[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202010596352.3 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN112447687A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 矶崎诚 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L21/98;H01L23/04;H01L23/48;H05K1/18 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 周春燕;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
半导体芯片;
基板,其具有导电板和绝缘板,所述导电板在正面设置有所述半导体芯片,所述绝缘板在正面形成有所述导电板;
筒状的接触部件,其介由接合构件设置于所述导电板上;
棒状的外部连接端子,其下端部嵌合于所述接触部件;以及
平板状的上盖板,其具有贯穿入口和出口的插通孔,所述入口处于所述上盖板的与所述基板的主面对置的背面,所述出口处于所述上盖板的所述背面的相反侧的正面且与所述入口对置,所述外部连接端子插穿到所述插通孔,
在所述外部连接端子的侧面的与所述插通孔重叠的交叉区域和所述插通孔的内壁面中的至少任一方,具备从所述入口朝向所述出口向所述外部连接端子的中心侧倾斜的倾斜面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
在所述交叉区域设置有具备所述倾斜面的引导部,
插穿到所述上盖板的所述插通孔的所述外部连接端子与所述插通孔的摩擦力小于所述接触部件对于所述外部连接端子的嵌合力。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述引导部是具备所述倾斜面的楔形,且沿着所述外部连接端子的所述交叉区域的周围设置有多个。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述引导部包围所述外部连接端子的所述交叉区域的周围,由侧视时呈圆形或椭圆形的树脂构成,且在外表面的一部分具备所述倾斜面。
5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述引导部由侧视时呈半环状的弹性构件构成,且在外表面的一部分具备所述倾斜面。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述倾斜面分别设置于所述交叉区域以及所述插通孔的所述内壁面,
所述交叉区域的所述倾斜面与所述内壁面的所述倾斜面重叠。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述倾斜面设置于所述插通孔的所述内壁面,
所述插通孔侧视时从所述入口朝向所述出口缩径。
8.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
准备半导体芯片、基板、筒状的接触部件、棒状的外部连接端子和平板状的上盖板的工序,所述基板具有导电板和在正面形成有所述导电板的绝缘板,所述上盖板具备贯穿入口和出口的插通孔,所述入口处于所述上盖板的背面,所述出口处于所述上盖板的所述背面的相反侧的正面且与所述入口对置;
接合工序,将所述半导体芯片接合于所述基板的主面的所述导电板上,并介由接合构件将所述接触部件接合在所述导电板上;
嵌合工序,从所述基板的主面侧将所述外部连接端子的下端部嵌合于所述接触部件;以及
安装工序,使所述上盖板的所述背面与所述基板的主面对置,使所述上盖板从所述基板的主面侧进行覆盖并将所述外部连接端子从所述上盖板的所述入口插穿向所述出口而安装所述上盖板;
在所述外部连接端子的侧面的与所述插通孔重叠的交叉区域和所述插通孔的内壁面中的至少任一方,具备相对于所述外部连接端子对于所述插通孔的插穿方向向所述外部连接端子侧倾斜的倾斜面。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在所述安装工序中,所述外部连接端子沿着所述倾斜面从所述入口向所述出口被引导而插穿所述插通孔。
10.根据权利要求8或9所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
所述倾斜面分别设置于所述交叉区域以及所述插通孔的所述内壁面,
在所述安装工序中,使所述交叉区域的所述倾斜面与所述内壁面的所述倾斜面重叠,相对于所述基板按压所述上盖板而安装所述上盖板。
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