[实用新型]一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构有效
| 申请号： | 201921288277.3 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN210073865U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 习毓;丁文华;周新棋;陈骞;单长玲;智晶 | 申请（专利权）人： | 西安卫光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散窗口 外延层 衬底 本实用新型 栅氧化层 元胞 源极 产品电参数 栅极多晶硅 漏极金属 条形结构 依次设置 元胞结构 栅极金属 纵向设置 左右两侧 多晶硅 隔离层 接触孔 内并联 漏极 栅源 分隔 保证 | ||
1.一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，其特征在于，包括条形结构的N+衬底(1)，N+衬底(1)上设置有N-外延层(2)，N-外延层(2)上纵向设置有源N+扩散窗口(6)，N-外延层(2)的左右两侧沿源N+扩散窗口(6)的纵向方向分别设置有栅氧化层(3)，每个栅氧化层(3)上依次设置有栅极多晶硅(4)和栅源隔离层(5)，源N+扩散窗口(6)、源P+扩散窗口(7)和接触孔(8)设置在源极和栅极之间，源N+扩散窗口(6)将源P+扩散窗口(7)分隔成多个方形的元胞结构构成源极，栅极金属与多晶硅(4)连接构成栅极，漏极金属与N+衬底(1)连接构成漏极。
2.根据权利要求1所述的提高单位面积电流密度的MOSFET结构，其特征在于，多晶硅(4)的尺寸为4～10μm，厚度为
3.根据权利要求1所述的提高单位面积电流密度的MOSFET结构，其特征在于，源N+扩散窗口(6)为长方形结构，长为1～2μm，宽为0.8～1.5μm。
4.根据权利要求1所述的提高单位面积电流密度的MOSFET结构，其特征在于，源P+扩散窗口(7)为正方形结构，边长为1～2μm。
5.根据权利要求1所述的提高单位面积电流密度的MOSFET结构，其特征在于，接触孔(8)为正方形结构，边长为1～2μm。
6.根据权利要求1所述的提高单位面积电流密度的MOSFET结构，其特征在于，20～40V的MOSFET/VDMOS的单位面积电流密度为6.4～7.2A/mm2；50～200V的MOSFET/VDMOS的单位面积电流密度为1.73～5.8A/mm2；250～600V的MOSFET/VDMOS结构的单位面积电流密度为0.65～1.66A/mm2。
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