[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201910802324.X 申请日: 2019-08-28
公开(公告)号: CN111725175A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 竹本康男 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/485;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具备:第一布线层,具有第一面、及与所述第一面对向的第二面;第一半导体元件,搭载于所述第一布线层的所述第一面侧;导电性柱,设置于所述第一布线层的所述第一面侧,具有所述第一半导体元件的厚度以上的高度;第二布线层,具有第三面、及与所述第三面对向的第四面,设置于导电性柱上,且在所述第四面侧接合于所述导电性柱;第二半导体元件,搭载于所述第二布线层的所述第三面侧,通过第一接合线与所述第二布线层连接;第一密封材,将所述第一布线层的第一面、所述第一半导体元件、所述导电性柱及所述第二布线层的第四面密封;及第二密封材,将所述第二布线层的第三面、所述第二半导体元件及所述第一接合线密封。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一半导体元件为控制器元件,所述第二半导体元件为存储器元件。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,还具有存储器元件,该存储器元件是在所述第二半导体元件上搭载有1个以上的第三半导体元件;且所述第二半导体元件与所述第三半导体元件通过第二接合线而连接。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,还具有存储器元件,该存储器元件是搭载于所述第二布线层的所述第三面上的第四半导体元件;且所述第四半导体元件与所述第二布线层通过第三接合线而连接。

5.一种半导体装置的制造方法,包含:

第一步骤,在玻璃衬底上设置第一布线层、第一半导体元件、导电性柱及第一密封材;第二步骤,第一步骤后,在所述第一密封材上形成第二布线层、第二半导体元件、第一接合线及第二密封材;及如下所述的步骤,第二步骤后,将所述衬底剥离,在所述衬底已被剥离的面形成电极部。

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