[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010843298.8 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN114078816A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：衬底和位于所述衬底上的第一导电层；第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述衬底的表面；第三导电层，所述第三导电层覆盖所述第一导电层的侧壁且与所述第二导电层接触，所述第三导电层与所述第二导电层的接触电阻小于所述第一导电层与所述第二导电层的接触电阻。本发明有利于提高半导体结构的信号传输性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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