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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于耦合器线性度改进和重新配置的可调节活性硅-CN201780026946.7有效
发明人： N.斯里拉特塔纳;D.S.怀特菲尔德 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：电磁耦合器组件包括手柄晶片，该手柄晶片具有设置在其第一表面上的氧化物层。有源半导体层设置在氧化物层上并包含用于接收电源电压的电压端子。电介质材料层设置在有源半导体层上。主传输线设置在电介质材料层上。耦合传输线设置在有源半导体层上，并且是电感性地耦合到主传输线和电容性地耦合到主传输线中的一个。主传输线和耦合传输线之一的至少一部分直接设置在有源半导体层的至少一部分上方。
用于耦合器线性改进重新配置调节活性

[发明专利]结合绝缘体上硅技术的前端集成电路-CN202111341235.3在审
发明人： H.王;G.A.布林;D.S.怀特菲尔德 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：描述了一种基于SOI的技术平台，其提供完全集成的前端集成电路(FEIC)，该FEIC包含开关、低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA)。可以在该集成电路的厚膜区域中构建PA，产生部分耗尽的绝缘体上硅(PDSOI)PA，并且可以在该集成电路的薄膜区域中构建开关和LNA，产生完全耗尽的绝缘体上硅(FDSOI)开关和LNA。所得到的完全集成的FEIC包含带有FDSOI开关和LNA的PDSOI PA。可以在厚膜区域、薄膜区域或两者中构建无源组件。
结合绝缘体技术前端集成电路

[发明专利]具有自动频率检测的自调节电磁耦合器-CN201780039320.X有效
发明人： N.斯里拉塔纳;D.S.怀特菲尔德;D.R.斯托里 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：包括内置频率检测的电磁耦合器系统，以及包括这种系统的模块和设备。电磁耦合器系统的一个示例包括具有输入端口、输出端口、耦合端口和隔离端口的电磁耦合器，电磁耦合器包括在输入端口和输出端口之间延伸的主线以及在耦合端口和隔离端口之间延伸的耦合线，电磁耦合器被配置为响应于在输入端口处接收到输入信号而在耦合端口处产生耦合信号。可调终端阻抗连接到隔离端口。频率检测器连接到可调终端阻抗和耦合端口，并被配置为检测耦合信号的频率和提供阻抗控制信号，以基于耦合信号的频率调谐可调终端阻抗。
具有自动频率检测调节电磁耦合器

[发明专利]用于多频功率检测的电磁耦合器-CN201680065504.9有效
发明人： N.斯里拉塔纳;D.S.怀特菲尔德;D.R.斯托里 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：被配置为同时检测多个频率的多输出电磁耦合器以及包含其的设备和系统。在一个示例中，多输出电磁耦合器包含：主耦合器传输线路，在输入端口和输出端口之间延伸并且电连接输入端口和输出端口；第一耦合线路段，被配置为耦合来自所述主耦合器传输线路的第一频带中的电磁功率以在第一耦合端口处提供第一耦合输出信号；以及第二耦合线路段，被配置为耦合来自所述主耦合器传输线路的第二频带中的电磁功率以与在所述第一耦合端口处提供第一耦合输出信号同时地在第二耦合端口处提供第二耦合输出信号。
用于功率检测电磁耦合器

[发明专利]用于射频应用的主辅场效应晶体管配置-CN201780072983.1在审
发明人：王海玲;D.C.巴特尔;H.傅;J.F.梅森;D.S.怀特菲尔德;P.T.迪卡洛 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本文公开了实施主辅分支设计的切换或其它有源FET配置。这种设计包含至少两个FET：提供辅路径的辅FET和提供主路径的主FET。可以通过在辅路径中生成的失真，来减小在主路径中生成的失真，诸如三阶谐波和/或互调失真。这可以通过以下来实现：向辅路径施加定制的栅极偏置，使得辅路径生成具有相对于主路径中的信号的失真幅度相似但相位相反的失真的信号。因此，通过减小这些失真或非线性度，有源FET的整体性能得到改进。
主路径失真减小主辅场效应晶体管非线性度互调失真路径生成三阶谐波射频应用失真幅度相位相反栅极偏置配置施加改进

[发明专利]具有放电电路的微机电系统器件-CN201580031997.X有效
发明人： J.F.梅森;D.C.巴特尔;D.S.怀特菲尔德;D.T.佩措尔德;D.居内什;P.T.迪卡洛 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：具有放电电路的微机电系统(MEMS)器件。在一些实施例中，MEMS器件可以包括基板和在基板上所实施的机电组件。MEMS器件还可以包括关于机电组件所实施的放电电路。放电电路可以被配置为在影响机电组件的放电条件期间提供优选的电弧放电路径。MEMS器件可以例如是开关器件、电容器件、陀螺仪传感器器件、加速度计器件、表面声波(SAW)器件或者体声波(BAW)器件。放电电路可以包括具有被配置为促进优选的电弧放电路径的一个或多个火花间隙元件的火花间隙组件。
具有放电电路微机系统器件

[发明专利]表面安装的控制放电装置-CN200980162928.7有效
发明人： D.S.怀特菲尔德;K.瓦伦 -专利权人：天工新技术有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种火花隙装置，包括形成于基底上的可选择的绝缘层，形成于绝缘层的表面上的金属层，形成于金属层的表面上的阻焊层，和第一及第二接触体。金属层包括由空气间隙分开的中心部分和外围部分，该空气隙围绕金属层的中心部分并使绝缘层暴露。阻焊层包括布置于金属层中心部分的中心部分，和布置于金属层外围部分的外围部分，该中心部分具有使金属层的中心部分的中心区域暴露的第一开口，该外围部分具有使金属层的外围部分的外围区域暴露的第二开口。第一接触体形成于第一开口中，而第二接触体形成于第二开口中。
表面安装控制放电装置

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