“秦健鹰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种存储器件、电子设备-CN202080107461.2在审
发明人： 秦健鹰;杨喜超;李小波;胡小剑 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种存储器件、电子设备，在存储器件中，铁电层(113)、与铁电层(113)接触的第一导体层(112)、与铁电层(113)接触的导体结构(116)可以构成一个存储单元，铁电层(113)、与铁电层(113)接触的第二导体层(114)、与铁电层(113)接触的导体结构(116)可以构成一个存储单元，实现铁电存储器的三维化，一层铁电层(113)中可以用于形成两个存储单元，实现了存储容量的进一步提升。隔离结构(115)尺寸较大，相较于深孔而言刻蚀难度小，导体结构(116)所在的深孔形成时的刻蚀对象是绝缘材料的隔离结构，避开了难刻蚀的铁电层(116)和导体层(112)，因此其刻蚀精度更高，将深孔设置在隔离结构(115)之内，在保证器件功能的前提下节省了器件面积，提高器件集成度，使三维的铁电存储器具有更加优异的性能。
一种存储器件电子设备

[发明专利]一种铁电存储器及电子设备-CN202080104665.0在审
发明人：江安全;杨喜超;张岩;江钧;汪超;魏侠;秦健鹰 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种铁电存储器及电子设备，涉及铁电存储技术领域，用于对铁电存储元件(20)的开启电压进行调节。该铁电存储器包括基底(200)以及设置在基底(200)上的第一电压线、第二电压线以及铁电存储元件(20)；铁电存储元件(20)包括设置在基底(200)上的铁电薄膜层(201)；铁电薄膜层(201)包括向远离基底(200)一侧凸起的铁电存储单元(2011)；铁电存储元件(20)还包括相对设置于铁电存储单元(2011)两侧的第一电极(202)和第二电极(203)；第一电极(202)与铁电存储单元(2011)的第一表面和侧面均接触，第二电极(203)与铁电存储单元(2011)的第一表面和/或侧面接触；第一表面为铁电存储单元(2011)的与基底(200)平行且远离基底(200)的表面；其中，第一电极(202)与第一电压线电连接；第二电极(203)与第二电压线电连接。
一种存储器电子设备

[发明专利]三维存储器及其制备方法、电子设备-CN202080103591.9在审
发明人：江安全;杨喜超;张岩;江钧;柴晓杰;魏侠;秦健鹰 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10B53/50 文献下载
摘要：一种三维存储器及其制备方法、电子设备。三维存储器包括互连的第一芯片和第二芯片。第一芯片包括层叠设置的三维存储阵列和第一键合层，第一键合层中的多个第一表面电极与三维存储阵列对应耦接。第二芯片包括层叠设置的读写电路和第二键合层，第二键合层中的多个第二表面电极与读写电路对应耦接。第一芯片和第二芯片的互连，通过第一键合层和第二键合层的键合实现。并且，第一键合层中的第一表面电极与第二键合层中的第二表面电极一一对应的耦接。
三维存储器及其制备方法电子设备

[发明专利]一种存储器件及其制造方法、电子设备-CN202080102949.6在审
发明人：李小波;秦健鹰;杨喜超;胡小剑 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B69/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种存储器件及其制造方法、电子设备，存储器件包括衬底、衬底上的存储层、贯穿存储层的隔离沟槽、隔离沟槽中填充的绝缘材料、纵向贯穿绝缘材料的导体塞，存储层可以包括交替层叠的多层铁电层和多层导体层，在隔离沟槽的侧壁上，铁电层具有凸出导体层的凸出部分，导体塞与铁电层的凸出部分接触，而与导体层通过绝缘材料隔离开，这样铁电层、与铁电层接触的导体层、与铁电层接触的导体塞可以构成一个存储单元，互不接触的导体层和导体塞可以作为两个电极，也就是说，本申请实施例中通过铁电层和导体层的堆叠实现铁电存储器的三维化，提高器件的存储密度，同时降低刻蚀难度，提高刻蚀精度以及可靠性，提高器件性能。
一种存储器件及其制造方法电子设备

[发明专利]一种铁电存储器及电子设备-CN202080103171.0在审
发明人： 秦健鹰;杨喜超;李小波;胡小剑 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种铁电存储器(1)及电子设备，铁电存储器(1)包括：至少一个存储单元(10)；存储单元(10)包括：外侧电极(101)、中心电极(102)，以及铁电结构(103)；铁电结构(103)包括：铁电材料，以及在第一方向(F1)上贯穿铁电材料的通孔(U)；中心电极(102)为位于通孔(U)内的条状结构；外侧电极(101)包围部分铁电结构(103)；铁电结构(103)的初始电极化方向(T)为平行于第一平面的任一方向，第一平面为垂直于第一方向(F1)且穿过外侧电极(101)的平面。铁电存储器(1)将外侧电极(101)设置为包围部分铁电结构(103)，中心电极(102)位于铁电结构(103)的通孔(U)内，在铁电存储器(1)的制作过程中，只要使铁电结构(103)的初始极化方向(T)平行于第一平面即可，无需精确设计和计算铁电材料的极化方向和微纳加工方向，对加工精度的要求较低，制作工艺的难度较小。
一种存储器电子设备

[发明专利]一种铁电存储器及其制作方法、电子设备-CN202080098833.X在审
发明人：杨喜超;王小渭;秦健鹰;张岩;魏侠 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-05-30 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/11514 文献下载
摘要：一种铁电存储器及其制作方法、电子设备，涉及存储技术领域，用于改善随FRAM堆叠数量的增加，工艺步骤的数量以及成本随之增加的问题。铁电存储器包括衬底以及S个存储单元阵列。上述S个存储单元阵列可以沿与衬底平行的第一方向依次排列于衬底上，相邻两个存储单元阵列之间设置有隔离沟槽。在制作上述铁电存储器时，可以在衬底上制作复合层叠结构，然后在同一次制作工艺中制作贯穿上述复合层叠结构的多个上述隔离沟槽。接下来，可以在同一次制作工艺中制作M条位线。然后在同一次制作工艺中制作N个第一层间字线，从而同时完成S个存储单元阵列的制作。
一种存储器及其制作方法电子设备

[发明专利]一种多层薄膜制备方法及多层薄膜-CN202080098589.7在审
发明人： 秦健鹰;杨喜超;邢彦敏;张岩;魏侠 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本申请公开了一种多层薄膜制备方法及多层薄膜，其中方法主要包括：制备第一材料层，进而在第一材料层的表面层叠设置多个第二材料层。本申请实施例中，每个第二材料层包括第二衬底，第二衬底由铁电单晶材料构成。采用上述方法，可以在多层薄膜中制备多个由铁电单晶材料构成的薄膜层，有利于扩大铁电单晶材料在多层薄膜中的应用。
一种多层薄膜制备方法

[发明专利]三维铁电存储器及电子设备-CN202080098708.9在审
发明人：魏侠;杨喜超;张岩;秦健鹰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/11504 文献下载
摘要：本申请实施例属于存储设备技术领域，具体涉及一种三维铁电存储器及电子设备。本申请实施例旨在解决相关技术中三维铁电存储器的尺寸较大，难以实现三维铁电存储器的小型化的问题。本申请实施的三维铁电存储器及电子设备，存储层包括参考层，在参考层背离基底的一侧设置有第一介质层，第一介质层包括多个间隔设置的第一存储块，在参考层朝向基底的一侧设置有第二介质层，第二介质层包括多个间隔设置的第二存储块；第一介质层和第二介质层共用一个参考层，与一个参考层对应设置一个介质层相比，减少了参考层的数量，进而在垂直于基底的方向减小了三维铁电存储器的尺寸，进而减小了三维铁电存储器的体积，实现了三维铁电存储器的小型化。
三维存储器电子设备

[发明专利]平面存储器、立体存储器以及电子设备-CN202080095820.7在审
发明人： 秦健鹰;杨喜超;张岩;魏侠 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种平面存储器、立体存储器以及电子设备，涉及存储器技术领域，用于减少平面存储器中存储单元的电极数量，简化平面存储器的结构。该平面存储器包括铁电薄膜以及相对设置于铁电薄膜两侧的第一电极和第二电极，铁电薄膜具有相对的第一表面和第二表面，第一电极设置于第一表面，第二电极设置于第二表面；铁电薄膜包括工作区以及与工作区邻接的参考区，读写信息时工作区的电极化方向与相邻的参考区的电极化方向相反或相同。
平面存储器立体以及电子设备

[发明专利]一种三维铁电存储器、制作方法及电子设备-CN202080092634.8在审
发明人：张岩;杨喜超;魏侠;秦健鹰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维铁电存储器的制作方法，该方法能够在保证三维铁电存储器具有较好的耐久性，同时又能降低三维铁电存储器制作过程中的刻蚀难度。该方法包括：在衬底上形成堆叠层，该堆叠层包括堆叠且交替设置的隔离层和牺牲层；在堆叠层中设置多列第一电压线，在多列第一电压线中任意相邻的两列第一电压线之间设置隔离凹槽；刻蚀掉堆叠层中的牺牲层，并形成与隔离层堆叠且交替设置的金属层以得到存储层，金属层包括铁电层和多个第二电压线，铁电层包围多个第二电压线和多列第一电压线位于金属层的部分，以使金属层中形成MFM结构，保证了该三维铁电存储器的耐久性。同时由于牺牲层为易腐蚀的材料，从而可以降低制作过程中的刻蚀难度。
一种三维存储器制作方法电子设备

[发明专利]铁电存储器以及电子设备-CN202080090641.4在审
发明人：张岩;杨喜超;魏侠;秦健鹰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：一种铁电存储器(100)和电子设备，该铁电存储器(100)包括铁电存储单元(10)、第一电压线(m)和第二电压线(n)，铁电存储单元(10)包括铁电薄膜层(101)、第一电极(102)和第二电极(103)；所述第一电极(102)与所述第一电压线(m)连接，所述第二电极(103)与所述第二电压线(n)连接；所述第一电极(102)和所述第二电极(103)之间由所述铁电薄膜层(101)间隔开；沿所述铁电薄膜层(101)的厚度方向，第一电极(102)包括第一表面和第二表面，第二电极(103)包括第一表面和第二表面，第一电极(102)的第一表面和第二电极(103)的第一表面位于同一侧，第一电极(102)的第二表面和第二电极(103)的第二表面位于同一侧；其中，第一电极(102)的第二表面与第二电极(103)的第二表面位于不同的水平面。从而可以增强第一电极(102)和第二电极(103)之间的铁电薄膜层(101)所形成的电畴壁(104)的电导率，提高铁电存储器(100)的读写速度。
存储器以及电子设备

[发明专利]一种自旋逻辑器件、电路、控制方法及处理装置-CN201980101520.2在审
发明人： 秦健鹰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种自旋逻辑器件，涉及电路技术领域，该自旋逻辑器件包括依次层叠设置的第一铁磁层、第一势垒层、固定层、第二势垒层、以及第二铁磁层，其中第一铁磁层和第二铁磁层包括磁性材料；第一势垒层和第二势垒层包括金属氧化物材料；固定层的磁化方向为固定方向。该逻辑器件依赖于磁性隧道结而实现了电流密度低、运行速度高、功耗低。还涉及一种自旋逻辑电路、控制方法及处理装置。
一种自旋逻辑器件电路控制方法处理装置

[发明专利]一种MTJ单元、VCMA驱动方法及MRAM-CN201980100753.0在审
发明人： 秦健鹰;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种MTJ单元、VCMA驱动方法及MRAM，其中，MTJ单元中自由层(101)的稳定磁矩方向和参考层(103)的磁矩方向之间存在夹角，且夹角大于0度，小于180度，不等于90度。在采用VCMA驱动方案写入数据时，该MTJ单元可以消耗较少的电能，因此该MTJ单元具有较低的功耗。
一种 mtj 单元 vcma 驱动方法 mram

[发明专利]包括环形磁性隧道结的自旋转移力矩磁随机存取存储器-CN201510634769.3有效
发明人：韩秀峰;秦健鹰;刘厚方;章尧君;郭鹏;陈怡然;李海;魏红祥;丰家峰;詹文山 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及包括环形磁性隧道结的自旋转移力矩型磁随机存取存储器。一种磁随机存取存储器可以具有多个存储单元，所述多个存储单元排列成行和列的阵列，每个存储单元包括：第一晶体管和第二晶体管，二者的源级彼此连接；第三晶体管和第四晶体管，二者的漏极分别连接到第一晶体管和第二晶体管的漏极，二者的源级彼此连接；以及磁性隧道结，其连接在第一晶体管和第三晶体管的漏极与第二晶体管和第四晶体管的漏极之间。
包括环形磁性隧道自旋转移力矩随机存取存储器

1
共 14 条