[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010886620.5 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112736062A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 苏国辉 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，具有多个接触点；多个栓塞，设置在该多个接触点上；多个金属间隙子，设置在该多个栓塞上；以及多个气隙，分别设置在该多个金属间隙子之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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