[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910482090.5 申请日: 2019-06-04
公开(公告)号: CN110112110A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 陈彦亨;吴政达;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56;H01L23/58;H01Q1/22
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种半导体封装结构及其制备方法,半导体封装结构包括:重新布线层;芯片,键合于重新布线层的下表面;电连接结构,位于重新布线层的上表面;塑封层,位于重新布线层的上表面,且将电连接结构塑封;第一天线层,位于塑封层的上表面;框架结构,位于塑封层的上表面,且位于第一天线层的外围;透镜层,位于框架结构的顶部,透镜层包括至少一个透镜;第二天线层,位于透镜层的下表面,包括至少一个第二天线且第二天线与透镜对应设置;焊球凸块,位于重新布线层的下表面。本发明的半导体封装结构可以有效减小封装结构的体积,有助于提高器件集成度;且本发明的半导体封装结构还具有传输讯号路径短、传输损耗低、天线增益高等优点。
搜索关键词: 半导体封装结构 重新布线层 上表面 塑封层 天线层 透镜层 下表面 透镜 电连接结构 框架结构 制备 天线 器件集成度 传输损耗 传输讯号 封装结构 天线增益 焊球 减小 键合 塑封 凸块 外围 芯片
【主权项】:
1.一种半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构包括:重新布线层;芯片,键合于所述重新布线层的下表面,且与所述重新布线层电连接;电连接结构,位于所述重新布线层的上表面,且与所述重新布线层电连接;塑封层,位于所述重新布线层的上表面,且将所述电连接结构塑封;第一天线层,位于所述塑封层的上表面,且与所述电连接结构电连接,所述第一天线层包括至少一个第一天线;框架结构,位于所述塑封层的上表面,且位于所述第一天线层的外围;透镜层,位于所述框架结构的顶部,所述透镜层包括至少一个透镜;第二天线层,位于所述透镜层的下表面,且与所述第一天线层具有间距,所述第二天线层包括至少一个第二天线且所述第二天线与所述透镜层的透镜对应设置;焊球凸块,位于所述重新布线层的下表面,且与所述重新布线层电连接。
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