[发明专利]防止水汽扩散的布线层及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910707310.X 申请日: 2019-08-01
公开(公告)号: CN110534535A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 马敬;金子貴昭 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 孙佳胤<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种防止水汽扩散的布线层及其制备方法,所述防止水汽扩散的布线层包括至少一功能区及至少一非功能区,绝缘衬底自所述功能区延伸至所述非功能区,在所述非功能区,在所述绝缘衬底内设置有至少一隔离条,所述隔离条隔离功能区与非功能区,以避免非功能区的水汽扩散至功能区。本发明的优点在于,在非功能区形成隔离条,所述隔离条能够阻挡制作布线层的过程中残留在非功能区的水汽,使其不能够自非功能区扩散至功能区,从而避免水汽侵蚀功能区的导线等构件,提高布线层的性能。
搜索关键词: 非功能区 功能区 布线层 隔离条 水汽扩散 水汽 衬底 绝缘 隔离功能 与非 制备 残留 阻挡 扩散 侵蚀 延伸 制作
【主权项】:
1.一种防止水汽扩散的布线层,其特征在于,所述布线层包括至少一功能区及至少一非功能区,绝缘衬底自所述功能区延伸至所述非功能区,在所述非功能区,在所述绝缘衬底内设置有至少一隔离条,所述隔离条隔离功能区与非功能区,以避免非功能区的水汽扩散至功能区。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910707310.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 摄像面板及其制造方法-201910693584.8
  • 美崎克纪 - 夏普株式会社
  • 2019-07-30 - 2020-02-14 - H01L27/146
  • 摄像面板在基板的一面侧包括光电转换层(15)。另外,摄像面板包括:电极(14b),其与光电转换层(15)的一个面连接;偏置布线(16),其与电极(14b)连接;以及保护膜(17),其由对含有氢氟酸的蚀刻剂具有耐蚀性的材料构成,且覆盖偏置布线(16)的侧面。
  • 背照式时间延迟积分图像传感器及其形成方法-201911071212.8
  • 胡万景;王林;黄金德 - 昆山锐芯微电子有限公司
  • 2019-11-05 - 2020-02-14 - H01L27/146
  • 一种背照式时间延迟积分图像传感器及其形成方法,其中背照式时间延迟积分图像传感器包括:基底,所述基底包括相对的第一面和第二面,所述基底包括若干光电掺杂区,且所述第一面暴露出所述光电掺杂区表面;位于所述第一面上的电路器件层;位于第二面上的抗反射增透层,且所述抗反射增透层覆盖若干所述光电掺杂区。所述背照式时间延迟积分图像传感器的性能较高。
  • 像素结构、互补金属氧化物半导体图像传感器和终端-201911111747.3
  • 杨鑫 - OPPO广东移动通信有限公司
  • 2019-11-14 - 2020-02-14 - H01L27/146
  • 本申请实施例公开了一种像素结构,该像素结构包括第一层光电二极管、第二层光电二极管、第一读出电路和第二读出电路,第一层光电二极管包括两种光电二极管,第二层光电二极管放置于第一层光电二极管的一侧,第二层光电二极管包括一种光电二极管,第一读出电路读出第一层光电二极管对应的两种特定波长的光对应的电信号,第二读出电路读出第二层光电二极管对应的一种特定波长的光对应的电信号。本申请实施例还同时提供了一种互补金属氧化物半导体传感器和终端。
  • 图像传感器单元及其制备方法-201911259163.0
  • 范春晖 - 上海微阱电子科技有限公司
  • 2019-12-10 - 2020-02-14 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种图像传感器单元及其制备方法,图像传感器单元包括形成于衬底的有源区上且相连接的光电二极管和浮置扩散区,以及形成于有源区边界上的浅槽隔离区,浮置扩散区的边界与浅槽隔离区的边界之间具有间隙,第一保护区形成于所述间隙中,第一保护区具有与浮置扩散区相反的掺杂类型,并与浮置扩散区形成PN结,用于对浮置扩散区和浅槽隔离区进行隔离,和/或第二保护区形成于浮置扩散区的底部,第二保护区具有与浮置扩散区相反的掺杂类型,并与浮置扩散区形成PN结,用于对浮置扩散区和衬底进行隔离。本发明能够有效降低浮置扩散区节点电容的寄生漏电和噪声。
  • 一种背照式CMOS图像传感器结构的制作方法-201710952663.7
  • 葛星晨 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2017-10-13 - 2020-02-14 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器结构的制作方法,包括:提供一已完成正面工艺和背部减薄的硅衬底;在所述硅衬底背面形成网格状的深槽;在所述深槽的内壁表面形成绝缘层,以形成网格状的深槽隔离结构;在所述绝缘层的表面形成扩散阻挡层;在所述深槽中进行金属填充,以形成金属栅与深槽隔离相结合的网格状复合结构。本发明采用对深槽隔离结构和金属栅一次成型的方法,可避开传统工艺中深槽隔离结构与金属栅两者需要高精度对准的要求,并可使深槽隔离结构同时起到金属栅的作用,从而不仅提高了材料的利用率,节约了成本,还降低了工艺难度,提高了生产效率。
  • 深度摄像器件及制造方法、显示面板及制造方法、装置-201711013369.6
  • 王鹏鹏;王海生;丁小梁;郑智仁;韩艳玲;李扬冰;曹学友;刘伟;张平 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-10-26 - 2020-02-14 - H01L27/146
  • 本发明提供一种深度摄像器件及其制造方法、显示面板及其制造方法、装置,该深度摄像器件制造方法包括:在基板上形成深度摄像头的接收单元的红外光敏器件;在该基板上的第一像素定义层上形成该深度摄像头的衍射单元的红外发光器件;在红外光敏器件和红外发光器件上形成封装层,并在封装层上形成第一光敏胶层;在第一光敏胶层上形成衍射单元的准直器件,准直器件和红外发光器件在基板上的正投影部分重叠;在准直器件上形成绝缘层,并在绝缘层上形成第二光敏胶层;在第二光敏胶层上形成衍射单元的衍射光学器件,衍射光学器件和准直器件在基板上的正投影重叠。本发明通过在基板上集成小型化的深度摄像头,从而实现了通过较低成本进行深度信息采集。
  • 谐振腔增强的图像传感器-201880036585.9
  • 吉·迈南 - AMS有限公司
  • 2018-05-24 - 2020-02-14 - H01L27/146
  • 一种半导体图像传感器器件,包括具有主表面(MS)和相对的后表面(RS)的半导体层(SL),以及主表面上的电荷载流子生成部件(CG)。电荷载流子生成部件布置在半导体层外的顶部反射层(R1)与底部反射层(R2)之间。
  • 包括虚设像素的图像感测装置-201811517356.7
  • 曹成旭 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-12-12 - 2020-02-11 - H01L27/146
  • 包括虚设像素的图像感测装置。公开了一种图像感测装置,在该图像感测装置中,在虚设像素区域中形成覆盖像素。该图像感测装置包括:包含第一微透镜的第一虚设像素区域、围绕第一虚设像素区域并且形成为没有微透镜的第二虚设像素区域以及围绕第二虚设像素区域并且包括多个第二微透镜的第三虚设像素区域。第一微透镜的中心点与第一光电转换元件的中心点对齐,并且第二微透镜的中心点相对于第三光电转换元件的中心点在特定方向上偏移。
  • 具有用于参考像素的选择性光屏蔽的图像传感器-201910640080.X
  • 李允基;金范锡;朴钟勋;朴俊城 - 三星电子株式会社
  • 2019-07-16 - 2020-02-11 - H01L27/146
  • 图像传感器包括光电转换层,该光电转换层包括多个第一光电转换元件和与第一光电转换元件相邻的多个第二光电转换元件。遮光层屏蔽第二光电转换元件并且在其中具有相应的开口,该相应的开口向第一光电转换元件中的相应第一光电转换元件提供光传输。图像传感器还包括位于光电转换层上的微透镜的阵列,每个微透镜与第一光电转换元件中的至少一个和第二光电转换元件中的至少一个重叠。
  • 一种探测面板、其制作方法及检测装置-201911056697.3
  • 赵斌;徐帅;徐晓娜 - 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司
  • 2019-10-31 - 2020-02-11 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种探测面板、其制作方法及检测装置,该探测面板包括:衬底基板,位于衬底基板之上的检测电路,位于检测电路之上、且与检测电路电连接的光电转换结构,以及位于光电转换结构之上、且与光电转换结构电连接的偏置电压层;偏置电压层具有网格状结构。本发明通过将偏置电压层设置成网格状结构,当由于检测人员触碰探测面板表面或由于探测面板清洗工艺不完全造成静电聚集于探测面板表面时,网格状结构的偏置电压层可以将静电及时疏导出,避免静电聚集于探测面板表面,提升探测面板抵抗ESD的能力及减少静电类Mura不良,进而改善探测面板表面由于静电积累导致接触性不良的问题。
  • 一种半导体器件及其制备方法和电子装置-201610255203.4
  • 王伟;郑超 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2016-04-22 - 2020-02-11 - H01L27/146
  • 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法和电子装置。所述方法包括:提供晶圆,在所述晶圆上形成有若干相互间隔的图像传感器器件;在所述晶圆和所述图像传感器器件的上方隔离地形成涂覆支撑结构,以在所述涂覆支撑结构与所述晶圆之间形成隔离空间,并且所述涂覆支撑结构中形成有孔结构;在所述涂覆支撑结构上涂覆干燥固化胶并填充所述孔结构;在所述孔结构的上方通过空气喷枪将所述孔结构中的所述干燥固化胶喷射至所述晶圆上,以形成环绕所述图像传感器器件的保护环。所述方法避免了所述涂覆支撑结构(例如金属滤网)与所述晶圆和所述图形传感器器件直接接触,避免了工艺过程造成晶圆表面缺陷的问题,使CMOS图像传感器的性能和良率进一步提高。
  • 摄像装置和电子设备-201880031456.0
  • 工藤义治 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-06-05 - 2020-02-11 - H01L27/146
  • 一种摄像装置包括:多个像素晶体管,位于半导体基板的基板表面处;元件隔离区域,用于将所述多个像素晶体管彼此隔离;电荷存储区域,其位于所述半导体基板中比所述基板表面更深的位置处;以及电荷放电层,其具有与所述电荷存储区域相同的导电类型。所述电荷放电层布置在元件隔离区域与电荷存储区域之间。
  • 背照式CMOS图像传感器及其形成方法-201410648701.6
  • 伏广才;杨建国 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-11-14 - 2020-02-07 - H01L27/146
  • 一种背照式CMOS图像传感器及其形成方法,其中形成方法包括:提供第一衬底,在正面形成有若干像素单元、第一层间介质层、位于第一层间介质层中的互连层;将第二衬底与第一衬底在正面键合;在背面形成通孔;在背面上和通孔底部、侧壁形成等离子体阻挡层;在通孔底部的等离子体阻挡层和第一层间介质层中形成接触孔;在等离子体阻挡层上和通孔、接触孔中形成导电材料;干法刻蚀去除通孔外的导电材料,通孔和接触孔内剩余的导电材料作为导电层。所述干法刻蚀过程的绝大多数等离子体遭到了等离子体阻挡层的阻挡而不会向第一衬底扩散,这能减小驱动电路工作时的电信号中的暗电流,降低暗电流对电信号造成的干扰,确保光照状态下的图像清晰。
  • 半导体结构、半导体器件、芯片结构及其形成方法-201510423139.1
  • 袁俊;陆珏;何昭文 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2015-07-17 - 2020-02-07 - H01L27/146
  • 一种半导体结构、半导体器件、芯片结构及其形成方法,其中半导体结构的形成方法包括:提供操作晶圆,操作晶圆表面键合有功能晶圆,功能晶圆内形成有多个芯片;芯片包括:电路层,电路层内形成有连接金属层;芯片还包括用于形成半导体元件的功能层,功能层内形成有半导体元件的区域为功能区域;在功能层内形成围绕功能区域的隔离沟槽。本发明通过在功能层内设置围绕功能区域的隔离沟槽,将形成有半导体器件的功能区域与进行切割的切割道分开,从而减小了切割应力对芯片性能造成的影响,进而避免了晶圆切割对功能区域半导体器件的损伤,提高了所获得的芯片的性能,提高了制造半导体器件的良品率。
  • 影像感测器及其制作方法-201610970180.5
  • 钟志平;吴建龙;何明佑 - 力晶积成电子制造股份有限公司
  • 2016-10-28 - 2020-02-07 - H01L27/146
  • 本发明公开一种影像感测器及其制作方法。该影像感测器,其包括一感光元件、一内连线结构、一介电叠层、一反射层以及一阻障层。感光元件设置于一基底内,而内连线结构设置于基底表面。介电叠层设置于基底表面并覆盖感光元件,其中内连线结构设置于介电叠层内,且介电叠层的顶面包括至少一突起部分位于感光元件的一侧。反射层覆盖介电叠层的突起部分,且反射层的剖面形状包括一倒V字形图案或包括一倒U字形图案。阻障层覆盖于反射层上。
  • 一种高可靠性影像传感器晶圆级封装结构-201921082388.9
  • 王成迁;李守委;朱思雄 - 中国电子科技集团公司第五十八研究所
  • 2019-07-11 - 2020-02-07 - H01L27/146
  • 本实用新型公开一种高可靠性影像传感器晶圆级封装结构,属于集成电路封装领域。所述高可靠性影像传感器晶圆级封装结构包括影像传感器晶圆和玻璃载板,所述玻璃载板包括玻璃基板,所述玻璃基板通过键合层与所述影像传感器晶圆键合在一起;所述影像传感器晶圆的背面制作有TSV通孔,所述影像传感器晶圆的背面和所述TSV通孔中依次形成有第一钝化层、第二钝化层、金属线路层和阻焊层。本实用新型的封装工艺简单,成本低,封装效率和良率高,适合大规模量产使用。
  • 成像装置和电子设备-201880040564.4
  • 高桥圭一郎;小林一仁;锦织克美;田中翔悠 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-07-25 - 2020-02-07 - H01L27/146
  • 本发明的成像装置包括:包括多个像素组的像素阵列单元,所述多个像素组中的每个像素组是i)仅包括普通像素的普通像素组或ii)包括至少一个普通像素和至少一个相位差检测像素的混合像素组中的一种,其中所述像素阵列单元包括至少一个普通像素组和至少一个混合像素组。对于每个普通像素组,所述普通像素接收透过同色的滤色器的光。对于每个混合像素组,所述至少一个相位差检测像素与至少一个其他相位差检测像素共享片上透镜,并接收透过与所述至少一个其他相位差检测像素同色的滤色器的光。
  • 图像传感器及其制作方法、电子设备-201980001910.2
  • 姚国峰;沈健 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2019-09-04 - 2020-02-07 - H01L27/146
  • 本申请实施例提供一种图像传感器及其制作方法、电子设备,涉及半导体技术领域,可以提高对长波段光进行光电转换的量子效率,从而改善图像传感器的成像效果。该图像传感器包括:半导体晶片;设置于半导体晶片中的光敏器件,光敏器件用于光电转换;在垂直于半导体晶片所在平面的方向上,光敏器件具有相对的光入射表面和底面;位于光敏器件的底面一侧且与光敏器件相邻的光疏介质层,光疏介质层和光敏器件的底面相互接触且形成交界面,交界面包括至少一个倾斜平面,倾斜平面与半导体晶片所在平面之间形成锐角,光疏介质层的折射率小于光敏器件的折射率。本方案主要用于成像。
  • 背照式CMOS传感器的封装方法-201710792005.6
  • 陈彦亨;林正忠 - 中芯长电半导体(江阴)有限公司
  • 2017-09-05 - 2020-02-04 - H01L27/146
  • 本发明提供一种背照式CMOS传感器的封装方法,包括:重新布线层;背照式CMOS传感器结构,固定连接于所述重新布线层的第二面;逻辑芯片,设置于所述重新布线层的第一面;封装材料,包覆于所述逻辑芯片;穿孔,形成于所述封装材料中;金属引线结构,制作于所述穿孔中,以实现所述重新布线层、所述背照式CMOS传感器结构与所述逻辑芯片的电性引出。本发明采用重新布线层的方法实现背照式CMOS传感器、所述逻辑芯片与所述金属引线结构之间的电连接,具有封装体积小,传感性能及器件可靠性高的优点;只需预先在封装材料中制作金属柱便可实现重新布线层的电性引出,不需要进行硅穿孔等工艺,可以大大节省工艺成本。
  • 基于飞行时间的三维图像传感器以及包括其的电子设备-201910191275.0
  • 陈暎究;金永灿;崔成浩 - 三星电子株式会社
  • 2019-03-13 - 2020-01-31 - H01L27/146
  • 提供了一种基于飞行时间(ToF)的三维(3D)图像传感器以及包括该图像传感器的电子设备。该基于飞行时间的三维图像传感器包括:至少两个第一光栅极,对称地布置在像素的中心部分中;至少两个第一栅极,被配置为去除在所述至少两个第一光栅极中产生的溢出电荷;以及第一栅极组。所述至少两个第一栅极对称地布置在像素的外部部分中。第一栅极组包括被配置为存储和传输在所述至少两个第一光栅极中产生的电荷的多个栅极。第一栅极组被布置在像素的外部部分中。
  • 受光元件以及测距模块-201910574977.7
  • 村瀬拓郎;渡辺竜太;若野寿史;丸山卓哉;大竹悠介;井本努;矶谷优治 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2019-06-28 - 2020-01-31 - H01L27/146
  • 本发明提供受光元件以及测距模块,能够提高特性。受光元件具备:片上透镜;布线层;以及半导体层,配置在片上透镜与布线层之间,半导体层具备:第一抽头,具有第一电压施加部以及配置在该第一电压施加部的周围的第一电荷检测部;以及第二抽头,具有第二电压施加部以及配置在该第二电压施加部的周围的第二电荷检测部,构成为使用由第一抽头和第二抽头检测到的信号检测相位差。本技术例如能够应用于通过ToF方式生成距离信息的受光元件等。
  • 受光元件以及测距模块-201910575513.8
  • 矶谷优治;井本努;丸山卓哉;村瀬拓郎;渡辺竜太;若野寿史 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2019-06-28 - 2020-01-31 - H01L27/146
  • 本发明提供受光元件以及测距模块,能够提高特性。受光元件具备:具备:片上透镜;布线层;以及半导体层,配置在所述片上透镜与所述布线层之间,所述半导体层具备:第一抽头,具有被施加第一电压的第一电压施加部以及配置在该第一电压施加部的周围的第一电荷检测部;以及第二抽头,具有被施加与第一电压不同的第二电压的第二电压施加部以及配置在该第二电压施加部的周围的第二电荷检测部,使所述片上透镜的位置在像素阵列部的面内的位置不同,以使得来自被摄体的主光线的光路长度或者DC对比度在所述像素阵列部的面内的各像素中均匀。本发明例如能够应用于通过ToF方式生成距离信息的受光元件等。
  • 受光元件和测距模块-201910584603.3
  • 井本努;矶谷优治;丸山卓哉;村瀬拓郎;渡辺竜太;山崎武 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2019-07-01 - 2020-01-31 - H01L27/146
  • 受光元件包括片上透镜、配线层和布置在片上透镜和配线层之间的半导体层。半导体层包括被施加第一电压的第一电压施加单元、被施加不同于第一电压的第二电压的第二电压施加单元、布置在第一电压施加单元的周边处的第一电荷检测、布置在第二电压施加单元的周边处的第二电荷检测单元以及设置在有效像素区域外侧的电荷排出区域。例如,本技术可应用于在ToF方法中生成距离信息的受光元件等。
  • 受光元件以及测距模块-201910584698.9
  • 闺宏司;丸山卓哉 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2019-07-01 - 2020-01-31 - H01L27/146
  • 本发明提供一种受光元件以及测距模块,能够提高特性。受光元件具备受光区域以及分离部,该受光区域具有:第一电压施加部,被施加第一电压;第一电荷检测部,设置于所述第一电压施加部的周围;第二电压施加部,被施加与所述第一电压不同的第二电压;以及第二电荷检测部,设置于所述第二电压施加部的周围,该分离部配置于相互邻接的所述受光区域的边界,将所述受光区域分离。本发明能够应用于受光元件。
  • 受光元件以及测距模块-201910589997.1
  • 荻田知治 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2019-06-28 - 2020-01-31 - H01L27/146
  • 本发明提供能够提高特性的受光元件和测距模块。所述受光元件具备片上透镜、布线层以及配置在片上透镜和布线层之间的半导体层,半导体层包括:被施加第一电压的第一电压施加部;被施加与第一电压不同的第二电压的第二电压施加部;配置在第一电压施加部的周围的第一电荷检测部;配置在第二电压施加部的周围的第二电荷检测部;以及贯穿半导体层的贯穿电极。通过贯穿电极对半导体层的片上透镜侧的面上形成的规定的膜施加第三电压。本发明例如可以应用在以ToF方式生成距离信息的受光元件等上。
  • 具有太阳能电池功能的图像传感器及其电子装置-201610895572.X
  • 金勋 - 金勋
  • 2016-10-14 - 2020-01-31 - H01L27/146
  • 根据本发明的用作图像传感器或太阳能电池的单位像素元件包括光电探测器,所述光电探测器驱动由入射到栅极上的入射光所诱发的光电流沿着源极和漏极之间的沟道流动;第一开关,所述第一开关在所述光电探测器的源极端子和第一太阳能电池总线之间导线连接并且被接通或断开;和第二开关,所述第二开关在所述光电检测器的栅极端子和第二太阳能电池总线之间导线连接并且被接通或断开,并且其特征在于产生和供给有效电功率的光能量收集和高效率光电转换的功能。
  • 图像传感器-201920188984.9
  • S·伯萨克;马克·艾伦·撒弗里奇 - 半导体元件工业有限责任公司
  • 2019-02-03 - 2020-01-31 - H01L27/146
  • 本公开提供了图像传感器,所述图像传感器的实施方式可以包括:硅层,所述硅层具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧;第一开口,所述第一开口从所述硅层的所述第一侧朝向所述第二侧延伸到所述硅层中;通孔,所述通孔从所述硅层的所述第二侧延伸到所述硅层中;和导电焊盘,所述导电焊盘在所述第一开口内。所述导电焊盘可以耦接到所述通孔。所述第一开口可以包括填充材料。所述填充材料的至少一部分可以形成与所述硅层的所述第一侧基本上平行的平面。所述导电焊盘可以通过第二开口暴露在所述填充材料中。
  • 图像传感器-201920577938.8
  • 李秉熙 - 半导体元件工业有限责任公司
  • 2019-04-25 - 2020-01-31 - H01L27/146
  • 本实用新型提供了图像传感器和滤色器元件,所述图像传感器可包括传输特定波长的入射光的等离激元滤色器元件。每个等离激元滤色器元件可插置在相应的微透镜与光敏区之间。所述等离激元滤色器元件可由金属层(诸如金、银、铂、铝或铜)形成,并且可在所述金属层中具有被设计成允许传输某种类型的光的开口图案。为防止具有等离激元滤色器元件的相邻像素之间的串扰,可将金属壁插置在相邻的等离激元滤色器元件之间。所述金属壁可在形成所述等离激元滤色器元件的所述金属层的上表面上方延伸。所述金属壁可围绕每个等离激元滤色器元件的周边延展。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top