的铁电体器件。该铁电体器件包括第一导电体、第一导电体上的金属氧化物膜以及金属氧化物膜上的第二导电体，金属氧化物膜具有铁电性，金属氧化物膜具有结晶结构，结晶结构包括第一层及第二层，第一层包含第一氧及铪，第二层包含第二氧及锆，铪与锆通过第一氧相键合，并且第二氧与锆键合。

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发明人：秋山浩二;田村知大;菲利普·盖伯特 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/316
摘要：本发明的半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上或在形成于半导体基板的下部电极上，形成电介质膜的工序；使金属选择性地附着在电介质膜的表面上的规定区域的工序；通过对金属实施热处理，在电介质膜的表面上的规定区域形成绝缘性的金属氧化膜的工序；以及在电介质膜的表面上的规定区域形成有金属氧化膜的状态下，在电介质膜上形成上部电极的工序。

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发明人：大槻刚;阿部达夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/316
摘要：本发明涉及一种半导体基板的热氧化膜形成方法，其具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备由清洗而形成的化学氧化膜的构成各不相同的多个半导体基板，在相同的热氧化处理条件下进行热氧化处理从而形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；清洗条件确定工序，其中，根据在相关关系获取工序中得到的相关关系，以使形成于半导体基板的热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定化学氧化膜的构成，并同时确定形成具有确定出的化学氧化膜的构成的化学氧化膜的清洗条件；基板清洗工序，其中，在所确定的清洗条件下对半导体基板进行清洗；热氧化膜形成工序，其中，对于进行了清洗的所述半导体基板，在与相关关系获取工序中的热氧化处理条件相同的条件下，对半导体基板进行热氧化处理，在所述半导体基板表面形成热氧化膜。由此，能够再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的膜厚。

一种氧化铝粉尘捕捉器及氧化铝镀膜设备-202123242990.4
发明人：任小伟;蔡凯;周芳超;王春来;任良为 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/316
摘要：本实用新型涉及管道维护技术领域，尤其涉及一种氧化铝粉尘捕捉器及氧化铝镀膜设备。该氧化铝粉尘捕捉器包括氧化铝存储装置、抽真空装置、第一管路和第二管路。其中，氧化铝存储装置中盛放有氧化铝粉尘。第一管路一端连通于氧化铝存储装置，另一端连通于抽真空装置。第二管路一端连通于氧化铝存储装置，另一端连通于抽真空装置，且第二管路不连通第一管路。抽真空装置远离氧化铝存储装置的一端设置有太阳能电池，氧化铝粉尘能够经过第一管路或第二管路沉积在太阳能电池的表面。氧化铝粉尘捕捉器的第一管路和第二管路独立工作，更换第一管路或第二管路时不影响氧化铝粉尘捕捉器的正常使用，提高工作效率，提高氧化铝镀膜设备的产能。

操作半导体工艺系统的方法和半导体工艺系统-202210663652.8
发明人：谢孟君;蔡宗佑;黄星源;吴志昌;吴思桦;李锦思 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/316
摘要：一种操作半导体工艺系统的方法和半导体工艺系统，包括工艺腔室。工艺腔室包括晶圆支撑件其配置为支撑晶圆。此系统包括钟形罩其配置为在半导体工艺期间位在晶圆上方。钟形罩的内表面以粗糙涂层涂覆。粗糙涂层可以包括锆。

成膜方法和成膜装置-202180032421.0
发明人：藤田成树;光成正;菊地贵伦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/316
摘要：成膜方法包括下述(A)～(B)。(A)向表面包含相邻的凹部和凸部的基板的所述凹部供给液体。(B)向所述基板表面供给使所述液体发生化学变化的处理气体，通过所述处理气体与所述液体的反应使所述液体从所述凹部向所述凸部的顶面移动，来选择性地在所述基板的所述表面中的所述凸部的所述顶面形成膜。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]一种改善SiC器件界面特征的方法有效

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