[发明专利]半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备

摘要

本公开提供一种半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的半导体结构包括：衬底；多个下电极，设置在所述衬底上并在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上间隔排列；第一支撑物图案，支撑所述多个下电极，具有多个圆形的敞开区域，每个所述敞开区域连接预设数量个下电极并暴露所连接的每个下电极的侧壁的一部分。该半导体结构的支撑物图案，采用统一的圆形敞开区域，使得在制作敞开区域时能以同一条件进行，使得敞开区域更容易敞开相同的面积，为后续电介质膜和上电极的形成提供充足的工艺裕度，以改善半导体电容器的可靠性。