[实用新型]一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构有效
| 申请号： | 201921288277.3 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN210073865U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 习毓;丁文华;周新棋;陈骞;单长玲;智晶 | 申请（专利权）人： | 西安卫光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，包括条形结构的N+衬底，N+衬底上设置有N‑外延层，N‑外延层上纵向设置有源N+扩散窗口，N‑外延层的左右两侧沿源N+扩散窗口的纵向方向分别设置有栅氧化层，每个栅氧化层上依次设置有栅极多晶硅和栅源隔离层，源N+扩散窗口、源P+扩散窗口和接触孔设置在源极和栅极之间，源N+扩散窗口将源P+扩散窗口分隔成多个方形的元胞结构构成源极，栅极金属与多晶硅连接构成栅极，漏极金属与N+衬底连接构成漏极。本实用新型在保证产品电参数的情况下，缩小了元胞尺寸，使单位面积内并联的元胞数目增多，从而提高了单位面积的电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散窗口 外延层 衬底 本实用新型 栅氧化层 元胞 源极 产品电参数 栅极多晶硅 漏极金属 条形结构 依次设置 元胞结构 栅极金属 纵向设置 左右两侧 多晶硅 隔离层 接触孔 内并联 漏极 栅源 分隔 保证 | ||
【主权项】：
1.一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，其特征在于，包括条形结构的N+衬底(1)，N+衬底(1)上设置有N-外延层(2)，N-外延层(2)上纵向设置有源N+扩散窗口(6)，N-外延层(2)的左右两侧沿源N+扩散窗口(6)的纵向方向分别设置有栅氧化层(3)，每个栅氧化层(3)上依次设置有栅极多晶硅(4)和栅源隔离层(5)，源N+扩散窗口(6)、源P+扩散窗口(7)和接触孔(8)设置在源极和栅极之间，源N+扩散窗口(6)将源P+扩散窗口(7)分隔成多个方形的元胞结构构成源极，栅极金属与多晶硅(4)连接构成栅极，漏极金属与N+衬底(1)连接构成漏极。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安卫光科技有限公司，未经西安卫光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921288277.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带有减震结构的场效应管
- 下一篇：一种肖特基二极管结构
- 同类专利
- 专利分类
