[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110193513.9 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN113363238A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 钱大恩 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法，该半导体元件具有降低电容的内连接结构。该半导体元件具有一基底、多个金属线、一钝化层以及一间隙子。所述金属线设置在该基底上，该钝化层设置在该基底与所述金属线上，且该间隙子插置在该基底与该钝化层之间以及在所述金属线与该钝化层之间。该钝化层具有一第一介电常数，且该间隙子具有一第二介电常数，而该第二介电常数小于该第一介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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