[发明专利]一种微尺度飞行时间质谱仪在审
| 申请号： | 201910653904.7 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110342455A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 孙立臣;窦仁超;孟冬辉;闫荣鑫;洪晓鹏;崔寓淏;韩琰;喻新发;周雪茜;窦威;李征 | 申请（专利权）人： | 北京卫星环境工程研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;H01J49/40;H01J49/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种微尺度飞行时间质谱仪，包括依次连接的气体进样装置、质谱仪芯片和真空装置，所述气体进样装置包括毛细导管、微阀和流量计，所述质谱仪芯片内部包括离子源、离子传输电极组、加速区、无场漂移区、反射器和检测器，所述真空装置包括小型隔膜泵、小型涡轮分子泵、连接管路、阀门和真空机，本发明同时通过进样系统的控制，可实现将待测气体以直接进样方式进入离子源的目的；通过离子在无场漂移区的飞行、离子反射器的作用，实现不同离子到达检测器时间不同的区分；通过控制器和外接电源对各电极电压的控制，可实现不同质量范围的气体质谱分析，其应用价值和气体分析能力得到了大大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 飞行时间质谱仪 检测器 气体进样装置 真空装置 离子源 漂移区 微尺度 质谱仪 无场 离子 流量计 芯片 小型涡轮分子泵 气体质谱分析 离子反射器 待测气体 电极电压 进样系统 离子传输 连接管路 气体分析 外接电源 依次连接 直接进样 控制器 电极组 反射器 隔膜泵 加速区 真空机 导管 阀门 毛细 微阀 飞行 应用 | ||
【主权项】：
1.一种微尺度飞行时间质谱仪，包括依次连接的气体进样装置（17）、质谱仪芯片（1）和真空装置（21），其特征在于：所述气体进样装置（17）包括毛细导管（20）、微阀（18）和流量计（19），所述质谱仪芯片（1）内部包括离子源（2）、离子传输电极组（4）、加速区（10）、无场漂移区（11）、反射器（13）和检测器（15），所述质谱仪芯片（1）与离子源（2）之间形成有真空腔室（22），所述离子源（2）内设置有电离室（3），所述毛细导管（20）一端穿过真空腔室连通于电离室（3），所述离子传输电极组（4）一端设置于离子源（2）下端出口位置，所述加速区（10）一端设置于离子传输电极组（4）另一端位置，所述无场漂移区（11）、反射器依（13）依次设置于加速区（10）另一端位置，所述检测器（15）设置于加速区（10）下方，所述真空装置（21）包括小型隔膜泵（26）、小型涡轮分子泵（25）、连接管路（23）、阀门（24）和真空机（27），所述真空机（27）的抽气端与真空腔室（22）连通连接，所述小型隔膜泵（26）和小型涡轮分子泵（25）一端分别通过连接管路（23）与真空腔室（22）连通连接，小型隔膜泵（26）另一端与小型涡轮分子泵（25）另一端通过另一组连接管路（23）连通连接，小型隔膜泵（26）和小型涡轮分子泵（25）之间连通的连接管路（23）上及小型隔膜泵（26）和小型涡轮分子泵（25）一端的连接路轮（23）上均安装有阀门（24）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京卫星环境工程研究所，未经北京卫星环境工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910653904.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种惯性导航模块散热装置
- 下一篇：一种基于MEMS的电离真空计及其制备方法
- 同类专利
- 具有微机电系统(“MEMS”)振荡器时钟的地震传感器系统-201880019641.8
- V·胡索姆 - 斯伦贝谢技术有限公司
- 2018-03-02 - 2019-11-12 - B81B7/02
- 本文所包括的实施方案涉及一种可以使用MEMS振荡器作为正时参考的地震勘探排列系统。所述系统可以包括多个节点地震传感器单元。所述系统还可以包括多个MEMS振荡器时钟装置，其中所述多个MEMS振荡器时钟装置中的每一个与所述多个节点地震传感器单元中的相应的一个相关联，所述多个MEMS振荡器时钟装置被配置为向所述地震系统输入时间同步。每个MEMS振荡器时钟装置可以包括与集成电路通信的MEMS谐振器。
- MEMS产品划片切割方法-201910575633.8
- 薛帅;杨金男;张伟涛 - 歌尔股份有限公司
- 2019-06-28 - 2019-11-05 - B81B7/02
- 本发明提供一种MEMS产品划片切割方法，在PCB有声孔的一面粘贴UV膜，UV膜用于防止切割过程中PCB声孔进水；将PCB未贴有UV膜的一面朝上放置在划片机的工作台上，设置第一次划片的刀高和划切速度，对PCB进行第一次划切；在完成第一划切后，设置第二次划切的刀高高于第一次划切的刀高，沿第一次划切后的切割道反向划切，进行第二次划切；对完成第二次划切后的PCB进行清洗、甩干；对清洗、甩干后的PCB进行UV照射，以解除UV膜粘性；将处理后的PCB的UV膜去除，同时将MEMS产品与PCB废料分离，获取MEMS产品。利用本发明，能够解决现有技术中MEMS产品划片切割工艺所产生的产品UV胶丝、白色粉末异物不良等问题。
- MEMS封装结构及晶圆级MEMS封装结构-201822037983.2
- 陈彦亨;林正忠 - 中芯长电半导体（江阴）有限公司
- 2018-12-06 - 2019-11-05 - B81B7/02
- 本实用新型提供一种MEMS封装结构及晶圆级MEMS封装结构，晶圆级MEMS封装结构包括：MEMS晶圆，MEMS晶圆包括若干个MEMS芯片，MEMS芯片的正面形成有连接焊垫及机械微结构；若干个密封腔结构，位于MEMS芯片的正面以将各机械微结构分别密封；塑封材料层，位于MEMS晶圆的表面；重新布线层，位于塑封材料层的上表面；若干个电连接结构，位于塑封材料层内，电连接结构的底部与连接焊垫电连接，顶部与重新布线层电连接；焊料凸块，位于重新布线层的上表面，且与重新布线层电连接。本实用新型的晶圆级MEMS封装结构通过使用密封腔结构将机械微结构密封，可以将机械微结构保护起来，以避免机械微结构在封装及使用过程中造成损伤，从而确保MEMS封装结构的性能。
- 一种微尺度飞行时间质谱仪-201910653904.7
- 孙立臣;窦仁超;孟冬辉;闫荣鑫;洪晓鹏;崔寓淏;韩琰;喻新发;周雪茜;窦威;李征 - 北京卫星环境工程研究所
- 2019-07-19 - 2019-10-18 - B81B7/02
- 本发明公开了一种微尺度飞行时间质谱仪，包括依次连接的气体进样装置、质谱仪芯片和真空装置，所述气体进样装置包括毛细导管、微阀和流量计，所述质谱仪芯片内部包括离子源、离子传输电极组、加速区、无场漂移区、反射器和检测器，所述真空装置包括小型隔膜泵、小型涡轮分子泵、连接管路、阀门和真空机，本发明同时通过进样系统的控制，可实现将待测气体以直接进样方式进入离子源的目的；通过离子在无场漂移区的飞行、离子反射器的作用，实现不同离子到达检测器时间不同的区分；通过控制器和外接电源对各电极电压的控制，可实现不同质量范围的气体质谱分析，其应用价值和气体分析能力得到了大大的提高。
- 微机械传感器装置-201510363068.0
- J·克拉森 - 罗伯特·博世有限公司
- 2015-06-26 - 2019-10-18 - B81B7/02
- 一种微机械传感器装置(300)，其具有：‑MEMS元件(100)；‑ASIC元件(200)，其中，在所述MEMS元件(100)和所述ASIC元件(200)之间构造键合结构(70)，所述MEMS元件(100)具有：‑具有交替重叠布置的隔离层(11，12)和功能层(10，20，30)的层布置，其中，在功能层(10、20、30)的至少一个中构造可在检测方向(z)上移动的检测元件(22)；‑其中，借助另一功能层(40)构造用于构造MEMS元件(100)和ASIC元件(200)之间的所限定的间距的间距元件；其特征在于，在所述检测元件(22)上布置具有所述间距元件和第一键合层(50)的止挡元件(40，50)，其中，在所述止挡元件(40，50)的止挡区域中在所述ASIC元件(200)上布置隔离层(IMD5)。
- 一种数字输出的无源阵列式MEMS传感器-201610594788.2
- 王帅民;肖鹏;王小斌;余才佳;任伶 - 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
- 2016-07-26 - 2019-10-18 - B81B7/02
- 本发明属于MEMS技术领域，涉及一种数字输出的无源阵列式MEMS传感器。所述的传感器包括硅微机械传感单元，所述的硅微机械传感单元包括重掺杂欧姆接触区(31、34)、硅悬臂梁(32)、硅接触块(33)，硅悬臂梁(32)的一侧固定有硅接触块(33)，硅悬臂梁(32)的一端和硅接触块(33)的一侧分别设置有重掺杂欧姆接触区，传感器的每个功能区内包括由硅微机械传感单元组成的陈列；传感器感受到外部环境变化后，每个功能区硅微机械传感单元阵列并行输出每个硅微机械传感单元中硅悬臂梁(32)与硅接触块(33)的接触状态。提出了一种数字输出的新型无源阵列式MEMS传感器，解决了MEMS传感器体积不易缩小、功耗难以降低的问题。
- 一种高深宽比中阻P型宏孔硅结构及其快速制备方法-201910429434.6
- 葛道晗;李文兵;张立强;马超;杨宁 - 江苏大学
- 2019-05-22 - 2019-10-01 - B81B7/02
- 本发明提供一种高深宽比中阻P型宏孔硅结构及其快速制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择中阻P型硅片；制备样品：在P型硅片上设置铝膜，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液包括氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF，所述氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF按1:1的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到高深宽比中阻P型宏孔硅结构；可以保证在高的腐蚀速率下制备具有高深宽比值的宏孔硅结构，且所制备的宏孔硅结构形貌规则，孔壁光滑，壁厚均匀，无明显分叉现象。
- 一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法-201710244778.0
- 胡芳仁;张雪花 - 南京邮电大学
- 2017-04-14 - 2019-10-01 - B81B7/02
- 本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括：透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上，所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方，所述的静电MEMS微执行器，包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构，其中：固定齿梳连接在Si衬底上，可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起，LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压，Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下，在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时，经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明，自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。
- 微机电电容式传感器结构和装置-201680014405.8
- 马蒂·柳库;亚科·罗希奥;汉努·韦斯泰里宁 - 株式会社村田制作所
- 2016-03-07 - 2019-10-01 - B81B7/02
- 一种MEMS结构，所述MEMS结构提供了利用施加的电压选择性地控制MEMS装置的机电性质的改进方法。MEMS结构包括电容器元件，所述电容器元件包括至少一个定子元件(6，1)和被悬置成相对于定子元件、平行于第一方向运动的至少一个转子元件(8，3)。定子元件和转子元件形成至少一个电容器元件，电容器元件的电容根据转子元件相对于初始位置的位移而变化。定子元件和转子元件相互定向成使得在转子元件相对于初始位置的位移的至少一个范围内，电容关于位移的二阶导数具有负值。
- 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置-201610007847.1
- 洪中山;王伟;郑超 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
- 2016-01-07 - 2019-09-27 - B81B7/02
- 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有粘结材料层；步骤S2：在所述粘结材料层的侧壁上形成第一间隙壁，以覆盖所述侧壁；步骤S3：在所述第一间隙壁上形成第二间隙壁，以覆盖所述第一间隙壁的侧壁；步骤S4：去除所述第一间隙壁，以在所述粘结材料层和所述第二间隙壁之间形成凹槽，防止接合过程中接合材料的溢出。通过所述方法可以很好地解决现有技术金属材料溢出造成桥连或者其他问题的发生，提高了MEMS器件键合质量，进一步提高了MEMS器件的性能和良率。
- 在相同芯片上的电性与光学通孔连接-201710450341.2
- J·李;诚康国;裴成文;G·王;J·欧文 - 格罗方德半导体公司
- 2017-06-15 - 2019-09-24 - B81B7/02
- 本发明涉及在相同芯片上的电性与光学通孔连接，其涉及半导体结构，尤其涉及在相同芯片上的电性与光学通孔连接及其制造方法。此结构包括光学衬底通孔，是包括光学材料填充该衬底通孔。该结构更包括电性衬底通孔，是包括具有光学材料的衬垫层及填充该电性衬底通孔的其余部分的导电材料。
- MEMS设备和电子装置-201821772595.2
- D·帕奇;M·费雷拉;A·皮科 - 意法半导体股份有限公司
- 2018-10-30 - 2019-09-10 - B81B7/02
- 本实用新型的各实施例涉及MEMS设备和电子装置。一种MEMS设备，包括：主体，具有第一表面和第二表面；隔膜腔体，在主体内并且从主体的第二表面延伸；可变形部分，在主体内并且在第一表面和隔膜腔体之间；和压电致动器，在主体在第一表面上延伸并且在可变形部分之上。MEMS设备的特征在于其包括凹槽结构，该凹槽结构在主体内延伸并且为可变形部分界定止动器部分。
- 基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法-201910545104.3
- 冯飞;赵斌 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2019-06-21 - 2019-09-06 - B81B7/02
- 本发明提供基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法，制备包括：提供衬底，制备凹槽结构；制备若干个微柱结构，相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置；制备微流控端口，与所述凹槽结构相连通；及提供一盖板，并将所述盖板制备于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧，且所述盖板至少覆盖所述凹槽结构。本发明通过在凹槽结构形成的腔体内设计嵌套设置的微柱结构阵列，可以获得大的表面积，并使得流场均匀分布，且延长气体流路路径，进而提高吸附材料的均匀性，提高吸附气体的富集率，另外，通过在腔体内表面构筑一层高比面积的硅纳米线阵列，可极大地增加腔体内的内表面积，提高吸附材料的承载量，提高基于硅纳米线阵列的微富集器芯片的富集率。
- 具有放电电路的微机电系统器件-201580031997.X
- J.F.梅森;D.C.巴特尔;D.S.怀特菲尔德;D.T.佩措尔德;D.居内什;P.T.迪卡洛 - 天工方案公司
- 2015-04-13 - 2019-08-30 - B81B7/02
- 具有放电电路的微机电系统(MEMS)器件。在一些实施例中，MEMS器件可以包括基板和在基板上所实施的机电组件。MEMS器件还可以包括关于机电组件所实施的放电电路。放电电路可以被配置为在影响机电组件的放电条件期间提供优选的电弧放电路径。MEMS器件可以例如是开关器件、电容器件、陀螺仪传感器器件、加速度计器件、表面声波(SAW)器件或者体声波(BAW)器件。放电电路可以包括具有被配置为促进优选的电弧放电路径的一个或多个火花间隙元件的火花间隙组件。
- 一种MEMS开关及其制作方法-201910455171.6
- 陈巧 - 苏州知芯传感技术有限公司
- 2019-05-29 - 2019-08-27 - B81B7/02
- 本发明涉及一种MEMS开关及其制作方法，应用桥式结构，在驱动力作用下，使开关的中间部分产生最大位移，进而将接触区域设计为面接触，取消了现有技术中的点接触设计，由此避免点接触的缺点，获得了更高的MEMS开关工作效率，与此同时，针对所设计MEMS开关，具体设计对应其的制作方法，采用键合工艺方案，大大减小工艺复杂度，减小粘附，有效提高了成品率。
- MEMS压电器件和对应的制造方法-201610482597.7
- M·F·贝维拉克夸;F·F·维拉;R·斯卡尔达菲利;V·卡萨塞利;A·迪马特奥;D·法拉里 - 意法半导体股份有限公司
- 2016-06-27 - 2019-08-27 - B81B7/02
- 本发明涉及MEMS压电器件和对应的制造方法。一种MEMS压电器件具有：半导体材料的单片式本体，其具有第一主表面和第二主表面，这两个表面平行于由第一水平轴和第二水平轴形成的水平面并且沿着竖直轴相对；布置在单片式本体内的壳腔体；在单片式本体的第一主表面处悬置在壳腔体上方的膜；布置在膜的第一表面上方的压电材料层；布置成与压电材料层接触的电极装置；以及耦合至膜的沿着竖直轴与第一表面相对的第二表面以响应于环境机械振动引起第二表面形变的检测质量。检测质量通过布置在中心位置中并且沿着竖直轴的方向在膜与检测质量之间的连接元件耦合至膜。
- 一种MEMS器件及其制作方法-201910325646.X
- 董维;林瑞钦;廖珮淳 - 武汉衍熙微器件有限公司
- 2019-04-22 - 2019-08-23 - B81B7/02
- 本发明实施例公开了一种MEMS器件，所述器件包括：衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的封装部件和内设于所述封装部件的内圈且在所述衬底基板上的MEMS部件，所述器件还包括密封部件，其中：所述密封部件设置在所述衬底基板和/或所述封装部件上；所述密封部件用于阻挡外界小分子接触到所述MEMS部件；本发明的实施例同时还公开了一种MEMS器件的制作方法。
- 一种星型单刀四掷射频开关-201910347504.3
- 吴倩楠;王姗姗;李孟委;韩路路 - 中北大学
- 2019-04-28 - 2019-08-16 - B81B7/02
- 本发明属于射频MEMS领域，具体涉及一种星型单刀四掷射频开关。一种星型单刀四掷开关，主要由衬底、微波传输线、驱动电极、上电极、下电极、固定锚点和触点组成，微波传输线和驱动电极设置在衬底上，上电极为直板型结构，下电极采用带弹性梁的双触点。微波传输线采用星型结构功分器将输入信号功率分成四个相等的信号进行输出。从微波传输角度来讲，星型结构更为高效，各支路之间的隔离度更好，平衡度高。由此设计的单刀四掷开关插损较小，各路幅值和相位一致性更好。
- 一种基于聚酰亚胺的柔性静电驱动MEMS继电器的制造方法-201810375861.6
- 刘军山;舒振;赵欣悦;单晗;尹鹏和;张悦;杜立群;徐征 - 大连理工大学
- 2018-04-16 - 2019-08-09 - B81B7/02
- 本发明公开一种基于聚酰亚胺的柔性静电驱动MEMS继电器的制造方法，属于微机电系统微加工技术领域。制备得到的MEMS继电器的基底和可动结构的材料均为柔性聚合物聚酰亚胺，而且聚酰亚胺基底可以从硅片上剥离下来，从而真正实现了继电器的柔性。本发明采用热氧化、磁控溅射、光刻、化学腐蚀、等离子体增强化学气相沉积、牺牲层去除等工艺实现MEMS继电器的结构。该方法制备出的MEMS继电器具有柔性，可以用于柔性电子领域。
- 支撑柱、微型集音器、CMOS麦克风单晶片-201710682053.X
- 陈健章;梁贻德;林晓逸;杨正光 - 风起科技股份有限公司
- 2016-05-13 - 2019-08-09 - B81B7/02
- 本发明公开了一种支撑柱、微型集音器、CMOS麦克风单晶片，支撑柱形成于一可动薄膜下方，用以支撑该可动薄膜，包含：数个第一微形金属柱、基底金属连接柱层与第一氧化包覆层；其中，第一微形金属柱形成于可动薄膜下方，并与可动薄膜形成金属导接；基底金属连接柱层形成于第一微形金属柱下方，与第一微形金属柱导接；第一氧化包覆层完全或部分包覆第一微形金属柱而使第一微形金属柱与空气绝缘而可使支撑柱形成柱状；该可动薄膜形成有至少一个第一穿孔，该第一穿孔以一氧化材料填满而与该第一氧化包覆层形成连结；本技术方案的支撑柱可达到抵抗强烈震动的技术功效。
- 用于静摩擦补偿的磁性纳米机械器件-201480079265.3
- J·A·穆诺茨;D·E·尼科诺夫;K·J·库恩;P·泰奥法尼斯;C·帕瓦申;K·林;S·金 - 英特尔公司
- 2014-06-27 - 2019-08-06 - B81B7/02
- 描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如，在实施例中，纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时，悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。
- 用于封装的MEMS器件的系统和方法-201610237645.6
- A·弗勒梅尔 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2016-04-15 - 2019-08-02 - B81B7/02
- 本公开的各种实施例提供了一种用于封装的MEMS器件的系统和方法。根据实施例，器件包括衬底，布置在衬底之上的换能器裸片；布置在换能器裸片之上的盖体；以及将盖体连接到衬底的支撑结构。支撑结构包括被配置为允许在周围环境和换能器裸片之间传递流体信号的端口。
- 四梁圆膜与同轴圆柱的压力和位移集成式MEMS传感器结构-201821827208.0
- 方续东;吴晨;蒋庄德 - 西安交通大学
- 2018-11-07 - 2019-07-30 - B81B7/02
- 一种四梁圆膜与同轴圆柱的压力和位移集成式MEMS传感器结构，包括上部衬底和与之配合连接的下部衬底；下部衬底包括下部衬底基底层，下部衬底基底层上面设有下部衬底金属欧姆电路层，下部衬底基底层的中部设有下部实心圆柱，下部衬底基底层上方的四周边缘设有四周支承结构；上部衬底包括上部衬底基底层，上部衬底基底层上面设有上部衬底绝缘层，上部衬底绝缘层上设有上部衬底金属欧姆接触电路以及由四根梁和上部中心圆膜构成的上部四梁圆膜结构，梁上设有压阻条；上部中心圆膜下方连接有薄壁圆筒，薄壁圆筒套在下部实心圆柱外，四周支承结构和上部衬底基底层下方连接；本实用新型发明实现了压力和位移的集成测量，具有集成度好，测量灵敏度高等优点。
- 微机电传感器封装结构及制造方法-201910324449.6
- 万蔡辛 - 武汉耐普登科技有限公司
- 2019-04-22 - 2019-07-26 - B81B7/02
- 本申请公开了一种微机电传感器封装结构及制造方法，该微机电传感器封装结构包括：第一基板，第一基板具有凹形结构；第二基板，设置在第一基板上；芯片，芯片设置在凹形结构中，芯片经由金属线与第一基板电连接；其中，凹形结构使第二基板与第一基板之间形成空腔，凹形结构的底面面积大于芯片的面积。该封装结构省去了壳体的单独制作以及贴装，将原本需要另行单独制作和贴装的壳体融入第一基板中，有利于产品的小型化，在实现批量生产的同时，还节省了生产成本，减少了生产所需设备的种类，减少了生产步骤，还有利于控制生产产品的一致性，提高了生产效率和产品良率。
- 组合传感器-201822062344.1
- 杨军伟;王德信;潘新超;端木鲁玉;邱文瑞 - 歌尔科技有限公司
- 2018-12-07 - 2019-07-26 - B81B7/02
- 本实用新型公开了一种组合传感器，所述组合传感器包括：基板，所述基板设有至少两个接地端，各所述接地端之间电连接；以及芯片组，所述芯片组的数量至少为两个，所述芯片组安装至所述基板，所述芯片组和所述接地端一一对应电连接。本实用新型技术方案使得每个芯片组可利用的接地端面积达到封装面积的最大值，这样有利于快速导走静电的电荷，从而最大程度地保护了芯片组免受静电的冲击，有效提升组合传感器的抗静电能力。
- 微型传感器组件和封装结构以及一种可穿戴电子设备-201821706338.9
- 端木鲁玉 - 歌尔科技有限公司
- 2018-10-19 - 2019-07-23 - B81B7/02
- 本实用新型涉及微型传感器组件和封装结构以及一种可穿戴电子设备。该微型传感器组件包括：基板、芯片以及传感器；所述芯片具有第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对，所述芯片的第一表面上设置有导电镀层，所述传感器与所述导电镀层连接，所述芯片的第二表面与所述基板连接。本实用新型的一个技术效果是，降低了产品的高度，提高了加工效率。
- 传感器件及其制造方法-201811446622.1
- 杨辰雄;郑钧文;李久康 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2018-11-29 - 2019-07-16 - B81B7/02
- 一种传感器件包括微机电系统(MEMS)力传感器和电容式加速传感器。在制造传感器件的方法中，在第一衬底的前表面上方准备MEMS力传感器的传感器部分。传感器部分包括压阻式元件和前电极。在第一衬底的后表面上形成底部电极和第一电极。具有电极焊盘和第二电极的第二衬底附接至第一衬底的底部，从而使得底部电极连接至电极焊盘，并且第一电极面对第二电极，其中，在第一电极和第二电极之间具有间隔。本发明实施例涉及传感器件及其制造方法。
- 微机电系统-201910011549.3
- W·克莱因 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2019-01-07 - 2019-07-16 - B81B7/02
- 本公开涉及一种微机电系统。该微机电系统包括具有进入开口的壳体以及具有隔膜和背板结构的声音转换器结构，其中声音转换器结构与进入开口耦合。该微机电系统包括过滤结构，该过滤结构布置在进入开口和声音转换器结构之间，并且包括过滤材料和至少一个预应力元件，该预应力元件与过滤材料机械连接，其中至少一个预应力元件被构造为在过滤材料中产生机械应力，以提供过滤结构朝着背向背板结构的方向的弯曲变形。
- 具有微桥结构的红外探测器及其制造方法-201710080817.8
- 池积光;金杰;姜利军 - 浙江大立科技股份有限公司
- 2017-02-15 - 2019-07-12 - B81B7/02
- 一种具有微桥结构的红外探测器及其制造方法，所述红外探测器包括：基底，所述基底表面内形成有金属互连层；部分悬空于所述基底上方的图形化的微桥结构，所述微桥结构包括桥腿和桥梁，所述桥腿与所述金属互连层电连接，所述桥梁悬空且向上翘起；部分悬空于微桥结构上方的图形化的红外敏感层，且所述红外敏感层与所述微桥结构的桥梁电连接，由所述桥梁支撑。所述红外探测器的良率提高，具有更高的性能。
- 一种MEMS催化燃烧传感器及其加工方法-201910257639.0
- 王宣诏 - 深圳邺诚科技有限公司
- 2019-04-01 - 2019-07-05 - B81B7/02
- 本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种MEMS催化燃烧传感器及其加工方法。所述一种MEMS催化燃烧传感器，包括第一薄膜部分、第二薄膜部分，所述第二薄膜部分的两侧分别通过第一多孔磁性层对称连接所述第一薄膜部分；所述第一薄膜部分包括硅基底，以及以硅基底为衬底依次设置的第一氮化硅薄膜层、第一氧化硅薄膜层、第一加热敏感电阻层；所述第二薄膜部分包括依次设置的第二氮化硅薄膜层、第二氧化硅薄膜层、第二加热敏感电阻层、贵金属催化层；具有抗中毒、响应迅速和信噪比高的优点。
- 专利分类
