[发明专利]半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备

说明书

本公开提供一种半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的半导体结构包括：衬底；多个下电极，设置在所述衬底上并在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上间隔排列；第一支撑物图案，支撑所述多个下电极，具有多个圆形的敞开区域，每个所述敞开区域连接预设数量个下电极并暴露所连接的每个下电极的侧壁的一部分。该半导体结构的支撑物图案，采用统一的圆形敞开区域，使得在制作敞开区域时能以同一条件进行，使得敞开区域更容易敞开相同的面积，为后续电介质膜和上电极的形成提供充足的工艺裕度，以改善半导体电容器的可靠性。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，通常包括存储单元的阵列，每一个单元能够存储信息的位。典型的单元配置由用于存储电荷(即信息的位)的电容器以及在读取和写入操作期间提供到电容器存取信号的晶体管组成。

上述电容器中包括上电极、下电极、以及上电极和下电极之间的电介质，电容器中的下电极的大高宽比会导致下电极在电介质膜形成之前倒塌或断裂，因此电容器中还包括支撑下电极的支撑物。

随着半导体器件日趋小型化，工艺难易度也随之提升，在形成下电极的支撑物结构时，所有的下电极能否被同一地敞开是决定电容器可靠性的重要原因，但是现有支撑物结构的敞开区域无法拥有相同的面积，这就导致电容器之间存在电容量差异。

发明内容

本公开的目的是提供一种半导体结构、一种半导体结构的制作方法、一种半导体存储器及一种电子设备。

本公开第一方面提供一种半导体结构，包括：

衬底；

多个下电极，设置在所述衬底上并在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上间隔排列；

支撑物图案，支撑所述多个下电极，该支撑物图案具有多个圆形的敞开区域，每个所述敞开区域连接预设数量个下电极并暴露所连接的每个下电极的侧壁的一部分。

本公开第二方面提供一种半导体结构的制作方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成模制层和支撑物形成层；

通过蚀刻所述模制层和所述支撑物形成层而形成暴露所述半导体衬底的多个孔；

通过将导电材料覆到所述多个孔的内壁上而形成多个下电极；以及，

利用光刻工艺蚀刻所述支撑物形成层以形成多个圆形的敞开区域并形成连接所述多个下电极的第一支撑物图案。

本公开第三方面提供一种半导体存储器，包括：

如第一方面中所述的半导体结构。

本公开第四方面提供一种电子设备，包括：

如第三方面中所述的半导体存储器。

本公开与现有技术相比的优点在于：

本公开提供的半导体结构的支撑物图案，采用统一的圆形敞开区域，使得在制作敞开区域时能以同一条件进行，使得敞开区域更容易敞开相同的面积，为后续电介质膜和上电极的形成提供充足的工艺裕度，以改善半导体电容器的可靠性。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本公开的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1示出了本公开所提供的一种半导体结构的俯视图；