[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201910802324.X 申请日: 2019-08-28
公开(公告)号: CN111725175A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 竹本康男 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/485;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据一个实施方式,实施方式的半导体装置(100)具备:第一布线层(1),具有第一面、及与第一面对向的第二面;第一半导体元件(2),搭载于第一布线层(1)的第一面侧;导电性柱(3),设置于第一布线层(1)的第一面侧,具有第一半导体元件(2)的厚度以上的高度;第二布线层(5),具有第三面、及与第三面对向的第四面,设置于导电性柱(3)上,且在第四面侧接合于导电性柱(3);第二半导体元件(6),搭载于第二布线层(5)的第三面侧,通过第一接合线(7)与第二布线层(5)连接;第一密封材(4),将第一布线层(1)的第一面、第一半导体元件(2)、导电性柱(3)及第二布线层(5)的第四面密封;及第二密封材(8),将第二布线层(5)的第三面、第二半导体元件(6)及第一接合线(7)密封。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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