[发明专利]一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

焊盘；

以及设置于所述焊盘旁的立式挡坝结构；

所述立式挡坝结构，沿垂直方向上延伸，包括：虚拟外围接触件，横截面呈筒状，设置于所述焊盘的外围；

所述立式挡坝结构，还包括：虚拟位线和虚拟位线接触部；所述虚拟位线，设置于所述虚拟外围接触件的下方，与所述虚拟外围接触件连接；所述虚拟位线接触部，设置于所述虚拟位线的下方以及虚拟有源区的上方，与所述虚拟位线连接；

所述立式挡坝结构，还包括：第一虚拟金属层、第一虚拟导通孔层及第二虚拟金属层；所述第一虚拟金属层，设置于所述虚拟外围接触件的上方，且与所述虚拟外围接触件连接；所述第二虚拟金属层，通过所述第一虚拟导通孔层连接所述第一虚拟金属层，且设置于所述第一虚拟金属层和所述第一虚拟导通孔层的上方；

所述立式挡坝结构，还包括：第三虚拟金属层和第二虚拟导通孔层；所述第三虚拟金属层，通过所述第二虚拟导通孔层连接所述第二虚拟金属层，且设置于所述第二虚拟金属层和所述第二虚拟导通孔层的上方。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述虚拟外围接触件、所述第一虚拟金属层、所述第一虚拟导通孔层、所述第二虚拟金属层、所述第二虚拟导通孔层均设置于绝缘区中，所述第三虚拟金属层设置于所述绝缘区的上方。

3.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1至2中任一权利要求所述的半导体结构。

4.一种芯片，其特征在于，包括权利要求3所述的半导体器件。

5.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供虚拟有源区；

在所述虚拟有源区的上方进行的位线形成工艺、外围接触件制作工艺、焊盘制作工艺中的至少一个工艺中，形成设置于焊盘周围的立式挡坝结构；

进行外围接触件制作工艺时，设置虚拟外围接触件；在层间介质工艺中进行化学机械平坦后、进行外围接触件制作工艺时，在虚拟位线的上方设置虚拟外围接触件，虚拟外围接触件与虚拟位线连接；立式挡坝结构包括虚拟外围接触件；

在焊盘外围的虚拟有源区区域内形成虚拟位线接触部和虚拟位线，虚拟位线与虚拟位线接触部连接；所述立式挡坝结构还包括虚拟位线和虚拟位线接触部；

在焊盘制作工艺中，采用镶嵌工艺制作立式挡坝结构的第一虚拟金属层、第一虚拟导通孔层及第二虚拟金属层；所述立式挡坝结构还包括第三虚拟金属层和第二虚拟导通孔层。