[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底；

多个金属线，设置在该基底上；

一钝化层，设置在该基底与所述金属线上；以及

一间隙子，插置在该基底与该钝化层之间，以及在所述金属线与该钝化层之间；

其中该钝化层具有一第一介电常数，该间隙子具有一第二介电常数，而该第二介电常数小于该第一介电常数。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该间隙子充填有环境空气。

3.如权利要求1所述的半导体元件，还包括多个孔洞，埋置在该钝化层中。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中，所述孔洞设置在所述金属线之间。

5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括多个第一阻障衬垫，夹置在该基底与所述金属线之间，并被该间隙子所围绕。

6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括一盖层，设置在所述金属线的上表面上。

7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括多个第二阻障衬垫，插置在所述金属线与该盖层之间，并被该间隙子所围绕。

8.如权利要求1所述的半导体元件，其中，所述金属线具有一宽度，该宽度在距该基底的上表面的距离增加的位置处逐渐减小，且该间隙子具有一厚度，该厚度在距该基底的上表面的距离增加的位置处逐渐增加。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该钝化层与该间隙子包含氧化物基介电质。

10.如权利要求8所述的半导体元件，其中，所述金属线电性耦接到在该基底中的多个主特征。

11.一种半导体元件的制备方法，包括：

形成多个金属现在一基底上；

沉积一隔离膜以覆盖该基底与金属线，其中该隔离膜具有一轮廓，该轮廓遵循该基底与所述金属线的轮廓；以及

沉积一钝化层以埋置该隔离膜，其中该隔离膜与该钝化层具有不同介电常数。

12.如权利要求11所述的制备方法，还包括：包围多个孔洞在该钝化层中。

13.如权利要求11所述的制备方法，还包括：执行一移除制程，以移除该隔离膜，且因此产生一气隙插置在该基底与该钝化层之间，以及在所述金属线与该钝化层之间。

14.如权利要求11所述的制备方法，还包括：在所述金属线形成之前，沉积一第一阻障层在该基底上，且在所述金属线形成的同时，图案化该第一阻障层，以形成多个第一阻障衬垫在该基底与所述金属线之间。

15.如权利要求11所述的制备方法，其中，所述金属线在该基底上的形成步骤包括：

形成一金属层在该基底上；

形成一盖层在该金属层上，而该盖层具有多个开孔；以及

蚀刻该金属层，其是经由所述开孔进行蚀刻，以产生多个沟槽以连通所述开孔。

16.如权利要求15所述的制备方法，还包括：在该盖层形成之前，沉积一第二阻障层在该金属层上，且在所述金属线的形成同时，图案化该第二阻障层。

17.如权利要求15所述的制备方法，其中，该盖层被该隔离膜所包围。

18.如权利要求15所述的制备方法，还包括：在该隔离膜形成之前，移除该盖层。

19.如权利要求15所述的制备方法，其中，所述金属线具有倾斜表面，且在相邻对的金属线之间并涂布有该隔离膜的所述沟槽具有一大致均匀宽度。