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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种旋挖孔桩施工防护结构-CN202320703764.1有效
发明人：黄春涛;梁明财;冉景军;邹远祥;苏绍飞 -专利权人：贵州化工建设有限责任公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： E02D13/08 文献下载
摘要：本实用新型属于施工防护装置技术领域，且公开了一种旋挖孔桩施工防护结构，包括防护壳，所述防护壳外侧底部的四周均开设有槽口，所述防护壳外侧底部的四周均固定连接有固定板，所述防护壳内腔的中部开设有凹槽，所述凹槽的内部活动连接有齿轮环。本实用新型通过设置齿轮环、出渣板、驱动电机、活动齿轮和斜块，当驱动电机运行时，可以通过转轴使得活动齿轮发生转动，通过齿轮环和活动齿轮之间的配合，将会使得出渣板发生转动，出渣板的转动可以对泥土进行搅动，使得泥土可以通过槽口从固定板排出，斜块可以使得齿轮环上方的泥土落下，从而可以达到出渣的效果，使得泥土不会在防护壳的内部堆积，最后回填到基桩孔的内部。
一种旋挖孔桩施工防护结构

[发明专利]3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置-CN202280001750.3在审
发明人：李锋锐;张硕;邹远祥;张伟;周毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B69/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置。根据本申请实施例的3D存储器件包括衬底；叠层结构，位于所述衬底上方，用于形成存储阵列；沟道孔，设置在所述叠层结构上；以及阻挡层，设置在所述沟道孔中，用于阻挡第一波长范围内的信号。根据本申请实施例的3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置，能够准确量测3D存储器件的薄膜厚度。
存储器件及其方法薄膜装置

[发明专利]用于半导体芯片孔几何形状度量的系统和方法-CN202080000563.4有效
发明人：王乐;邹远祥;张珺;张伟;周毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：公开了用于测量半导体芯片中的孔结构的几何属性的系统(400)和方法的实施例。接收与半导体芯片中的孔结构相对应的光学光谱信号(412)。该光学光谱信号(412)由一个或多个光学特征来表征。使用模型(408)，至少部分地基于光学特征来确定孔结构的几何属性。从多个训练样本来训练模型(408)，每个所述训练样本包括与相同孔结构相对应的一对光学光谱信号(412)和标记的参考信号(416)。
用于半导体芯片几何形状度量系统方法

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN202110197926.4有效
发明人：郎陆广;陈龙;邹远祥;李斌;张伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器件及其制造方法。根据本发明实施例的存储器件的制造方法包括在衬底上形成底部叠层结构，底部叠层结构包括至少一层隔离层和至少一层牺牲层；对底部叠层结构和衬底进行刻蚀，形成第一沟道孔；在底部叠层结构上形成牺牲叠层结构；牺牲叠层结构包括交替堆叠的第三牺牲层和第三隔离层；对牺牲叠层结构进行刻蚀，形成第二沟道孔，第二沟道孔与第一沟道孔相连通；在第一沟道孔和第二沟道孔中形成沟道柱；以及将至少一层牺牲层和第三牺牲层替换为栅极导体，得到堆叠在衬底上方的第一叠层结构和第二叠层结构。根据本发明实施例的存储器件及其制造方法，简化了器件的结构，简化了制造的工艺，且降低了成本。
存储器件及其制造方法

[发明专利]3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置-CN202111599056.X在审
发明人：李锋锐;张硕;邹远祥;张伟;周毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置。根据本发明实施例的3D存储器件包括衬底；叠层结构，位于所述衬底上方，用于形成存储阵列；沟道孔，设置在所述叠层结构上；以及阻挡层，设置在所述沟道孔中，用于阻挡第一波长范围内的信号。根据本发明实施例的3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置，能够准确量测3D存储器件的薄膜厚度。
存储器件及其方法薄膜装置

[发明专利]一种测量方法和3D存储器件-CN202110460001.4有效
发明人：李锋锐;邹远祥;张伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种测量方法和3D存储器件。该测量方法包括：形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层与多个层间绝缘层，所述叠层结构包括存储区和测量区；刻蚀所述叠层结构，在所述存储区形成台阶结构；在所述测量区形成周期性结构；刻蚀形成贯穿所述台阶结构的多个第一假沟道孔和贯穿所述周期性结构的多个第二假沟道孔；采用生长工艺在所述第一假沟道孔底部生长第一外延层，在所述第二假沟道孔底部生长第二外延层；以及利用所述第二假沟道孔测量所述第二外延层的高度。用不作为器件存储区的测量区的第二外延层的高度来等同存储区的第一外延层的高度，能够降低测量难度。
一种测量方法存储器件

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202111188320.0在审
发明人：郎陆广;陈龙;邹远祥 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器的制造方法包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的第一牺牲层和层间绝缘层，所述堆叠层包括阶梯区域，所述堆叠层在所述阶梯区域包括若干层阶梯，所述阶梯暴露至少部分所述第一牺牲层；形成覆盖至少部分所述阶梯的侧壁的隔离侧墙；形成覆盖所述阶梯的顶面的第二牺牲层；去除所述隔离侧墙，于所述第二牺牲层与所述阶梯的侧壁之间形成空隙。本发明实现了相邻两层所述第一牺牲层之间的隔离，降低了相邻两层栅极层之间发生短路的概率，提高了三维存储器的良率。
三维存储器及其制造方法

[发明专利]3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置-CN202110147527.7有效
发明人：李锋锐;张硕;邹远祥;张伟;周毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置。根据本发明实施例的3D存储器件包括衬底；叠层结构，位于所述衬底上方，用于形成存储阵列；沟道孔，设置在所述叠层结构上；以及阻挡层，设置在所述沟道孔中，用于阻挡波长在第一范围内的信号其中，所述叠层结构包括第一叠层结构，位于所述衬底上方，用于形成存储阵列；第二叠层结构，位于所述第一叠层结构上方，用于形成存储阵列；所述沟道孔包括：第一沟道孔，设置在所述第一叠层结构中，其中，所述阻挡层设置在所述第一沟道孔中。根据本发明实施例的3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置，能够准确量测3D存储器件的薄膜厚度。
存储器件及其方法薄膜装置

[发明专利]开口形貌的测量方法及装置-CN202010699066.X有效
发明人：郎陆广;李斌;陈龙;邹远祥;张伟;周毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种开口形貌的测量方法及装置。所述方法包括：构建目标区域的二维等效模型，所述目标区域包括膜层以及设置于所述膜层中的开口；获取所述目标区域的实际光谱；根据所述实际光谱，调整所述二维等效模型的模型参数；根据调整后的模型参数，确定所述开口在所述膜层中的形貌。本发明实施例能够inline测量开口的形貌，且测量准确，测量难度低，耗时短，成本低。
开口形貌测量方法装置

[发明专利]用于薄膜叠层的量测系统及方法-CN202110197927.9在审
发明人： 邹远祥;李锋锐;张伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于薄膜叠层的量测系统及方法。根据本发明实施例的用于薄膜叠层的量测系统，针对的薄膜叠层包括待测薄膜层和非待测薄膜层，量测系统包括发射装置，用于向薄膜叠层发射检测信号，检测信号经过薄膜叠层得到第一量测信号；其中，第一量测信号包括经过待测薄膜层得到的第二量测信号和经过非待测薄膜层得到的一个或多个第三量测信号；阻挡装置，位于第三量测信号的传输路径上，用于阻挡第三量测信号；以及接收装置，用于接收第二量测信号，其中，量测系统根据第二量测信号得到待测薄膜层的量测厚度。根据本发明实施例的用于薄膜叠层的量测系统及方法，量测效率高，且准确性好。
用于薄膜系统方法

[实用新型]电光材料柱状透镜阵列结构与显示装置-CN201721060644.5有效
发明人：石晶晶;邹远祥;葛长军 -专利权人：张家港康得新光电材料有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G02B27/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种电光材料柱状透镜阵列结构与显示装置。该电光材料柱状透镜阵列结构包括第一导电基板、第二导电基板、凸透镜组件、密封部、多个电光材料分子以及多个凸起，凸起设置在第二导电基板的靠近电光材料分子的表面上，设置凸起的第二导电基板的表面包括中间区域与边缘区域，中间区域上的凸起的数量密度大于边缘区域上的凸起的数量密度。该结构中，可以很好地控制第二导电基板的变形程度，防止其严重变形，较好地保证电光材料柱状透镜阵列结构能够保持较好的显示效果，且边缘区域中的突起的数量密度较小，使得第二导电基板上的突起的平均密度较低，能够缓解由于突起密度较高导致的光的透过率下降的问题。
电光材料柱状透镜阵列结构显示装置

[实用新型]液晶盒及2D/3D可切换显示装置-CN201720595677.3有效
发明人： 邹远祥;石晶晶;刘明礼 -专利权人：张家港康得新光电材料有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： G02B27/22 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种液晶盒及2D/3D可切换显示装置。该液晶盒包括第一基板，第一基板包括第一电极层；第二基板，第二基板包括第二电极层，第一电极层和第二电极层相对设置；密封部，密封部设置在第一基板、第二基板之间，且第一基板、第二基板与密封部形成密闭空间，密闭空间用于放置液晶材料；阻隔部，用于将第一电极层分为第一电极区域和第二电极区域，密封部由导通段和非导通段连接组成，导通段包括第一密封胶和导电材料，导通段设置在第一电极区域，非导通段设置在第二电极区域并延伸至第一电极区域，且导通段的长度大于非导通段的长度。将导通段的长度大于非导通段能够提高导通段的长度，并降低第一基板和第二基板间导通不良的风险。
液晶切换显示装置

[实用新型]背光模组与显示装置-CN201621194333.3有效
发明人： 邹远祥;刘明礼;石晶晶 -专利权人：张家港康得新光电材料有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本申请提供了一种背光模组与显示装置。该背光模组包括光源、导光板与量子点层，其中，导光板设置在光源的一侧，且导光板包括入光面和与入光面相对的相对面，入光面与光源相对，入光面具有突起部，突起部朝向相对面突出；量子点层设置在入光面的朝向光源的表面上。该背光模组缓解了由发光暗区导致的混光不均匀的现象，进而缓解了显示装置上出现的明暗相间的现象，保证了显示装置具有较好的出光画面。
背光模组显示装置

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