[发明专利]LDMOS器件及其制作方法

说明书

本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，涉及半导体制造技术领域。该LDMOS器件至少包括在衬底中的体区和漂移区，体区内设置有体接触区和源区，漂移区的一端设置有漏区；衬底表面还设置栅极，体接触区、源区、漏区和栅极分别通过接触孔引出层间介质层；层间介质层内还设置有通孔阵列，通孔阵列位于漂移区的上方；通孔阵列包括若干列通孔，每列包括若干个通孔，通孔的开口形状为正方形，通孔的开口尺寸小于接触孔的开口尺寸，通孔的开口尺寸按列逐渐减小；解决了传统的LDMOS器件的击穿电压受到器件尺寸的限制的问题；达到了提高LDMOS器件的击穿电压和可靠性的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种LDMOS器件及其制作方法。

背景技术

LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET，横向双扩散金属氧化物半导体场效应管)器件是一种常用的功率器件，击穿电压和导通电阻为衡量其性能的重要指标。

LDMOS器件追求高击穿电压及低导通电阻，然而在传统的LDMOS器件结构上，高击穿电压与低导通电阻互相钳制，提高击穿电压导致导通电阻增加，降低导通电阻导致击穿电压降低，只能在导通电阻和击穿电压之间取得一个平衡点。目前可通过采取栅极场板或金属层场板，提高击穿电压。

发明内容

为了解决相关技术的问题，本申请提供了一种LDMOS器件及其制作方法。该技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种LDMOS器件，至少包括在衬底中的体区和漂移区，体区内设置有体接触区和源区，体接触区和源区之间设置有浅沟槽隔离，漂移区的一端设置有漏区；

衬底表面还设置有介质层，栅极位于介质层上方；

层间介质层覆盖衬底表面，体接触区、源区、漏区和栅极分别通过接触孔引出层间介质层；

层间介质层内还设置有通孔阵列，通孔阵列位于漂移区的上方；

其中，通孔阵列包括若干列通孔，每列包括若干个通孔，通孔的开口形状为正方形，通孔的开口尺寸小于接触孔的开口尺寸，通孔的开口尺寸按列逐渐减小。

可选的，在通孔阵列中，同一列中通孔的开口尺寸相同，通孔的开口尺寸按列等比例缩小。

可选的，体区和漂移区位于N型深阱的上方。

可选的，介质层的材料为二氧化硅。

可选的，栅极两侧设置有栅极侧墙。

可选的，体接触区、源区、漏区和栅极的表面分别设置有硅化物合金层。

可选的，通孔和接触孔内填充有钨。

可选的，LDMOS器件为N型LDMOS器件；

通孔阵列位于N型漂移区的上方。

可选的，LDMOS器件为P型LDMOS器件；

所述通孔阵列位于所述P型漂移区的上方。

第二方面，本申请实施例提供了一种LDMOS器件的制作方法，该方法包括：

提供一衬底，在衬底上制作体区和漂移区；

在体区内制作体接触区和源区，在漂移区内制作漏区；体接触区和源区之间设置有浅沟槽隔离；

在衬底表面沉积介质层，并在介质层上方制作栅极；

沉积层间介质层；

在层间介质层刻蚀出接触孔和通孔阵列；接触孔与体接触区、源区、漏区分别接触，通孔阵列位于漂移区的上方；