[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底；

多个栓塞，设置在该基底上；

多个金属间隙子，设置在该多个栓塞上；以及

多个气隙，分别设置在该多个金属间隙子之间。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个金属间隙子包括一第一组金属间隙子、一第二组金属间隙子、一第三组金属间隙子以及一第四组金属间隙子，其中该第二组金属间隙子设置在该第一组金属间隙子与该第三组金属间隙子之间，而该第三组金属间隙子设置在该第二组金属间隙子与该第四组金属间隙子之间。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一组金属间隙子、该第二组金属间隙子以及该第三组金属间隙子分别对应设置在该多个栓塞上，并分别对应电性连接该多个栓塞。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一组金属间隙子包括一第一金属间隙子以及一第二金属间隙子，该第一金属间隙子设置在其中一栓塞上，该第二金属间隙子连接到该第一金属间隙子的一侧壁。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一金属间隙子与该第二金属间隙子的一组合下宽度，等于或大于该其中一栓塞的一上宽度。

6.如权利要求3所述的半导体元件，还包括一密封膜，设置在该多个金属间隙子上。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该密封膜具有一厚度，约在及之间。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该多个气隙设置在该密封膜下，并分别对应设置在该第一组金属间隙子与该第二组金属间隙子之间，以及该第三组金属间隙子与该的四组金属间隙子之间。

9.如权利要求4所述的半导体元件，还包括一第一突出部，从该第一金属间隙子的一下部朝向该第二组金属间隙子的方向延伸。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一突出部的一宽度等于或大于该其中一栓塞的一上宽度。

11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第二金属间隙子设置在该第一突出部上。

12.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一组金属间隙子包括一第一金属间隙子以及一第二金属间隙子，该第二金属间隙子连接到该第一金属间隙子的一侧壁，该第三组金属间隙子包括一第五间隙子以及一第六间隙子，该第六间隙子连接到该第五间隙子的一侧壁；其中该第五间隙子具有与该第一金属间隙子相同的一轮廓，而第六金属间隙子具有与该第二金属间隙子相同的一轮廓。

13.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第四组金属间隙子为一虚拟图案。

14.如权利要求9所述的半导体元件，还包括一第二突出部；其中该第二组金属间隙子包括一第四金属间隙子以及一第二金属间隙子，该第四金属间隙子设置在另一栓塞上，该第二金属间隙子连接到该第四金属间隙子的一侧壁，而该第二突出部从该第四金属间隙子的一下部朝向该第一突出部的方向延伸。

15.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一组金属间隙子包括一第一金属间隙子以及一第二金属间隙子，该第一金属间隙子设置在其中一栓塞上，该第二金属间隙子设置在该第一金属间隙子与其中一气隙之间。

16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该第一金属间隙子、该第二金属间隙子以及该气隙的一组合下宽度，等于或大于该其中一栓塞的一上宽度。

17.如权利要求15所述的半导体元件，还包括一第一突出部，从该第一金属间隙子朝向该气隙的方向延伸。