[发明专利]一种可控硅器件及制造方法有效
| 申请号： | 202010524772.0 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111627813B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 蒋骞苑;赵德益;赵志方;吕海凤;张啸;王允 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L29/06;H01L29/74 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201323 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可控硅器件及制造方法，方法包括：提供一衬底，并于所述衬底上形成一外延层，形成阱区即掺杂区，形成注入区，沉积介质层和金属连线层；器件包括：衬底、外延层、阱区、N+注入区、P+注入区、介质层、金属连线层；有益效果是本发明所提供的可控硅器件具有较低的触发电压，较高高的静电泄放能力、较高的稳定性和可靠性，同时该可控硅器件面积小，无需增加多余的器件种类，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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- 开管涂源全扩散制造低功耗雪崩晶闸管芯片的方法-201410487951.6
- 于能斌;于泽;张宏伟;王景波;刘欣宇 - 鞍山市良溪电力科技有限公司
- 2014-09-22 - 2017-06-16 - H01L21/332
- 本发明涉及一种开管涂源全扩散制造低功耗雪崩晶闸管芯片的方法，包括1)工艺环境准备；2)超声波清洗；3)硅片清洗；4)清洗石英架、石英砣5)硅片硼‑铝扩散；6)氧化；7)一次光刻；8)磷扩散；9)割圆；10)烧结；11)二次光刻与蒸发一次成型；12)合金；13)台面处理；14)测试。与现有技术相比，本发明的有益效果是1)采用硼‑铝一次扩散，保证PN结前沿平缓及产品的一致性；2)采用二次光刻与蒸发一次成型技术，简化工序，降低物理损伤，提高成品率和产品性能的可靠性；3)在超净工艺环境中操作，特殊的清洗方法及优质清洗试剂保证长的少子寿命；4)新型烧结技术保证烧结变形小，粘接牢固，保证扩散参数稳定不变。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
