[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011431430.0 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN113178429A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈欣苹;李明翰;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括具有正面和背面的第一衬底和具有正面和背面的第二衬底，其中，第二衬底的背面连接至第一衬底的背面。该结构还包括位于第二衬底的正面上方的器件层；穿过第二衬底中的半导体层的第一导体；以及将第一导体连接至器件层中的导电部件的导电连接。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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