[发明专利]LDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201911325026.2 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111128962B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文;陈华伦;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种LDMOS器件，其特征在于，至少包括在衬底中的体区和漂移区，所述体区内设置有体接触区和源区，所述体接触区和所述源区之间设置有浅沟槽隔离，所述漂移区的一端设置有漏区；
所述衬底表面还设置有介质层，栅极位于所述介质层上方；
层间介质层覆盖所述衬底表面，所述体接触区、所述源区、所述漏区和所述栅极分别通过接触孔引出所述层间介质层；
所述层间介质层内还设置有通孔阵列，所述通孔阵列位于所述漂移区的上方且所述通孔阵列位于栅极结构的外侧；
其中，所述通孔阵列包括若干列通孔，每列包括若干个通孔，所述通孔的开口形状为正方形，所述通孔的开口尺寸小于所述接触孔的开口尺寸，所述通孔的开口尺寸按列逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，在所述通孔阵列中，同一列中通孔的开口尺寸相同，所述通孔的开口尺寸按列等比例缩小。
3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述体区和所述漂移区位于N型深阱的上方，所述N型深阱位于所述衬底中。
4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述介质层的材料为二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极两侧设置有栅极侧墙。
6.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述体接触区、所述源区、所述漏区和所述栅极的表面分别设置有硅化物合金层。
7.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述通孔和所述接触孔内填充有钨。
8.根据权利要求1至7任一所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件为N型LDMOS器件；
所述通孔阵列位于N型漂移区的上方。
9.根据权利要求1至7任一所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件为P型LDMOS器件；
所述通孔阵列位于P型漂移区的上方。
10.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底，在所述衬底上制作体区和漂移区；
在所述体区内制作体接触区和源区，在所述漂移区内制作漏区；所述体接触区和所述源区之间设置有浅沟槽隔离；
在所述衬底表面沉积介质层，并在所述介质层上方制作栅极；
沉积层间介质层；
在所述层间介质层刻蚀出接触孔和通孔阵列；所述接触孔与所述体接触区、所述源区、所述漏区分别接触，所述通孔阵列位于所述漂移区的上方且所述通孔阵列位于栅极结构的外侧；
其中，所述通孔阵列包括若干列通孔，每列包括若干个通孔，所述通孔的开口形状为正方形，所述通孔的开口尺寸小于所述接触孔的开口尺寸，所述通孔的开口尺寸按列逐渐减小。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述通孔阵列中，同一列中通孔的开口尺寸相同，所述通孔的开口尺寸按列等比例缩小。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述LDMOS器件为N型LDMOS器件；
所述通孔阵列位于N型漂移区的上方。
13.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述LDMOS器件为P型LDMOS器件；
所述通孔阵列位于P型漂移区的上方。
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