[实用新型]一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构

说明书

本实用新型公开了一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，包括条形结构的N+衬底，N+衬底上设置有N‑外延层，N‑外延层上纵向设置有源N+扩散窗口，N‑外延层的左右两侧沿源N+扩散窗口的纵向方向分别设置有栅氧化层，每个栅氧化层上依次设置有栅极多晶硅和栅源隔离层，源N+扩散窗口、源P+扩散窗口和接触孔设置在源极和栅极之间，源N+扩散窗口将源P+扩散窗口分隔成多个方形的元胞结构构成源极，栅极金属与多晶硅连接构成栅极，漏极金属与N+衬底连接构成漏极。本实用新型在保证产品电参数的情况下，缩小了元胞尺寸，使单位面积内并联的元胞数目增多，从而提高了单位面积的电流密度。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构。

背景技术

目前市面上大部分MOSFET采用平面多晶硅栅自对准工艺进行制造和生产，淀积USG+BPSG后刻蚀引线孔。为保证源极金属与源区良好的接触，对于N沟道器件，接触孔必须在源N+区两边各覆盖0.5μm，对于P沟道器件，接触孔必须在源P+区两边各覆盖0.5μm，这样无法进一步缩小单元尺寸，提高单位面积的电流密度，导致芯片面积无法缩小。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，既可以提高单位面积的电流密度，又可以有效减小器件的米勒电容。

本实用新型采用以下技术方案：

一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，包括条形结构的N+衬底，N+衬底上设置有N-外延层，N-外延层上纵向设置有源N+扩散窗口，N-外延层的左右两侧沿源N+扩散窗口的纵向方向分别设置有栅氧化层，每个栅氧化层上依次设置有栅极多晶硅和栅源隔离层，源N+扩散窗口、源P+扩散窗口和接触孔设置在源极和栅极之间，源N+扩散窗口将源P+扩散窗口分隔成多个方形的元胞结构构成源极，栅极金属与多晶硅连接构成栅极，漏极金属与N+衬底连接构成漏极。

具体的，多晶硅的尺寸为4～10μm，厚度为

具体的，源N+扩散窗口为长方形结构，长为1～2μm，宽为0.8～1.5μm。

具体的，源P+扩散窗口为正方形结构，边长为1～2μm。

具体的，接触孔为正方形结构，边长为1～2μm。

具体的，20～40V的MOSFET/VDMOS的单位面积电流密度为6.4～7.2A/mm²；50～200V的MOSFET/VDMOS的单位面积电流密度为1.73～5.8A/mm²；250～600V的MOSFET/VDMOS结构的单位面积电流密度为0.65～1.66A/mm²。

与现有技术相比，本实用新型至少具有以下有益效果：

本实用新型一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，源N+的窗口可以设计到1.3μm，比原来缩小了0.4μm；源P+的窗口可以设计到2μm；接触孔窗口可以缩小到2μm，取消了接触孔与源N+区的重叠区域，在保证产品电参数的情况下，缩小了元胞尺寸，使单位面积内并联的元胞数目增多，从而提高了单位面积的电流密度。

下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本实用新型结构的单胞示意图：

图2为现有结构的单胞示意图。

其中,1.N+衬底；2.N-外延层；3.栅氧化层；4.栅极多晶硅；5.栅源隔离层；6.源N+扩散窗口；7.源P+扩散窗口；8.接触孔。

具体实施方式