[发明专利]一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片有效
| 申请号： | 202010276330.9 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111430324B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 裴俊值;杨涛;高建峰;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片，该半导体结构，包括焊盘以及设置于焊盘旁的立式挡坝结构；一种半导体器件，包括本公开的一个或多个实施例的半导体结构；一种芯片，包括本公开的一个或多个实施例的半导体器件；一种半导体结构的形成方法，包括如下的步骤：提供虚拟有源区；在虚拟有源区的上方进行的位线形成工艺、外围接触件制作工艺、焊盘制作工艺中的至少一个工艺中，形成设置于焊盘周围的立式挡坝结构。与现有技术相比，本公开创新地在焊盘旁设置立式挡坝结构，以降低焊盘受到的电气应力和环境应力，避免水分渗透到焊盘中，降低膜裂的可能性，进而提高半导体器件的可靠性和信赖度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 半导体器件 芯片 | ||
【主权项】：
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