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[发明专利]一种快恢复二极管的制备方法-CN202310981842.9在审
发明人：蒋骞苑;赵德益;吕海凤;张啸;王允;郝壮壮;胡亚莉;李佳豪;张彩霞 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种快恢复二极管的制备方法，包括：步骤S1，于衬底上形成外延层；步骤S2，于外延层表面两侧分别形成场氧化区；步骤S3，于外延层中形成多个第一注入区，第一注入区贯穿外延层至衬底中；步骤S4，于外延层中形成多个第二注入区，第二注入区分别位于第一注入区表面；步骤S5，于外延层中形成多个第三注入区，然后快速退火；步骤S6，背面减薄，然后于衬底背面形成第四注入区；步骤S7，于第四注入区中形成多个第五注入区；步骤S8，于第四注入区的下表面形成第六注入区；步骤S9，淀积形成正面金属层和背面金属层。有益效果：器件反向恢复时间短、反向恢复峰值电流小、反向恢复电荷少，且具有较软的反向恢复特性。
一种恢复二极管制备方法

[发明专利]沟槽引出集成型低压双向瞬时电压抑制器及其制造方法-CN201610732260.7有效
发明人： 吕海凤;赵德益;赵志方;王允;霍田佳;张啸;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2016-08-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明沟槽引出的集成型低压双向瞬时电压抑制器，包括第一导电类型衬底；在衬底上有第二导电类型的外延层；在第二导电类型外延层上有第一导电类型外延层；第一隔离沟槽进入第一导电类型衬底，并形成第一区域和第二区域；第一区域中由第一导电类型注入区、第二导电类型扩散区及第一类型的外延形成二极管Z1，第一导电类型外延和第二导电类型外延形成二极管D1；第二区域中由第一导电类型注入区、第二导电类型扩散区及第一类型的外延形成二极管Z2，第一导电类型外延和第二导电类型外延形成二极管D2；第二引出沟槽，进入第二导电类型外延层，内填高浓度第二导电类型多晶硅；由第一金属线IO1连接所述二极管Z1和D2，第二金属线IO2连接所述二极管Z2和D1。
沟槽引出集成低压双向瞬时电压抑制器及其制造方法

[发明专利]一种多插指耦合开启可控硅的浪涌保护电路及方法-CN202310662615.X在审
发明人：郝壮壮;赵德益;蒋骞苑;吕海凤;苏海伟;叶毓明;张伟;范文来 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种多插指耦合开启可控硅的浪涌保护电路及方法，包括：多个插指模块，多个插指模块并联连接于一输入端和一接地端之间；每一插指模块分别包括：一可控硅支路，用于在发生浪涌时产生一泄放指令；一开关器件，并联连接于可控硅支路，开关器件的控制端连接于前一个插指模块中可控硅支路的控制级，用于响应于前一个可控硅支路的泄放指令，以触发开关器件所对应的可控硅支路开启泄放；其中，第一个插指模块中开关器件的控制端连接最后一个插指模块中可控硅支路的控制级。有益效果：多插指SCR之间耦合开启，多插指共同泄放浪涌电流，从而避免开启不均匀导致的局部插指烧毁，提升器件的鲁棒性。
一种多插指耦合开启可控硅浪涌保护电路方法

[发明专利]一种纵向晶闸管及其制造方法-CN202310378229.8在审
发明人：郝壮壮;蒋骞苑;赵德益;苏海伟;叶毓明;顾彦国;吕海凤;张啸;李佳豪 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种纵向晶闸管及其制造方法。纵向晶闸管包括，衬底硅片；隐埋层，设于所述衬底硅片内并且凸出所述衬底硅片一定水平高度；外延层，设于所述衬底硅片和所述隐埋层上，所述外延层内设有，N型阱区和P型阱区，P型阱区与N型阱区的内侧连接，N型阱区的底部与所述隐埋层的上端连接；P型阱区底部与隐埋层间隔一定距离，本发明通过提供具有多条电流泄放路径的纵向晶闸管，使得器件泄放电流时具有更低残压、更高峰值电流的特点，提升了器件性能。
一种纵向晶闸管及其制造方法

[发明专利]一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件-CN202310055077.8在审
发明人：张啸;李佳豪;蒋骞苑;赵德益;吕海凤;王允;郝壮壮;胡亚莉;张彩霞 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件，包括：步骤S1，于N型衬底的预定区域形成P型埋层；步骤S2，于上述表面形成外延过渡层，并于外延过渡层上生长N型外延层；步骤S3，于N型外延层中形成SN层、SP层；步骤S4，于N型外延层中刻蚀形成深槽，深槽中原位填充多晶硅，深槽包括两个第一深槽和两个第二深槽；步骤S5，于上述表面淀积介质层、刻蚀接触孔以及淀积金属层。有益效果：本发明创新性的采用NPN结构，通过精确控制隔离深槽的深度保证器件的通流能力，同时降低了钳位电压，可广泛应用于各种高速数据传输端口的保护；在生长有高浓度P型埋层、衬底上获得近乎本征的高阻外延，从而保证器件的低电容特性。
一种电容低残压 tvs 器件制备方法

[发明专利]一种可控硅器件及制造方法-CN202010524772.0有效
发明人：蒋骞苑;赵德益;赵志方;吕海凤;张啸;王允 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明提供一种可控硅器件及制造方法，方法包括：提供一衬底，并于所述衬底上形成一外延层，形成阱区即掺杂区，形成注入区，沉积介质层和金属连线层；器件包括：衬底、外延层、阱区、N+注入区、P+注入区、介质层、金属连线层；有益效果是本发明所提供的可控硅器件具有较低的触发电压，较高高的静电泄放能力、较高的稳定性和可靠性，同时该可控硅器件面积小，无需增加多余的器件种类，降低了生产成本。
一种可控硅器件制造方法

[发明专利]一种静电保护器件及其制备方法-CN202310052603.5在审
发明人：蒋骞苑;赵德益;顾彦国;吕海凤;张啸;郝壮壮;胡亚莉;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电保护器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，器件包括：衬底、外延层、埋层、依次邻接的第一至第五阱区、至少两个轻掺杂注入区、重阱区、第一至第七注入区、介质层、金属层，第一阱区和第五阱区的底部与衬底、埋层同时接触；第二至第四阱区的底部与埋层接触。本发明所提供的静电保护器件具有较低的触发电压和击穿电压，更强的通流能力，较高的静电泄放能力、较高的稳定性和可靠性，且同时不会增加静电保护器件的面积。
一种静电保护器件及其制备方法

[发明专利]一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件-CN202310093933.9在审
发明人：顾彦国;赵德益;蒋骞苑;吕海凤;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件，涉及半导体技术领域，器件包括：第一导电类型的半导体材料、场氧化层、第二导电类型的第一阱区、第二阱区、第三阱区和第四阱区、每一场氧化层的两侧形成的侧墙结构、第一导电类型的第一至第三重掺杂注入区、介质层、接触孔、第二导电类型的第四重掺杂区和第五重掺杂区的光刻、金属连线。本发明通过采用自对准工艺(或半自对准工艺)作业，提高双向可控硅器件对FAB硅片设备的精度容宽，降低设备的能力需求，且减少一定的层次，使其具有较低的触发电压、相同的器件参数，同时优化生产工艺的难度和成本。
一种双向可控硅器件制备方法

[发明专利]一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法-CN201711108418.4有效
发明人：张啸;苏海伟;赵德益;赵志方;王允;吕海凤;霍田佳;苏亚兵;蒋骞苑 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法，其包括：一个GND‑IO路径上横向的PNPN结构和一个IO‑GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。本发明分别利用横向和纵向的PNPN结构实现了双向大骤回特性，而且分别串联一个降容二极管D1和D2，实现了降低电容的目的。而且表面只需要引出一个I/01，另外一个I/02从GND引出，封装简单且更容易实现，比表面多IO的打线方式封装成本更低。此特殊结构的设计实现使其具有超低的电容，超低残压，所以在保护高频数据接口电路上的应用优势十分明显。
一种具有双向大骤回 scr 特性电容 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种带有静电保护功能的高密度电容器件及其制备方法-CN202310112630.7在审
发明人：霍田佳;赵德益;蒋骞苑;吕海凤;严林;彭阳;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种带有静电保护功能的高密度电容器件及其制备方法，包括：若干第一深槽结构，将基底横纵交错隔离成多个预设区域，若干TVS器件和若干电容器并联连接且交错设置于多个预设区域中；每一TVS器件包括：阱区和第一重掺杂区；每一电容器包括：多个第二深槽结构和第二重掺杂区，第二深槽结构内填充有介质层和多晶硅层；绝缘层，设有对应多晶硅层的接触孔窗口和对应第一重掺杂区的接触孔窗口；金属层，包括正面金属层和背面金属层。有益效果：本发明将若干个三维电容器与TVS器件通过工艺兼容性交错并联集成在同一硅基芯片内，能够更好的吸收开关电压尖峰，达到保护后级电路的作用。
一种带有静电保护功能高密度电容器件及其制备方法

[发明专利]一种低电容阵列瞬态电压抑制器及其制造方法-CN202210783947.9在审
发明人：李佳豪;蒋骞苑;赵德益;吕海凤;张啸;王允;郝壮壮;胡亚莉;张彩霞;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种低电容阵列瞬态电压抑制器及其制造方法，多个预设区域从左至右依序为：第一预设区域、第二预设区域、第三预设区域、第四预设区域和第五预设区域；第三预设区域包括形成于外延层上的第一P型阱区，以及形成于第一P型阱区之内的两个分段掺杂区，每个分段掺杂区包括至少一个第五N+区和至少一个第四P+区，第五N+区和第四P+区沿深度方向排列设计，介质层中包括对应于第三预设区域内的每个分段掺杂区和第四N+区的接触孔，分段掺杂区上方的接触孔的覆盖范围涉及分段掺杂区内每一个第五N+区和第四P+区。提供一种小骤回或不骤回、导通电阻和钳位电压都更小的TVS器件。
一种电容阵列瞬态电压抑制器及其制造方法

[发明专利]一种集成阻断型浪涌保护器件-CN202111351503.X有效
发明人：郝壮壮;赵德益;蒋骞苑;吕海凤;李佳豪 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成阻断型浪涌保护器件，属于半导体保护器件领域，包括：第一三极管器件包括：第一掺杂区以及形成于第一掺杂区中的第四掺杂区；第二掺杂区，通过第一导电沟道连接第一掺杂区；第一控制区，通过第一栅极隔离层连接第一导电沟道，第一控制区用于控制第一导电沟道关断或导通；第二三极管器件包括：第三掺杂区，短路连接于第二掺杂区；第二控制区，通过第一负载连接第一掺杂区，第二控制区用于控制第二导电沟道关断或导通；第五掺杂区，连接第一控制区，以及通过第二导电沟道连接第三掺杂区。本发明只在一个芯片上集成类似可重置保险丝的可变电阻电路，可重复性导通与阻断，实现对电路的浪涌保护。
一种集成阻断浪涌保护器

[发明专利]一种双向瞬态电压抑制器件及其制备方法-CN202110927439.9有效
发明人：蒋骞苑;赵德益;吕海凤;霍田佳;严林;周凯;彭阳 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向瞬态电压抑制器件及其制备方法，属于半导体保护器件领域，包括：衬底、阱区；阱区包括第一预设区域和第二预设区域，第一预设区域内包括间隔布设的第一掺杂区；第二预设区域包括：场掺杂区，场掺杂区间隔布设于阱区内；第二掺杂区，设置于场掺杂区之间，第二掺杂区的邻边与场掺杂区紧密贴合，且第二掺杂区分别位于每个第一掺杂区的上表面；场氧化层自场掺杂区内形成，且凸出于场掺杂区。本发明技术方案的有益效果在于：同时具有击穿电压低，负阻特性更大的特性，因此具有更低的钳位电压，因此具有超低触发电压和超低钳位电压的特性，保护后级电路的能力更强。
一种双向瞬态电压抑制器件及其制备方法

[实用新型]一种半导体保护器件-CN202120334993.1有效
发明人： 吕海凤;赵德益;王允;蒋骞苑 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体保护器件，属于半导体技术领域，包括：一衬底；一外延层，设置于衬底的上表面；一二极管器件，形成于外延层中，二极管器件的正向电极连接至一第一端口，二极管器件的负向电极连接至一第二端口；一二端双结器件，形成于外延层中，二端双结器件包括一第一电极及一第二电极，第一电极连接第一端口，第二电极连接第二端口。本技术方案具有如下优点或有益效果：通流路径更短，在提高单位面积的浪涌能力的同时，降低钳位电压，适应于更多应用需求。
一种半导体保护器件

[发明专利]一种骤回瞬态电压抑制器-CN202110722838.1在审
发明人：蒋骞苑;赵德益;吕海凤;张啸;王允;郝壮壮;胡亚莉;李佳豪;张彩霞 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种骤回瞬态电压抑制器，属于半导体保护器件领域，包括：外延层形成于衬底上；多个预设区域形成于外延层中且被隔离结构隔离；第一预设区域和第五预设区域包括第一P+区、第一N+区和第二P+区；第二预设区域和第四预设区域包括第二N+区、第三P+区和第三N+区；第三预设区域包括第一P型阱区、第二P型阱区、形成于第二P型阱区内的第四N+区，形成于第一P型阱区内的两个第四P+区和两个第五N+区；介质层形成于外延层的上表面，介质层中包括对应每个P+区和N+区的金属孔；多个金属层形成于每个金属孔中。本发明的有益效果在于：击穿电压和触发电压较低，保护响应更快，导通电阻和钳位电压更小，对后级集成电路的保护能力更强。
一种瞬态电压抑制器

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