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[发明专利]一种新型氮化镓外延材料的刻蚀方法-CN202211012216.0在审
发明人：关赫;武婧博 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氮化镓外延材料的刻蚀方法，具体操作包括生长掩膜层；刻蚀掩膜图形；等离子体刻蚀；湿法溶液处理；重复干湿法刻蚀；去除掩膜层；清洗烘干。本发明采用基于等离子体和湿法溶液共同处理的新型刻蚀方法，通过交替循环执行干湿法刻蚀，达到刻蚀速率可控、刻蚀深度可控和表面形态可控的效果。
一种新型氮化外延材料刻蚀方法

[发明专利]一种双音雷达射频前端电路-CN202211085540.5在审
发明人：张浩;武婧博;周文龙 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：本发明公开一种双音雷达射频前端电路，包括双极化天线、环形器I、II、信号源I、II、III、正交耦合器、混频器I、II构成。双极化天线的水平极化与垂直极化端口分别接环形器I、II端口1，环形器I、II端口3分别接信号源I、II，环形器I、II端口2分别接正交耦合器输入(P1)与隔离(P4)端口，正交耦合器直通(P2)与耦合(P3)端口分别接混频器I、II端口1，混频器I、II端口3接信号源III，混频器I、II端口2输出差分中频IF+与IF‑，实现一种双音雷达射频前端电路。
一种双音雷达射频前端电路

[发明专利]基于Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球结构的三乙胺室温传感器及方法-CN202210793222.8在审
发明人：李锋;武婧博 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球结构的三乙胺室温传感器及方法，包括Al2O3陶瓷管、环形金电极、铂丝导线和Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球敏感材料；以Al2O3陶瓷管作为衬底，在Al2O3陶瓷管外表面设有两条平行的环形金电极；所述Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球敏感材料涂覆在环形金电极上及Al2O3陶瓷管外表面两条环形金电极中间区域。利用Sm掺杂的SnS2/ZnS分级微球作为敏感材料，能够显著提高室温下的三乙胺传感性能，包括较高灵敏度、快速的反应/恢复速度、较低的检测下限和良好的选择性，促进此种传感器在室温气体检测领域的实用化。
基于 sm 掺杂 sns2 zns 分级结构乙胺室温传感器方法

[发明专利]一种基于GaN异质结外延的压敏电阻器件及方法-CN202210595458.0在审
发明人：关赫;武婧博 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-05-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN异质结外延的压敏电阻器件及方法，包括依次从下往上堆叠的衬底、AlN/AlInGaN缓冲层、uGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒插入层、Al(In)GaN势垒层、GaN帽层和两个金属电极；GaN沟道层、AlN势垒插入层、Al(In)GaN势垒层和GaN帽层的中部被刻蚀形成一个槽；所述两个金属电极分布在槽两侧；金属电极从下至上依次为Ti、Al、Ni、Au四层结构。本发明制备方法简单且所得器件具有典型的压敏电阻特性。
一种基于 gan 异质结外延压敏电阻器件方法