[发明专利]微距升华法生长分子晶体方法与装置在审
| 申请号： | 201910634692.8 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110284189A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 刘阳;陶绪堂;叶欣;郭庆 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C23C14/18;C23C14/24 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 陈炳萍 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明申请属于分子晶体技术领域，具体涉及一种微距升华法生长分子晶体的方法和装置，包括如下步骤：将原料均匀分散在原料片上，选择原料可以升华的适当温度，调节合适的生长片和原料片之间的间距，就可在生长片上得到晶体。本发明还提供生长该晶体的装置。本发明主要用于生长分子晶体的新方法，相比于之前的生长方法来说，本方法简单方便，原料利用率高，生长所需时间短，适用性广，所需设备通用易得，不需要真空环境和载气，在空气中即可完成生长，极大地降低了晶体生长所需的成本，解决了现有技术中生长晶体对原料利用率低、对材料的稳定性要求高使得应用范围减小的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 分子晶体 原料利用率 升华法 原料片 微距 方法和装置 稳定性要求 范围减小 晶体生长 真空环境 晶体的 载气 升华 通用 申请 应用 | ||
【主权项】：
1.微距升华法生长分子晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤:在特制的热台上，放置1cm*1cm的Si/SiO2片作为原料片，将样品的原料粉末均匀的分散在底片上，然后用夹具将另一1cm*1cm的Si/SiO2片夹住，将具有SiO2的一面朝下放置作为生长片，夹具连接三相位移装置，调节原料片和生长片的间距，设定好目标温度、加热速度和恒温时间，待程序运行完毕，在生长片上得到晶体。
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- 一种MBE分子束外延束源炉-201621384071.7
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- 2016-12-13 - 2017-07-14 - C30B23/02
- 本实用新型提供一种MBE分子束外延束源炉，涉及一种MBE分子束外延镀膜设备技术领域。该实用新型包括热解氮化硼坩埚、加热片电极、绝缘陶封电极、水冷管、水冷VCR接头和安装法兰，热解氮化硼坩埚的下端连接有安装法兰，热解氮化硼坩埚上设置有加热片电极和水冷管，绝缘陶封电极包括分别设置在安装法兰左右两端的第一绝缘陶封电极和第二绝缘陶封电极，第一绝缘陶封电极与第一加热片电极连接，第二绝缘陶封电极与第二加热片电极连接，水冷管通过水冷VCR接头与安装法兰上的冷却水管相连接。本实用新型采用大容量50CC坩埚，采取两段控温，在坩埚沿口特加有一路加热装置，避免源料在加热过程中，在坩埚沿口沉积，造成源料污染。
- 一种ZnO单晶纳米片的生长方法-201510488904.8
- 方国家;李博睿 - 武汉大学
- 2015-08-11 - 2017-06-16 - C30B23/02
- 本发明公开了一种ZnO单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延，在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的ZnO单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔斯沉积有利于ZnO在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度和退火温度，能够改变ZnO的择优生长方向，使得ZnO优先于面内生长，改变传统ZnO [001]方向择优生长的性质，不再生长成柱状ZnO，而生长出ZnO平面结构，有利于与传统的集成电路工艺整合和兼容。而且该方法生长出的ZnO纳米片和衬底结合力弱，易于转移到其他衬底上进行半导体纳米器件的加工。
- 带隙改性Ge材料及其制备方法-201610349643.6
- 任远;宋建军;蒋道福;宣荣喜;胡辉勇;张鹤鸣 - 西安电子科技大学
- 2016-05-24 - 2016-10-12 - C30B23/02
- 本发明涉及一种带隙改性Ge材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；在第一温度下，在所述Si衬底上生长Ge薄膜层；在第二温度下，在所述Ge薄膜层上生长Ge层；在所述Ge层上生长GeSn层形成待改性的Ge材料；利用应力施加装置对所述待改性的Ge材料施加机械应力，最终形成所述带隙改性Ge材料。本发明采用合金化与应力共作用的方式实现Ge带隙类型的转化，克服了单纯依靠合金化和单纯依靠应力致Ge带隙类型转化固溶度低和应力强度大而导致的工艺难度大的问题。该带隙改性Ge材料既可应用于电子器件，又可应用于光子器件，可为单片光电集成提供又一技术途径。
- 外延晶片生长装置-201480064479.3
- 姜侑振 - LG矽得荣株式会社
- 2014-09-03 - 2016-07-13 - C30B23/02
- 本发明涉及一种用工艺气体流来生长外延层的外延晶片生长装置。该外延晶片生长装置包括：提供所述工艺气体在其中流动的区域的反应腔；环绕所述反应腔侧面的上部衬垫和下部衬垫；基座，所述基座布置在反应腔的中心，从而晶片布置在所述基座上；预热环，所述预热环布置与所述基座共面，并且设置在所述下部衬垫的上表面上，从而与所述基座隔开；以及固定构件，所述固定构件提供在所述预热环的下方，从而与所述下部衬垫的侧表面进行接触，其中，所述固定构件包括突出部，所述突出部沿圆周方向与所述下部衬垫的侧表面具有接触表面，并且使所述突出部固定以允许所述预热环和所述基座之间具有预定的间隔。因此，使设置在所述下部衬垫上的预热环固定以在外延生长工艺中，使所述预热环与所述基座沿所有的方向维持预定的距离，从而能够以恒定的方式控制反应气体流向晶片，以在所述晶片的边缘处形成均匀的外延厚度。
- 一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚-201610175716.4
- 张松林;周君君 - 成都超迈南光科技有限公司
- 2016-03-27 - 2016-07-06 - C30B23/02
- 本发明涉及物理气相沉积制备碳化硅晶体领域，特别涉一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚，包括坩埚本体和坩埚上盖，所述坩埚上盖位于坩埚本体的上端，所述坩埚本体内的底部竖直设有多块导热片，且导热片之间相互平行，所述坩埚本体的内侧壁上设有凸块，所述凸块的上端设有圆形挡板，所述圆形挡板的上侧设有多个空心柱，所述圆形挡板的下部空间通过通孔与空心柱的内腔连通，所述空心柱远离圆形挡板的一端为封闭结构，所述空心柱以圆形挡板的轴线呈圆周对称。本发明可以通过置换不同空心柱数量的圆形挡板调整相互混合的浓度，可以使得晶体生长过程中沉积入晶体内的添加剂浓度保持基本恒定，提高生长的碳化硅晶体电阻率轴向和径向均匀性，值得推广。
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