[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201910854463.7 申请日: 2019-09-10
公开(公告)号: CN111276482B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 细谷启司;荒井史隆;中塚圭祐 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H10B69/00 分类号: H10B69/00;H10B43/00;H10B43/35
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含:导电层,包含第1部分、及与其电连接的第2部分;第1接触插塞,与第1部分电连接;第1半导体层;第1绝缘层,设置于第2部分与第1半导体层之间、及第1部分与第1半导体层之间;第2接触插塞,在形成有第1绝缘层的区域内与第1半导体层连接;第1配线;及第1存储单元,为了在第1半导体层与第1配线之间存储信息,而设置于与第2部分隔开的位置。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
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