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[实用新型]超声换能器器件-CN202223066986.1有效
发明人： D·朱斯蒂;M·费雷拉;L·滕托里 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本公开的实施例一种超声换能器器件，包括具有第一主表面和第二主表面的半导体本体并且包括：第一腔室，其在距所述第一主表面一定距离处延伸到所述半导体本体中；由所述半导体本体在所述第一主表面和所述第一腔室之间形成的膜；膜上的压电元件；在所述第一腔室和所述第二主表面之间延伸到所述半导体本体中的第二腔室；中心流体通道，所述中心流体通道从所述第二主表面到所述第一腔室延伸到所述半导体本体中并且横穿所述第二腔室；以及一个或多个横向流体通道，所述一个或多个横向流体通道从所述第二主表面延伸到所述半导体本体中到达所述第二腔室。利用本公开的实施例有利地改善了待检测物体和超声换能器器件之间的最小可检测相对距离。
超声换能器器件

[发明专利]压电式微机械超声换能器-CN202111202185.0有效
发明人： D·朱斯蒂;F·夸利亚;M·费雷拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及压电式微机械超声换能器。PMUT器件包括薄膜元件，该薄膜元件垂直于第一方向延伸并且被配置为通过关于平衡位置振荡来生成和接收超声波的。PMUT器件包括至少两个压电元件，其中每个压电元件沿着第一方向位于薄膜元件之上并且被配置为当电信号被施加到压电元件时引起薄膜元件振荡，以及响应于薄膜元件的振荡而生成电信号。薄膜元件沿垂直于第一方向的平面具有叶瓣形状，其中叶瓣形状包括至少两个叶瓣。对于每个压电构件，薄膜元件包括对应的薄膜部分，该对应的薄膜部分包括对应的叶瓣，其中每个压电构件位于其对应的薄膜部分之上。
压电式微机械超声换能器

[发明专利]减小自由振荡的压电微机械超声换能器-CN202111201843.4有效
发明人： D·朱斯蒂;M·费雷拉;F·夸利亚 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：公开了减小自由振荡的压电微机械超声换能器。一种PMUT设备包括膜元件，该膜元件适于通过在相应的共振频率下围绕平衡位置振荡来产生和接收超声波。压电元件沿第一方向位于膜元件上方，并且被配置为当电信号施加到压电元件时使膜元件振荡，并且响应于膜元件的振荡而产生电信号。阻尼器被配置为减少膜元件的自由振荡，并且阻尼器包括围绕膜元件的阻尼器腔，以及聚合物构件，该聚合物构件的至少一部分沿第一方向在阻尼器腔上方。
减小自由振荡压电微机超声换能器

[发明专利]具有改进的膜振荡阻尼的MEMS超声换能器器件及其制造工艺-CN202211449389.9在审
发明人： D·朱斯蒂;M·费雷拉;L·滕托里 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及去除所述半导体本体的从所述第二表面向所述第二腔室的一个或多个相应的选择性部分。一种MEMS超声换能器MUT器件，包括具有第一主表面和第二主表面的半导体本体并且包括：第一腔室，其在距所述第一主表面一定距离处延伸到所述半导体本体中；由所述半导体本体在所述第一主表面和所述第一腔室之间形成的膜；膜上的压电元件；在所述第一腔室和所述第二主表面之间延伸到所述半导体本体中的第二腔室；中心流体通道，所述中心流体通道从所述第二主表面到所述第一腔室延伸到所述半导体本体中并且横穿所述第二腔室；以及一个或多个横向流体通道，所述一个或多个横向流体通道从所述第二主表面延伸到所述半导体本体中到达所述第二腔室。
具有改进振荡阻尼 mems 超声换能器器件及其制造工艺

[发明专利]用于硬盘存储器系统的读/写设备以及对应的制造工艺-CN202211584388.5在审
发明人： D·朱斯蒂;M·费雷拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11B5/56 文献下载
摘要：本公开的各种实施例提供了用于硬盘存储器系统的读/写设备以及对应的制造工艺。该读/写设备包括固定结构；膜区域，包括被约束到固定结构的第一膜和第二膜以及介于第一膜与第二膜之间的中心部分；第一压电致动器和第二压电致动器，分别被机械地耦合到第一膜和第二膜；以及读/写头，被固定到膜区域的中心部分。可以控制第一压电致动器和第二压电致动器以导致第一膜和第二膜的对应的变形，第一膜和第二膜的所述变形导致读/写头相对于固定结构的对应的移动。
用于硬盘存储器系统设备以及对应制造工艺

[实用新型]压电微机械超声换能器设备及电子系统-CN202122484491.X有效
发明人： D·朱斯蒂;M·费雷拉;F·夸利亚 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：公开了压电微机械超声换能器设备及电子系统。压电微机械超声换能器PMUT设备包括膜元件，该膜元件适于通过在相应的共振频率下围绕平衡位置振荡来产生和接收超声波。压电元件沿第一方向位于膜元件上方，并且被配置为当电信号施加到压电元件时使膜元件振荡，并且响应于膜元件的振荡而产生电信号。阻尼器被配置为减少膜元件的自由振荡，并且阻尼器包括围绕膜元件的阻尼器腔，以及聚合物构件，该聚合物构件的至少一部分沿第一方向在阻尼器腔上方。
压电微机超声换能器设备电子系统

[发明专利]用于硬盘存储器系统的读/写设备以及对应的制造工艺-CN202011360102.6有效
发明人： D·朱斯蒂;M·费雷拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G11B5/56 文献下载
摘要：本公开的各种实施例提供了用于硬盘存储器系统的读/写设备以及对应的制造工艺。该读/写设备包括固定结构；膜区域，包括被约束到固定结构的第一膜和第二膜以及介于第一膜与第二膜之间的中心部分；第一压电致动器和第二压电致动器，分别被机械地耦合到第一膜和第二膜；以及读/写头，被固定到膜区域的中心部分。可以控制第一压电致动器和第二压电致动器以导致第一膜和第二膜的对应的变形，第一膜和第二膜的所述变形导致读/写头相对于固定结构的对应的移动。
用于硬盘存储器系统设备以及对应制造工艺

[实用新型]压电式微机械超声换能器器件和电子系统-CN202122484616.9有效
发明人： D·朱斯蒂;F·夸利亚;M·费雷拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及压电式微机械超声换能器器件和电子系统。压电式微机械超声换能器器件包括薄膜元件，薄膜元件，垂直于第一方向延伸并且被配置为通过关于平衡位置振荡来生成和接收超声波；至少两个压电元件，至少两个压电元件中的每个压电元件沿着第一方向位于薄膜元件之上并被配置为当电信号被施加到压电元件时引起薄膜元件振荡，以及响应于薄膜元件的振荡而生成电信号，其中薄膜元件沿垂直于第一方向的平面具有叶瓣形状，叶瓣形状包括至少两个叶瓣；以及对于每个压电构件，薄膜元件包括对应的薄膜部分，对应的薄膜部分包括对应的叶瓣，每个压电构件位于其对应的薄膜部分之上。由此，压电式微机械超声换能器器件的所得到的带宽的有利地提高。
压电式微机械超声换能器器件电子系统

[发明专利]用于在传播介质中转换声波的微机械装置-CN202111441249.2在审
发明人： D·朱斯蒂;M·费雷拉;A·S·萨沃亚;F·夸利亚 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H04R17/00 文献下载
摘要：一种用于在传播介质中转换声波的微机械装置，包括：本体；第一电极结构，叠加至本体并且与本体电绝缘，第一电极结构和本体在它们之间限定第一掩埋腔；以及第一压电元件，叠加至第一电极结构，其中，本体、第一电极结构和掩埋腔形成第一电容式超声换能器，并且第一电极结构和第一压电元件形成第一压电超声换能器。
用于传播介质转换声波微机装置

[实用新型]微机械装置及微机械系统-CN202122975703.4有效
发明人： D·朱斯蒂;M·费雷拉;A·S·萨沃亚;F·夸利亚 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：公开了一种微机械装置及微机械系统。该装置包括：本体；间隔元件，耦接至本体；第一电极结构，耦接至间隔元件且叠加至本体并与本体交叠且与本体电绝缘，第一电极结构、本体和至少一间隔元件界定具有在间隔元件的相应侧壁中相对的侧壁间延伸的第一尺寸的第一掩埋腔；第一压电元件，耦接且叠加至并交叠第一电极结构，第一压电元件与第一掩埋腔交叠，第一压电元件具有在第一压电元件的相应侧壁中的相对侧壁间延伸的小于第一掩埋腔的第一尺寸的第二尺寸；本体、第一电极结构和掩埋腔形成第一电容式超声换能器，第一电极结构和第一压电元件形成第一压电超声换能器。本实用新型的技术以简单的方式获得了高通用性、适应性的微机械装置和微机械系统。
微机装置系统

[实用新型]微机电结构致动器以及微流体阀-CN202120950316.2有效
发明人： D·朱斯蒂;C·L·佩瑞里尼;M·费雷拉;C·M·拉扎里;L·塞吉齐;N·博尼;R·卡尔米纳蒂;F·夸利亚 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及微机电结构致动器以及微流体阀。微机电结构致动器由以下部件形成：基底，围绕腔体；可变形结构，悬置在腔体上；致动结构，由第一压电材料的第一压电区域形成，由可变形结构支撑并且被配置为引起可变形结构的变形；以及检测结构，由第二压电材料的第二压电区域形成，由可变形结构支撑并且被配置为检测可变形结构的变形。压电电阻器是在存在机械应力的情况下经历电阻变化并且因此允许通过电压或电流检测来检测可变形结构的变形的设备。然而，该检测是主动检测，并且因此意味着具有高能耗的电流的通过。
微机结构致动器以及流体

[实用新型]MEMS致动器、流量调节器和扬声器-CN202120946692.4有效
发明人： D·朱斯蒂;M·费雷拉;C·L·佩瑞里尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉MEMS致动器、流量调节器和扬声器。MEMS致动器包括围绕腔体的本体的MEMS致动器；在腔体上的可变形结构，可变形结构包括可移动部分和连续布置的多个可变形元件，多个可变形元件将可移动部分连接到本体。可变形结构还包括将可移动部分、多个可变形元件和本体耦联在一起的多个臂。可变形结构还包括多个加强结构，多个加强结构中的相应一个加强结构与多个臂中的相应一个臂集成。MEMS致动器还包括在所述可变形元件上的至少一组多个致动结构。
mems 致动器流量调节器扬声器

[实用新型]读/写设备和存储器系统-CN202022802512.3有效
发明人： D·朱斯蒂;M·费雷拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G11B5/56 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供了用于硬盘存储器系统的读/写设备以及存储器系统。该读/写设备包括固定结构；膜区域，包括被约束到固定结构的第一膜和第二膜以及介于第一膜与第二膜之间的中心部分；第一压电致动器和第二压电致动器，分别被机械地耦合到第一膜和第二膜；以及读/写头，被固定到膜区域的中心部分。可以控制第一压电致动器和第二压电致动器以导致第一膜和第二膜的对应的变形，第一膜和第二膜的所述变形导致读/写头相对于固定结构的对应的移动。本实用新型的实施例提供了对读/写设备的改进，可以使得读/写头相对于滑块平移，并且所述平移的程度明显高于根据现有技术的解决方案可以获得的程度。
设备存储器系统

[发明专利]有改善机械属性的可变形结构的压电致动器及其制造方法-CN202110489899.8在审
发明人： D·朱斯蒂;M·费雷拉;C·L·佩瑞里尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及有改善机械属性的可变形结构的压电致动器及其制造方法。MEMS致动器由围绕腔体的本体和可变形结构形成，可变形结构悬置在腔体上并且由可移动部分和多个可变形元件形成。可变形元件彼此连续地布置，将可移动部分连接到本体，并且每个可变形元件经受变形。MEMS致动器还包括至少一组多个致动结构，致动结构由可变形元件支撑并且被配置为使得可移动部分的平移大于每个可变形元件的变形。每个致动结构具有相应第一压电区域。
改善机械属性变形结构压电致动器及其制造方法

[发明专利]具有变形传感器的压电致动器及其制造方法-CN202110492170.6在审
发明人： D·朱斯蒂;C·L·佩瑞里尼;M·费雷拉;C·M·拉扎里;L·塞吉齐;N·博尼;R·卡尔米纳蒂;F·夸利亚 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：MEMS致动器由以下部件形成：基底，围绕腔体；可变形结构，悬置在腔体上；致动结构，由第一压电材料的第一压电区域形成，由可变形结构支撑并且被配置为引起可变形结构的变形；以及检测结构，由第二压电材料的第二压电区域形成，由可变形结构支撑并且被配置为检测可变形结构的变形。
具有变形传感器压电致动器及其制造方法

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