[发明专利]一种新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法在审
| 申请号： | 202010763405.6 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111863946A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 周启航 | 申请（专利权）人： | 佛山紫熙慧众科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/205 | 分类号： | H01L29/205;H01L29/30;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，具体包括以下步骤：S1：向氮化物异质结构材料异质界面处引入阴离子；S2：使引入的阴离子占据非金属位且与相邻的Ga原子或In原子或Al原子结合形成化学键，以减少所述氮化物异质结构材料异质界面处的氮空位缺陷浓度；本技术方案中，利用上述方法可以有效降低氮化镓基材料界面处的界面态缺陷，改善氮化物光电子和微电子器件的界面载流子输运、光电转换效率和可靠性，以推动氮化物基光电子与微电子器件的推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 氮化物 结构 材料 界面 缺陷 修复 方法 | ||
【主权项】：
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- 本发明公开了一种利用光学透明或半透明导电层来提高整体光输出的发光二极管(“LED”)。该设备包括第一导电层、活性层、第二导电层、光学透明或半透明导电层和电极。在一个实施方式中，光学透明或半透明导电层具有第一表面和第二表面，其中，第一表面覆盖第二导电层。第二表面包括包含厚区域和用于促进光穿过的薄区域的图案。
- 半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法-201010251920.2
- 三好実人;仓冈义孝;角谷茂明;市村干也;杉山智彦;田中光浩 - 日本碍子株式会社
- 2010-08-09 - 2011-04-06 - H01L29/205
- 提供一种外延基板，所述外延基板能够实现欧姆接触特性优良、并具有良好的设备特性的半导体元件。采用的解决手段为在基底基板之上形成由第一III族氮化物构成的沟道层，所述第一III族氮化物至少含有Al和Ga、具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)的组成；在上述沟道层之上形成由第二III族氮化物构成的势垒层，所述第二III族氮化物至少含有In和Al、具有Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的组成，并且所述势垒层的形成方式为：表面附近部的In组成比相对于表面附近部以外的部分的In组成比要大。
- 高压GaN基异质结晶体管的终止结构和接触结构-200880009134.2
- 迈克尔·墨菲;米兰·波普赫里斯蒂奇 - 威洛克斯半导体公司
- 2008-03-20 - 2010-03-31 - H01L29/205
- 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；第一有源层，所述第一有源层设置在所述衬底的上方；以及第二有源层，所述第二有源层设置在所述第一有源层上。所述第二有源层具有比所述第一有源层高的带隙，使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间产生二维电子气层。在所述第二有源层上设置的终止层包括InGaN。在所述终止层上设置源极接触、栅极接触和漏极接触。
- 专利分类
