[发明专利]半导体封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202011109211.0 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN113130436B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 林南君;徐宏欣;张简上煜 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L25/18;H10B80/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装结构，其包括线路基板、至少二芯片、密封体以及重布线路层。线路基板具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。至少二芯片配置于第一表面上，其中至少二芯片中的每一者具有面向线路基板的有源面并包括配置于有源面上的多个第一导电连接件以及多个第二导电连接件。多个第一导电连接件的间距小于多个第二导电连接件的间距。密封体包封至少二芯片。重布线路层位于第二表面上。多个第一导电连接件通过线路基板与重布线路层电性连接。多个第二导电连接件与线路基板电性连接。另提供一种半导体封装结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力成科技股份有限公司，未经力成科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011109211.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
