[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202010596352.3 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN112447687A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 矶崎诚 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L21/98;H01L23/04;H01L23/48;H05K1/18 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 周春燕;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
提供能够使外部连接端子保持垂直的半导体装置以及半导体装置的制造方法。在外部连接端子(19)的侧面的与插通孔(22a)重叠的交叉区域,具备相对于外部连接端子(19)对于插通孔(22a)的插穿方向,向外部连接端子(19)侧倾斜的倾斜面(19d1)。在接触部件(17)相对于陶瓷电路基板(14)的主面倾斜安装的情况下,与之相伴,外部连接端子(19)也倾斜。这样的外部连接端子(19)若插穿上盖板(22)的插通孔(22a),则通过引导部(19d)的倾斜面(19d1)而被引导为相对于陶瓷电路基板(14)的主面垂直来使上盖板(22)安装。因而,能够将从外装壳(20)的上盖板(22)突出的外部连接端子(19)安装于印刷电路基板的适合的位置,能够实现组装性的提高。
技术领域
本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
背景技术
半导体装置包含例如IGBT(Insulted Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体芯片。这样的半导体装置例如用作电力变换装置。这样的半导体装置具备基板,该基板具有绝缘板和形成于绝缘板的正面的多个导电板。此外,在导电板上配置有半导体芯片以及外部连接端子,从外部连接端子施加的信号经由导电板输入于半导体芯片。此外,从外部连接端子还输入输出主电流,主电流经由导电板而由半导体芯片进行开关。在将外部连接端子安装于导电板时,使用通过焊锡接合于导电板的筒状的接触部件。将外部连接端子嵌合于接触部件,外部连接端子经由接触部件电连接于导电板。并且,将外部连接端子插穿于外装壳的上盖板的插通孔,将外装壳安装于基板(例如,参照专利文献1)。
对于这样从外装壳的上盖板的插通孔突出的外部连接端子,进一步安装印刷电路基板。外部连接端子与印刷电路基板电连接。因此,外部连接端子需要相对于基板垂直。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-187179号公报
发明内容
技术问题
但是,若接触部件因某种原因稍微倾斜,则嵌合于接触部件的外部连接端子也相对于基板倾斜安装。即使这样倾斜的外部连接端子插穿于外装壳的上盖板的插通孔而突出,外部连接端子也由于倾斜,所以无法安装于印刷电路基板的适合的位置。
本发明是鉴于这样的情况而完成的,目的在于提供能够将外部连接端子保持为垂直的半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术方案
根据本发明的一观点,提供一种半导体装置,其具备:半导体芯片;基板,其具有导电板和绝缘板,所述导电板在正面设置有所述半导体芯片,所述绝缘板在正面形成有所述导电板;筒状的接触部件,其介由接合构件设置于所述导电板上;棒状的外部连接端子,其下端部嵌合于所述接触部件;以及平板状的上盖板,其具有贯穿入口和出口的插通孔,所述入口处于所述上盖板的与所述基板的主面对置的背面,所述出口处于所述上盖板的所述背面的相反侧的正面且与所述入口对置,所述外部连接端子插穿到了所述插通孔,在所述外部连接端子的侧面的与所述插通孔重叠的交叉区域或所述插通孔的内壁面的至少任一方,具备从所述入口朝向所述出口向所述外部连接端子的中心侧倾斜的倾斜面。
此外,提供制造这样的半导体装置的半导体装置的制造方法。
技术效果
根据公开的技术,能够保持外部连接端子的垂直,能够抑制组装性的下降。
附图说明
图1是第一实施方式的半导体装置的剖面图。
图2是用于说明第一实施方式的陶瓷电路基板的图。
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