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[发明专利]一种快恢复二极管的制备方法-CN202310981842.9在审
发明人： 蒋骞苑;赵德益;吕海凤;张啸;王允;郝壮壮;胡亚莉;李佳豪;张彩霞 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种快恢复二极管的制备方法，包括：步骤S1，于衬底上形成外延层；步骤S2，于外延层表面两侧分别形成场氧化区；步骤S3，于外延层中形成多个第一注入区，第一注入区贯穿外延层至衬底中；步骤S4，于外延层中形成多个第二注入区，第二注入区分别位于第一注入区表面；步骤S5，于外延层中形成多个第三注入区，然后快速退火；步骤S6，背面减薄，然后于衬底背面形成第四注入区；步骤S7，于第四注入区中形成多个第五注入区；步骤S8，于第四注入区的下表面形成第六注入区；步骤S9，淀积形成正面金属层和背面金属层。有益效果：器件反向恢复时间短、反向恢复峰值电流小、反向恢复电荷少，且具有较软的反向恢复特性。
一种恢复二极管制备方法

[发明专利]一种多插指耦合开启可控硅的浪涌保护电路及方法-CN202310662615.X在审
发明人：郝壮壮;赵德益;蒋骞苑;吕海凤;苏海伟;叶毓明;张伟;范文来 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种多插指耦合开启可控硅的浪涌保护电路及方法，包括：多个插指模块，多个插指模块并联连接于一输入端和一接地端之间；每一插指模块分别包括：一可控硅支路，用于在发生浪涌时产生一泄放指令；一开关器件，并联连接于可控硅支路，开关器件的控制端连接于前一个插指模块中可控硅支路的控制级，用于响应于前一个可控硅支路的泄放指令，以触发开关器件所对应的可控硅支路开启泄放；其中，第一个插指模块中开关器件的控制端连接最后一个插指模块中可控硅支路的控制级。有益效果：多插指SCR之间耦合开启，多插指共同泄放浪涌电流，从而避免开启不均匀导致的局部插指烧毁，提升器件的鲁棒性。
一种多插指耦合开启可控硅浪涌保护电路方法

[发明专利]一种防闩锁的浪涌保护电路-CN202310481659.2在审
发明人：郝壮壮;赵德益;蒋骞苑;吕海风;苏海伟;叶毓明 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种防闩锁的浪涌保护电路，涉及半导体技术领域，包括：浪涌保护单元串接在电子产品的供电端和地端之间；防闩锁单元通过两条电流传输路径连接浪涌保护单元；延时控制单元串接在供电端和地端之间，并通过电压传输路径连接防闩锁单元；浪涌保护单元用于在供电端发生雷击浪涌时进入大回骤状态泄放浪涌电流；延时控制单元在雷击浪涌结束前控制防闩锁单元处于关断状态，以及在雷击浪涌结束时控制防闩锁单元延时导通，使浪涌保护单元的电流通过电流传输路径从防闩锁单元流向地端使得浪涌保护单元退出大回骤状态，从而实现防闩锁。有益效果是浪涌结束时控制防闩锁单元导通使浪涌保护单元退出大骤回状态，实现防闩锁，且保留了浪涌保护能力。
一种防闩锁浪涌保护电路

[发明专利]一种应用于蓄电池组的浪涌保护电路-CN202310481663.9在审
发明人：郝壮壮;叶毓明;赵德益;蒋骞苑;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于蓄电池组的浪涌保护电路，涉及半导体技术领域，包括：浪涌泄放单元，串接于蓄电池组的电池正极与电池负极之间；可骤回检测单元，串接于电池正极和电池负极之间，并与浪涌泄放单元之间通过第一电压传输路径连接；防闩锁单元，通过第二电压传输路径连接可骤回检测单元；可骤回检测单元在检测到电池正极发生浪涌时导通并控制浪涌泄放单元导通泄放浪涌电流，以及控制防闩锁单元处于高阻状态，使得可骤回检测单元处于电压骤回状态；可骤回检测单元在检测到电池正极浪涌消失时，控制防闩锁单元由高阻状态切换为低阻状态，进而关断可骤回检测单元和浪涌泄放单元。有益效果是实现大浪涌电流下的低残压特性，同时兼具防闩锁的特性。
一种应用于蓄电池浪涌保护电路

[发明专利]一种纵向晶闸管及其制造方法-CN202310378229.8在审
发明人：郝壮壮;蒋骞苑;赵德益;苏海伟;叶毓明;顾彦国;吕海凤;张啸;李佳豪 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种纵向晶闸管及其制造方法。纵向晶闸管包括，衬底硅片；隐埋层，设于所述衬底硅片内并且凸出所述衬底硅片一定水平高度；外延层，设于所述衬底硅片和所述隐埋层上，所述外延层内设有，N型阱区和P型阱区，P型阱区与N型阱区的内侧连接，N型阱区的底部与所述隐埋层的上端连接；P型阱区底部与隐埋层间隔一定距离，本发明通过提供具有多条电流泄放路径的纵向晶闸管，使得器件泄放电流时具有更低残压、更高峰值电流的特点，提升了器件性能。
一种纵向晶闸管及其制造方法

[发明专利]一种耐压型浪涌保护器件-CN202310686491.9在审
发明人：郝壮壮;赵德益;蒋骞苑;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种耐压型浪涌保护器件，属于浪涌保护技术领域，包括连接于两个端口之间的一耐压晶体管组和一变阻器件，耐压晶体管组和变阻器件串联连接，自变阻器件输出一反馈电压；耐压晶体管组至少包括两个晶体管，至少两个晶体管串联连接，每一晶体管于反馈电压的作用下可控制地连接于变阻器件和其中一端口之间。有益效果：本发明通过由两个或以上的晶体管组成的耐压晶体管组和变阻器件实现由中低压晶体管替代高压晶体管，实现高耐压浪涌防护功能，其导通电阻低、工艺简化、成本低。
一种耐压浪涌保护器

[发明专利]一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件-CN202310055077.8在审
发明人：张啸;李佳豪;蒋骞苑;赵德益;吕海凤;王允;郝壮壮;胡亚莉;张彩霞 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件，包括：步骤S1，于N型衬底的预定区域形成P型埋层；步骤S2，于上述表面形成外延过渡层，并于外延过渡层上生长N型外延层；步骤S3，于N型外延层中形成SN层、SP层；步骤S4，于N型外延层中刻蚀形成深槽，深槽中原位填充多晶硅，深槽包括两个第一深槽和两个第二深槽；步骤S5，于上述表面淀积介质层、刻蚀接触孔以及淀积金属层。有益效果：本发明创新性的采用NPN结构，通过精确控制隔离深槽的深度保证器件的通流能力，同时降低了钳位电压，可广泛应用于各种高速数据传输端口的保护；在生长有高浓度P型埋层、衬底上获得近乎本征的高阻外延，从而保证器件的低电容特性。
一种电容低残压 tvs 器件制备方法

[发明专利]一种可控硅器件及制造方法-CN202010524772.0有效
发明人： 蒋骞苑;赵德益;赵志方;吕海凤;张啸;王允 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明提供一种可控硅器件及制造方法，方法包括：提供一衬底，并于所述衬底上形成一外延层，形成阱区即掺杂区，形成注入区，沉积介质层和金属连线层；器件包括：衬底、外延层、阱区、N+注入区、P+注入区、介质层、金属连线层；有益效果是本发明所提供的可控硅器件具有较低的触发电压，较高高的静电泄放能力、较高的稳定性和可靠性，同时该可控硅器件面积小，无需增加多余的器件种类，降低了生产成本。
一种可控硅器件制造方法

[发明专利]一种低容硅控整流器-CN202310263319.2在审
发明人：郝壮壮;叶毓明;赵德益;蒋骞苑;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种低容硅控整流器，涉及半导体技术领域，包括：衬底，所述衬底上方形成有一N阱区、一第一P阱区和一第一P型注入区；所述N阱区中形成有一第一N型注入区和一第二P型注入区，所述第一P阱区中形成有一第二N型注入区和一第三P型注入区，所述N阱区和所述第一P阱区的接合处形成有一第三N型注入区；所述第一N型注入区和所述第二P型注入区连接一阳极端，所述第一P型注入区和所述第二N型注入区连接一阴极端；控制电路，分别连接所述第三P型注入区、所述阴极端和所述阳极端，所述控制电路用于控制所述第三P型注入区与所述阴极端的通断。有益效果是能够在保持正向和负向电流泄放通路不变和漏电接近的基础上，实现更低的电容。
一种低容硅控整流器

[发明专利]一种静电保护器件及其制备方法-CN202310052603.5在审
发明人： 蒋骞苑;赵德益;顾彦国;吕海凤;张啸;郝壮壮;胡亚莉;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电保护器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，器件包括：衬底、外延层、埋层、依次邻接的第一至第五阱区、至少两个轻掺杂注入区、重阱区、第一至第七注入区、介质层、金属层，第一阱区和第五阱区的底部与衬底、埋层同时接触；第二至第四阱区的底部与埋层接触。本发明所提供的静电保护器件具有较低的触发电压和击穿电压，更强的通流能力，较高的静电泄放能力、较高的稳定性和可靠性，且同时不会增加静电保护器件的面积。
一种静电保护器件及其制备方法

[发明专利]一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件-CN202310093933.9在审
发明人：顾彦国;赵德益;蒋骞苑;吕海凤;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件，涉及半导体技术领域，器件包括：第一导电类型的半导体材料、场氧化层、第二导电类型的第一阱区、第二阱区、第三阱区和第四阱区、每一场氧化层的两侧形成的侧墙结构、第一导电类型的第一至第三重掺杂注入区、介质层、接触孔、第二导电类型的第四重掺杂区和第五重掺杂区的光刻、金属连线。本发明通过采用自对准工艺(或半自对准工艺)作业，提高双向可控硅器件对FAB硅片设备的精度容宽，降低设备的能力需求，且减少一定的层次，使其具有较低的触发电压、相同的器件参数，同时优化生产工艺的难度和成本。
一种双向可控硅器件制备方法

[发明专利]一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法-CN201711108418.4有效
发明人：张啸;苏海伟;赵德益;赵志方;王允;吕海凤;霍田佳;苏亚兵;蒋骞苑 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法，其包括：一个GND‑IO路径上横向的PNPN结构和一个IO‑GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。本发明分别利用横向和纵向的PNPN结构实现了双向大骤回特性，而且分别串联一个降容二极管D1和D2，实现了降低电容的目的。而且表面只需要引出一个I/01，另外一个I/02从GND引出，封装简单且更容易实现，比表面多IO的打线方式封装成本更低。此特殊结构的设计实现使其具有超低的电容，超低残压，所以在保护高频数据接口电路上的应用优势十分明显。
一种具有双向大骤回 scr 特性电容 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种带有静电保护功能的高密度电容器件及其制备方法-CN202310112630.7在审
发明人：霍田佳;赵德益;蒋骞苑;吕海凤;严林;彭阳;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种带有静电保护功能的高密度电容器件及其制备方法，包括：若干第一深槽结构，将基底横纵交错隔离成多个预设区域，若干TVS器件和若干电容器并联连接且交错设置于多个预设区域中；每一TVS器件包括：阱区和第一重掺杂区；每一电容器包括：多个第二深槽结构和第二重掺杂区，第二深槽结构内填充有介质层和多晶硅层；绝缘层，设有对应多晶硅层的接触孔窗口和对应第一重掺杂区的接触孔窗口；金属层，包括正面金属层和背面金属层。有益效果：本发明将若干个三维电容器与TVS器件通过工艺兼容性交错并联集成在同一硅基芯片内，能够更好的吸收开关电压尖峰，达到保护后级电路的作用。
一种带有静电保护功能高密度电容器件及其制备方法

[发明专利]一种低电容阵列瞬态电压抑制器及其制造方法-CN202210783947.9在审
发明人：李佳豪;蒋骞苑;赵德益;吕海凤;张啸;王允;郝壮壮;胡亚莉;张彩霞;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种低电容阵列瞬态电压抑制器及其制造方法，多个预设区域从左至右依序为：第一预设区域、第二预设区域、第三预设区域、第四预设区域和第五预设区域；第三预设区域包括形成于外延层上的第一P型阱区，以及形成于第一P型阱区之内的两个分段掺杂区，每个分段掺杂区包括至少一个第五N+区和至少一个第四P+区，第五N+区和第四P+区沿深度方向排列设计，介质层中包括对应于第三预设区域内的每个分段掺杂区和第四N+区的接触孔，分段掺杂区上方的接触孔的覆盖范围涉及分段掺杂区内每一个第五N+区和第四P+区。提供一种小骤回或不骤回、导通电阻和钳位电压都更小的TVS器件。
一种电容阵列瞬态电压抑制器及其制造方法

[发明专利]一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器-CN202210148643.5有效
发明人：郝壮壮;赵德益;蒋骞苑;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种加速关断的阻断型浪涌保护器，包括：第一晶体管，其漏极连接第一端口；第二晶体管，其漏极与第一晶体管的源极连接，其源极与第一晶体管的栅极连接，且其源极还连接第二端口；第一电阻，连接于第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极之间；加速关断模块，连接于第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极之间。所述加速关断模块在出现浪涌时自身流过的电流为所述第二晶体管栅极寄生电容充电，使所述第二晶体管的栅极电压快速上升，提高所述阻断型浪涌保护器的关断速度。通过在电路中引入加速关断模块来大幅提升阻断型浪涌保护器的关断速度，减少关断过程中流向输出端的电流，为后级负载提供更精细、优良的浪涌保护。
一种具有加速阻断浪涌保护器

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