[发明专利]LDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201911325026.2 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111128962B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文;陈华伦;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，涉及半导体制造技术领域。该LDMOS器件至少包括在衬底中的体区和漂移区，体区内设置有体接触区和源区，漂移区的一端设置有漏区；衬底表面还设置栅极，体接触区、源区、漏区和栅极分别通过接触孔引出层间介质层；层间介质层内还设置有通孔阵列，通孔阵列位于漂移区的上方；通孔阵列包括若干列通孔，每列包括若干个通孔，通孔的开口形状为正方形，通孔的开口尺寸小于接触孔的开口尺寸，通孔的开口尺寸按列逐渐减小；解决了传统的LDMOS器件的击穿电压受到器件尺寸的限制的问题；达到了提高LDMOS器件的击穿电压和可靠性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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