[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011431430.0 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN113178429A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈欣苹;李明翰;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
第一衬底，具有正面和背面；
第二衬底，具有正面和背面，其中，所述第二衬底的所述背面连接至所述第一衬底的所述背面；
器件层，位于所述第二衬底的所述正面上方；
第一导体，穿过所述第二衬底中的半导体层；以及
导电连接，将所述第一导体连接至所述器件层中的导电部件。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一衬底包括位于所述第一衬底的所述背面的再分布层，并且所述再分布层包括嵌入介电层中的第二导体，其中，所述第一导体接触所述第二导体。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一导体连接至所述半导体结构的电源轨或者接地平面。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一导体在所述第二衬底的所述正面之上延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括在所述第二衬底的所述正面之上延伸的半导体鳍部，其中，所述第一导体的顶面低于所述半导体鳍部的顶面。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一导体包括钨、钌、铑、铱、钼、铬、或其组合。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一导体包括铜、金、银、钯、锇、铂、或其组合。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述第一导体和所述第二衬底之间的衬垫层。
9.一种半导体结构，包括：
第一衬底，具有正面和背面；
第二衬底，具有正面和背面，其中，所述第二衬底的所述背面接合至所述第一衬底的所述背面；
金属部件，从所述第一衬底的所述背面延伸至所述第二衬底的所述正面；
器件层，位于所述第二衬底的所述正面上方和所述金属部件上方；以及
多层互连，位于所述器件层上方。
10.一种形成半导体结构的方法，包括：
接收具有正面和背面的第一衬底，所述第一衬底的所述正面具有半导体材料，所述第一衬底的所述背面具有钝化层；
接收具有正面和背面的第二衬底，所述第二衬底的所述背面具有绝缘体；
将所述第一衬底的所述背面连接至所述第二衬底的所述背面；
蚀刻穿过所述第二衬底和穿过所述钝化层的沟槽；以及
形成所述沟槽中的导体。
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