[发明专利]半导体元件及其制备方法

说明书

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，具有多个接触点；多个栓塞，设置在该多个接触点上；多个金属间隙子，设置在该多个栓塞上；以及多个气隙，分别设置在该多个金属间隙子之间。

技术领域

本公开主张2019年10月28日申请的美国正式申请案第16/665,350号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

半导体元件是使用在不同的电子装置的应用，例如手机及其他通信装置、自动电子产品，以及其他技术平台。由于用于改善在这些装置中的功能性与微小化的需求渐增，因此半导体元件的尺寸是逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的工艺期间，是增加不同的问题，且影响到最终电子特性、品质以及良率。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率以及可靠度方面的挑战。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括一基底；多个栓塞，设置在该基底上；多个金属间隙子，设置在该多个栓塞上；以及多个气隙，分别设置在该多个金属间隙子之间。

本公开的另一实施例提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；形成多个栓塞在该基底上；形成多个金属间隙子在该多个栓塞上；以及形成多个气隙在该多个栓塞之间。

在本公开的一些实施例中，该多个金属间隙子包括一第一组金属间隙子、一第二组金属间隙子、一第三组金属间隙子以及一第四组金属间隙子，其中该第二组金属间隙子设置在该第一组金属间隙子与该的三组金属间隙子之间，而该第三组金属间隙子设置在该第二组金属间隙子与该的四组金属间隙子之间。

在本公开的一些实施例中，该第一组金属间隙子、该第二组金属间隙子以及该第三组金属间隙子分别对应设置在该多个栓塞上，并分别对应电性连接该多个栓塞。

在本公开的一些实施例中，该第一组金属间隙子包括一第一金属间隙子以及一第二金属间隙子，该第一金属间隙子设置在其中一栓塞上，该第二金属间隙子连接到该第一金属间隙子的一侧壁。

在本公开的一些实施例中，该第一金属间隙子与该第二金属间隙子的一组合下宽度，等于或大于该其中一栓塞的一上宽度。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括一密封膜，设置在该多个金属间隙子上。

在本公开的一些实施例中，该密封膜具有一厚度，约在及之间。

在本公开的一些实施例中，该多个气隙设置在该密封膜下，并分别对应设置在该第一组金属间隙子与该第二组金属间隙子之间，以及该第三组金属间隙子与该的四组金属间隙子之间。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括一第一突出部，从该第一金属间隙子的一下部朝向该第二组金属间隙子的方向延伸。

在本公开的一些实施例中，该第一突出部的一宽度等于或大于该其中一栓塞的一上宽度。

在本公开的一些实施例中，该第二金属间隙子设置在该第一突出部上。

在本公开的一些实施例中，该第一组金属间隙子包括一第一金属间隙子以及一第二金属间隙子，该第二金属间隙子连接到该第一金属间隙子的一侧壁，该第三组金属间隙子包括一第五间隙子以及一第六间隙子，该第六间隙子连接到该第五间隙子的一侧壁；其中该第五间隙子具有与该第一金属间隙子相同的一轮廓，而第六金属间隙子具有与该第二金属间隙子相同的一轮廓。

在本公开的一些实施例中，该第四组金属间隙子为一虚拟图案(dummy pattern)。