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[发明专利]一种用于椭偏仪精确定位测量的装置及方法-CN201710418023.8有效
发明人：陈莉;徐征;刘军山;刘冲;尹鹏和 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于椭偏仪精确定位测量的装置及方法。该装置包括定位片、样品台、自动二维移动平台、光强探测器、微型真空泵、显微镜成像系统、照明光源和计算机。利用定位片上的定位孔可清晰界定光斑轮廓，定位孔正下方的光强探测器嵌于样品台中央，随自动二维移动平台沿X轴和Y轴按一定步长精确移动，在使用显微成像系统观察、初步确定定位孔位置的基础上，利用光强探测器获得的光强值精确调整定位孔位置，使光斑和定位孔完全重合，再将显微成像系统的捕捉框移动到定位孔上，捕捉框就代表了光斑的精确位置，使捕捉框位于样品待测结构中，即可开始椭偏测量。本发明实现了针对具体结构的精密定位测量，操作方便，工作效率高。
一种用于椭偏仪精确定位测量装置方法

[发明专利]一种基于聚酰亚胺的柔性静电驱动MEMS继电器的制造方法-CN201810375861.6有效
发明人：刘军山;舒振;赵欣悦;单晗;尹鹏和;张悦;杜立群;徐征 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开一种基于聚酰亚胺的柔性静电驱动MEMS继电器的制造方法，属于微机电系统微加工技术领域。制备得到的MEMS继电器的基底和可动结构的材料均为柔性聚合物聚酰亚胺，而且聚酰亚胺基底可以从硅片上剥离下来，从而真正实现了继电器的柔性。本发明采用热氧化、磁控溅射、光刻、化学腐蚀、等离子体增强化学气相沉积、牺牲层去除等工艺实现MEMS继电器的结构。该方法制备出的MEMS继电器具有柔性，可以用于柔性电子领域。
继电器聚酰亚胺静电驱动MEMS继电器制备等离子体增强化学气相沉积聚酰亚胺基柔性聚合物微机电系统微加工技术磁控溅射工艺实现化学腐蚀可动结构柔性电子热氧化牺牲层硅片光刻基底去除制造剥离

[发明专利]一种多层负性光刻胶模具制作方法-CN201310237398.6无效
发明人：刘军山;张栋;葛丹;尹鹏和;徐征;杜立群;刘冲;王立鼎 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明一种多层负性光刻胶模具制作方法属于微加工工艺技术研究领域，涉及一种多层SU-8模具的制作方法，应用在微机电系统、组织工程、生物力学等领域。制作方法采用一种正性光刻胶作为牺牲层，在下层SU-8胶上构建一个临时基底，在前两层SU-8胶曝光完成后同时显影；使用正性光刻胶对显影后的图形区域进行填充，在热板上烘干直到填充的光刻胶完全固化；采用湿法研磨抛光技术去除多余的光刻胶并对整个胶层的平整度进行修整。本发明采用一种正性光刻胶作为牺牲层，因此不需要额外的牺牲层去除工序，显著降低了多层负性光刻胶模具的制作难度。本发明的制作过程简单，而且与现有的微加工工艺兼容，具有很强的实用性。
一种多层光刻模具制作方法