[发明专利]一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片

说明书

本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片，该半导体结构，包括焊盘以及设置于焊盘旁的立式挡坝结构；一种半导体器件，包括本公开的一个或多个实施例的半导体结构；一种芯片，包括本公开的一个或多个实施例的半导体器件；一种半导体结构的形成方法，包括如下的步骤：提供虚拟有源区；在虚拟有源区的上方进行的位线形成工艺、外围接触件制作工艺、焊盘制作工艺中的至少一个工艺中，形成设置于焊盘周围的立式挡坝结构。与现有技术相比，本公开创新地在焊盘旁设置立式挡坝结构，以降低焊盘受到的电气应力和环境应力，避免水分渗透到焊盘中，降低膜裂的可能性，进而提高半导体器件的可靠性和信赖度。

技术领域

本公开涉及半导体器件技术领域，更为具体地，本公开为一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片。

背景技术

半导体芯片(Chip)的焊盘(PAD)区域在后续的压焊(Wire bonding)作业中会受到电气应力(Electrical Stress)和环境应力(Environmental Stress)，而且焊盘(PAD)部位对电气和水分等环境因素比较敏感，比如持续使用半导体芯片产品可能会产生膜裂开(ChipCrack)或水分渗透等问题，很可能会影响主芯片(MainChip)的正常使用。

发明内容

为解决现有半导体芯片的焊盘区域容易受到电气应力和环境应力的影响、对环境因素比较敏感等问题，本公开创新地提供了一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片，独特地将立式挡坝结构(DAM Vertical Structure)设置在焊盘的周围，可通过立式挡坝结构释放环境应力和电气应力，还能够阻挡水分进入焊盘区域内，显著地降低了膜裂开的可能性，从而彻底解决了现有半导体芯片的焊盘区域存在的诸多问题。

根据本公开的一个或多个实施例，一种半导体结构，包括焊盘(PAD)，以及设置于所述焊盘旁的立式挡坝结构(DAM Vertical Structure)。

根据本公开的一个或多个实施例，一种半导体器件，包括本公开的一个或多个实施例的半导体结构。

根据本公开的一个或多个实施例，一种芯片，包括本公开的一个或多个实施例的半导体器件。

根据本公开的一个或多个实施例，一种半导体结构的形成方法，包括如下的步骤：提供虚拟有源区；在所述虚拟有源区的上方进行的位线形成工艺、外围接触件制作工艺、焊盘制作工艺中的至少一个工艺中，形成设置于焊盘周围的立式挡坝结构。

本公开的有益效果为：与现有技术相比，本公开创新地在焊盘旁设置立式挡坝结构，以降低焊盘受到的电气应力和环境应力，避免水分渗透到焊盘中，降低膜裂的可能性，进而提高半导体器件的可靠性和信赖度。

本公开能够对芯片的焊盘区域进行有效地保护，保证芯片避免因焊盘问题而发生故障。

附图说明

图1示出的是虚拟有源区的纵向截面结构示意图。

图2示出的是虚拟有源区、虚拟位线接触部及虚拟位线的纵向截面结构示意图。

图3示出的是虚拟有源区、虚拟位线接触部、虚拟位线及虚拟外围接触件的纵向截面结构示意图。

图4示出的是虚拟有源区、虚拟位线接触部、虚拟位线、虚拟外围接触件及第一虚拟金属层的纵向截面结构示意图。

图5示出的是虚拟有源区、虚拟位线接触部、虚拟位线、虚拟外围接触件、第一虚拟金属层、第一虚拟导通孔层及第二虚拟金属层的纵向截面结构示意图。

图6示出的是虚拟有源区、虚拟位线接触部、虚拟位线、虚拟外围接触件、第一虚拟金属层、第一虚拟导通孔层、第二虚拟金属层及第二虚拟导通孔层的纵向截面结构示意图。

图7示出的是立式挡坝结构的纵向截面结构示意图。