[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010596352.3 申请日: 2020-06-28
公开(公告)号: CN112447687A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 矶崎诚 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L21/98;H01L23/04;H01L23/48;H05K1/18
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 周春燕;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供能够使外部连接端子保持垂直的半导体装置以及半导体装置的制造方法。在外部连接端子(19)的侧面的与插通孔(22a)重叠的交叉区域,具备相对于外部连接端子(19)对于插通孔(22a)的插穿方向,向外部连接端子(19)侧倾斜的倾斜面(19d1)。在接触部件(17)相对于陶瓷电路基板(14)的主面倾斜安装的情况下,与之相伴,外部连接端子(19)也倾斜。这样的外部连接端子(19)若插穿上盖板(22)的插通孔(22a),则通过引导部(19d)的倾斜面(19d1)而被引导为相对于陶瓷电路基板(14)的主面垂直来使上盖板(22)安装。因而,能够将从外装壳(20)的上盖板(22)突出的外部连接端子(19)安装于印刷电路基板的适合的位置,能够实现组装性的提高。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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