[发明专利]半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

多个下电极，设置在所述衬底上并在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上间隔排列；

支撑物图案，支撑所述多个下电极，该支撑物图案具有多个圆形的敞开区域，每个所述敞开区域连接预设数量个下电极并暴露所连接的每个下电极的侧壁的一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第二支撑物图案，位于所述衬底和所述第一支撑物图案之间，支撑所述多个下电极，并且与所述第一支撑物图案具有相同图案。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括第一电极区域和围绕所述第一电极区域的第二电极区域；所述多个下电极设置在所述第一电极区域内。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

多个虚设下电极，设置在所述第二电极区域内。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

设置在所述下电极上的电容器电介质膜；以及，

设置在所述电容器电介质膜上的上电极。

6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述预设数量为3。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，在第一方向上相邻的两个敞开区域分别为第一敞开区域和第二敞开区域，在第二方向上与所述第一敞开区域相邻的敞开区域为第三敞开区域；

所述第一敞开区域所连接的3个下电极分别位于三角形的三个顶点，所述第二敞开区域所连接的3个下电极分别位于倒三角形的三个顶点，所述第三敞开区域所连接的3个下电极分别位于三角形的三个顶点。

8.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成模制层和支撑物形成层；

通过蚀刻所述模制层和所述支撑物形成层而形成暴露所述衬底的多个孔；

通过将导电材料覆到所述多个孔的内壁上而形成多个下电极；以及，

利用光刻工艺蚀刻所述支撑物形成层以形成多个圆形的敞开区域并形成连接所述多个下电极的第一支撑物图案。

9.一种半导体存储器，其特征在于，包括：

如权利要求1至7中任一项所述的半导体结构。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：

如权利要求9所述的半导体存储器。

11.根据权利要求10所述的电子设备，其特征在于，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。