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[实用新型]一种温场升降旋转水冷机构-CN202320347466.3有效
发明人：冯玉冰;吴明森;马宁;刘林;郑红贤 -专利权人：合肥露笑半导体材料有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种温场升降旋转水冷机构，包括上端延伸至晶体生长炉炉内的旋转主轴，旋转主轴套置于主轴导向套中，主轴导向套下方设置波纹管，所述的波纹管套置于旋转主轴上，波纹管与主轴导向套之间设置氟橡胶O型密封圈，旋转主轴中同轴布置有进水管，进水管向下延伸，进水管的延伸端设置旋转接头，进水管与旋转主轴的内腔构成回水管路，旋转接头上与进水管联通有进水宝塔接头、与回水管路联通有回水万向宝塔接头；旋转主轴的下部套置有密封支承座，波纹管与密封支承座之间设置氟橡胶O型密封圈，所述的密封支承座与升降底板固连布置；升降底板的一侧设置带动旋转主轴转动的旋转单元，升降底板的另一侧设置带动旋转主轴上下移动的升降单元。
一种升降旋转水冷机构

[发明专利]碳化硅籽晶粘接方法-CN202310886307.5在审
发明人：崔殿鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种碳化硅籽晶粘接方法，其包括：在籽晶托的粘接面上形成第一有机层，用以降低籽晶托的孔隙率；在碳化硅籽晶的粘接面上形成第二有机层，用以保护碳化硅籽晶；将柔性阻隔片的两个表面分别与籽晶托上的所述第一有机层和碳化硅籽晶上的第二有机层粘接；采用加热的方式对粘接后的碳化硅籽晶进行固化。本发明实施例提供的碳化硅籽晶粘接方法，可以减少晶体生长过程中的六方空洞缺陷，提升晶体质量。
碳化硅籽晶方法

[发明专利]碳化硅籽晶粘接装置和方法-CN202310417157.3有效
发明人：刘曦 -专利权人：通威微电子有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅籽晶粘接装置和方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域，该碳化硅籽晶粘接装置包括坩埚、籽晶支架、籽晶载具和加热装置，籽晶支架设置在坩埚内；籽晶载具设置在坩埚的顶端，用于与籽晶的表面间隔相对设置，并形成粘接沉积间隙；加热装置设置在坩埚的周缘，其中，籽晶支架与坩埚的内侧壁之间形成有原料容纳腔，原料容纳腔连通至粘接沉积间隙，并容纳有粘接原材料，粘接原材料用于在加热到预设温度后升华，并沉积在粘接沉积间隙中，以使籽晶和籽晶粘接面粘接在一起。相较于现有技术，本发明通过沉积的方式实现籽晶的粘接，粘接均匀性更好，并且沉积方式可以使得粘接效果更好，籽晶的位置可控性更好，有利于提升晶体生长质量。
碳化硅籽晶装置方法

[发明专利]一种碳化硅单晶生长的保温结构及其制作方法与应用-CN202310991407.4在审
发明人：张永伟;袁振洲;丁同悦;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅单晶生长的保温结构及其制作方法与应用，所述保温结构包括围绕于碳化硅单晶生长装置外部的侧部保温单元、顶部保温单元和底部保温单元；所述侧部保温单元由矩形保温条绕制而成，且所述矩形保温条的两个连接端部分别独立地设置有斜坡结构，包括外端斜坡和内端斜坡；所述外端斜坡位于远离碳化硅单晶生长装置的连接端部，所述内端斜坡位于靠近碳化硅单晶生长装置的连接端部；设定所述外端斜坡的斜边长度为L1，所述内端斜坡的斜边长度为L2，则所述保温结构满足：L1L2。本发明提供的保温结构提升了隔热性能和保温均一性，延长了使用寿命，改善了晶体质量，同时降低了制作成本，有利于大规模推广应用。
一种碳化硅生长保温结构及其制作方法应用

[发明专利]一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法-CN202310651590.3有效
发明人：陈建明;周元辉;赵文超;耿安东;杨洪雨 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法，生长装置包括坩埚部和加热部：坩埚部包括自上而下同轴设置的第一坩埚部和第二坩埚部，第一坩埚部的顶部的中间设置有籽晶容纳部，第二坩埚部具有空腔，空腔为原料容纳部，第一坩埚部的外径小于第二坩埚部的外径，第二坩埚部的底部中间设置有向第一坩埚部凹陷的凹槽；加热部包括第一加热部、第二加热部和第三加热部；第一加热部周向设置于凹槽内，第二加热部周向设置于第二坩埚部的外侧，第三加热部周向设置于第一坩埚部的外侧，第三加热部的内径小于第二坩埚部的外径。本发明的生长装置能够减少碳化硅单晶中的包裹体、位错密度、微管等缺陷，提高晶体内部质量。
一种碳化硅生长装置方法

[发明专利]多片碳化硅籽晶涂层同时处理的装置和方法-CN202310806850.X有效
发明人：杨洪雨;刘春艳;周元辉;陈建明;范子龙;赵文超 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种多片碳化硅籽晶涂层同时处理的装置和方法，该装置包括加热机构和籽晶放置机构，加热机构设置有容纳腔；籽晶放置机构可拆卸地放置于容纳腔内；其中，籽晶放置机构包括多个籽晶盒，多个籽晶盒可拆卸地依次重叠放置；籽晶盒包括底盘、垫环和支撑架，垫环设置于底盘的上表面，且环绕底盘的周向延伸，垫环的内周壁与底盘的上表面之间形成容纳空间，垫环用于放置晶片；支撑架与底盘连接，且位于容纳空间内，支撑架用于支撑晶片，且支撑架将容纳空间划分出充气腔。本发明的装置能够用于处理碳化硅籽晶涂层，且能够提高涂层的附着质量和强度，减少裂片的产生。
碳化硅籽晶涂层同时处理装置方法

[实用新型]一种有利于生长高质量碳化硅单晶的热场结构及装置-CN202320511139.7有效
发明人：朱鑫煌;蒋林;杨孝泽 -专利权人：乾晶半导体（衢州）有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有利于生长高质量碳化硅单晶的热场结构及装置，在生长区的顶部设有多个贯穿的气路通道，所述气路通道均匀分布，利用该热场结构可以在晶体生长过程中引导多余的气氛外流出去，利用气流形成一个在晶体和生长区石墨内壁之间的“屏蔽层”，避免了生长区石墨内壁结晶从而导致晶体边缘缺陷的存在，另外利用此结构生长晶体，生长区的石墨部件也可以重复利用，降低了晶体生长的耗材成本。
一种有利于生长质量碳化硅结构装置

[发明专利]一种高相干金刚石氮空穴及金刚石压砧的制备与应用-CN202210580229.1有效
发明人：刘晓兵;张晓冉 -专利权人：曲阜师范大学
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请属于量子科技和精密测试材料技术领域，具体涉及一种高相干金刚石氮空穴及金刚石压砧的制备与应用。以石墨作为碳源，以HPHT金刚石作为晶种，以Al/Ti作为除氮剂，高温高压下合成金刚石单晶，对合成的金刚石进行高温高压条件的退火，退火后，在100晶向生长区域中从无到有生成大量的氮空穴，同时111晶向生长区原生的氮空穴会消失，最终导致氮空穴存在于金刚石的100、311晶向生长区域；同时100、311晶向生长区域不含有铁磁性元素相关的缺陷；在无损的条件下制备高密度，高相干性质的氮空穴；同时制备氮空穴深度可控的金刚石压砧，实现氮空穴在60GPa压力以上的精密探测。
一种相干金刚石空穴制备应用

[发明专利]一种碳化硅复合基板的制造方法及制造装置-CN202210551153.X有效
发明人：郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅复合基板的制造方法及制造装置，所述制造方法包括如下步骤：在保护性气氛中，使用含硅溶液交替生长单晶层与多晶层；切片，得到包括单晶层与多晶层的复合基板，复合基板中单晶层的数量与多晶层的数量相等；所述制造装置适用于所述制造方法，通过本发明提供的制造方法制备碳化硅复合基板，由于采用单晶层与多晶层交替生长的方式，生长至一定厚度的时间远小于生长单一的单晶碳化硅，且通过切片即可得到复合基板，提高了碳化硅复合基板的制造效率，降低了碳化硅复合基板的生产成本。
一种碳化硅复合制造方法装置

[发明专利]籽晶处理方法及碳化硅晶体的生长方法-CN202310874871.5在审
发明人：张永伟;袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了籽晶处理方法及碳化硅晶体的生长方法，所述籽晶处理方法包括以下步骤：(1)向籽晶所在的容器通入刻蚀气体，进行退火刻蚀；(2)采用第一粘结剂将所述籽晶的粘接面和第一粘接板进行粘接，碳化，然后在所述粘接板的背面涂覆第二粘结剂，并与第二粘接板进行粘接，固化后得到处理后的籽晶；其中，第一粘接板的孔隙率大于第二粘接板的孔隙率。本发明首先对碳化硅籽晶进行预处理，不仅释放了籽晶应力，为降低晶体的位错缺陷奠定了基础，而且在籽晶表面形成了致密保护层，有效抑制了位错增殖；然后采用二次生长的方式在籽晶上生长得到了位错密度低的碳化硅晶体。该方法操作简单，推动了大尺寸碳化硅晶体的量产工艺。
籽晶处理方法碳化硅晶体生长

[实用新型]一种SiC长晶设备-CN202321151716.2有效
发明人：李永奇;焦允涛 -专利权人：上海巨灵信息技术股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SiC长晶设备，包括机架、设置于机架上的抽真空筒、置于所述抽真空筒顶部的密封机构、套设在所述抽真空筒外部的晶体生长感应器、为所述抽真空筒提供真空度的抽真空组件、以及用于检测所述抽真空筒内部温度的测温组件、用于检测所述抽真空筒内部真空度的测真空组件；其中所述晶体生长感应器通过升降轴组件调节升降。本申请中SIC长晶设备，其中通过根据对测温组件对其抽真空筒的内部进行温度检测，便于根据升降调节机构调节晶体生长感应器的位置高度，从而使得SIC长晶良率高，设备稳定性好；并且结构紧凑，占用空间少；另外所需成本较低。
一种 sic 设备

[实用新型]一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件-CN202321138617.0有效
发明人：刘海威;魏莹;邹宇;张平;刘春俊;彭同华;杨建 -专利权人：江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，包括：晶体边缘石墨件；所述晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽，所述第一槽的槽口位于所述晶体边缘石墨件的侧壁的底部。本方案在晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽；由于相同条件下，气体热导率小于固体，气体不利于导热，但利于保温；则侧壁温度升高后，降低晶体过程气相组分对边缘石墨件侧壁腐蚀，从而减少晶体边缘无规则形状渗入状包裹物。
一种碳化硅降低包裹石墨

[发明专利]坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法-CN202310782854.9在审
发明人：杨光宇 -专利权人：通威微电子有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法，涉及半导体技术领域。坩埚包括坩埚本体，坩埚本体具有一顶部开口的腔室，腔室内设置有分隔部。分隔部将腔室分隔为上腔室和下腔室。上腔室用于容置碳化硅。坩埚本体的侧壁设置有多个与下腔室连通的通孔，以使下腔室与外部连通。其能够改善坩埚的温场分布不均匀的问题，从而提高长晶原料的利用率和改善形成重结晶的问题，与上坩埚件结合可延长长晶时间，增加生长晶锭的厚度。
坩埚组合装置方法

[实用新型]晶体生长装置和晶体生长设备-CN202222997030.7有效
发明人：陈浩;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长装置和晶体生长设备。该晶体生长装置包括：坩埚体、坩埚盖、若干个籽晶板和若干个导流结构。坩埚体包括坩埚底壁与坩埚侧壁，坩埚底壁与坩埚侧壁围合形成有腔体。若干个籽晶板设置于坩埚盖朝向腔体的一侧上。若干个导流结构设置在腔体内，每一导流结构包括：第一导流件和第二导流件。第一导流件从坩埚侧壁向腔体的中部延伸且具有第一导流口。第二导流件设置于第一导流件与籽晶板之间，且具有至少一个第二导流口。第一导流口与第二导流口在底壁的投影相互错开。该晶体生长设备包括上述晶体生长装置和加热装置，加热装置设置于坩埚外侧。通过上述方式，本申请能够有效提高晶体生产效率且降低晶体的碳包裹风险。
晶体生长装置设备

[发明专利]等离子辅助晶体生长装置和方法-CN202310280003.4有效
发明人：袁刚俊;苏兆鸣 -专利权人：通威微电子有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种等离子辅助晶体生长装置和方法，涉及长晶设备技术领域。等离子辅助晶体生长装置包括坩埚、等离子发生器、导电棒和电极环；坩埚内的底部用于装载碳化硅粉末，坩埚内的顶部为长晶区，碳化硅粉末与长晶区之间为升华区；等离子发生器设置在坩埚的外部，导电棒贯穿坩埚的侧壁，电极环设置在升华区内，导电棒的一端与等离子发生器连接，导电棒的另一端与电极环连接；电极环用于在等离子发生器的供能的情况下，将升华区内的碳化硅分子电离成碳化硅气相等离子，并升华至长晶区生长成碳化硅籽晶，可以使碳化硅籽晶维持良好的晶格排列，明显降低晶体的内应力，减少晶体缺陷，甚至可以形成超晶格晶体。
等离子辅助晶体生长装置方法

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