[发明专利]一种高频吸收二极管芯片及其生产方法有效
| 申请号： | 201710028828.1 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN106711234B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 王兴龙;李述洲;陈亮;张力;潘宜虎 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 尹丽云 |
| 地址： | 405200*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高频吸收二极管芯片及其生产方法，该芯片包括衬底，衬底的上表面形成有外延层，外延层上设有基区窗口，基区窗口包括压点区以及位于压点区外围的分压区，外延层将压点区与分压区隔开，基区窗口上形成有第一离子扩散层，第一离子扩散层上设有发射区窗口，发射区窗口上形成有第二离子扩散层，压点区内的第一离子扩散层、第二离子扩散层的上表面设有钝化层，分压区内的第一离子扩散层上表面形成有氧化层，氧化层、钝化层均延伸至外延层的上表面。采用本发明的芯片特别适宜于RCD电路中尖峰吸收，同时，该工艺形成的芯片在125℃下的高温漏电流比传统扩散型二极管芯片小50%以上，缺陷率低，而且本工艺简单，易于实现批量化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 吸收 二极管 芯片 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高频吸收二极管芯片，包括衬底(1)，其特征在于，所述衬底(1)的上表面形成有外延层(2)，所述外延层(2)上设有基区窗口(4b)，所述基区窗口(4b)包括压点区(11)以及位于压点区(11)外围的分压区(12)，所述外延层(2)将压点区(11)与分压区(12)隔开，所述基区窗口(4b)内形成有第一离子扩散层(6a)，所述第一离子扩散层(6a)上设有发射区窗口(7b)，所述发射区窗口(7b)内形成有第二离子扩散层(8a)，所述压点区(11)内的第一离子扩散层(6a)、第二离子扩散层(8a)的上表面均设有钝化层(9)，分压区(12)内的第一离子扩散层(6a)上表面形成有氧化层(3)，所述氧化层(3)、钝化层(9)均延伸至外延层(2)的上表面，钝化层(9)将氧化层(3)与压点区(11)内的第一离子扩散层(6a)隔开，所述第一离子扩散层(6a)与所述第二离子扩散层(8a)的深度差为结深D，结深D的深度为3‑5μm。
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