[发明专利]半导体封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：

重新布线层；

芯片，键合于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接；

电连接结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；

塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且将所述电连接结构塑封；

第一天线层，位于所述塑封层的上表面，且与所述电连接结构电连接，所述第一天线层包括至少一个第一天线；

框架结构，位于所述塑封层的上表面，且位于所述第一天线层的外围；

透镜层，位于所述框架结构的顶部，所述透镜层包括至少一个透镜；

第二天线层，位于所述透镜层的下表面，且与所述第一天线层具有间距，所述第二天线层包括至少一个第二天线且所述第二天线与所述透镜层的透镜对应设置；

焊球凸块，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一天线、所述第二天线和所述透镜的数量均为多个且所述第一天线、所述第二天线和所述透镜一一对应。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述框架结构包括树脂框架结构、金属框架结构或陶瓷框架结构。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括底部填充层，所述底部填充层位于所述芯片与所述重新布线层之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述透镜为凸透镜，所述透镜层还包括平面部，所述平面部位于所述框架结构的顶部，所述凸透镜位于所述平面部的上表面。

6.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述半导体封装结构的制备方法包括如下步骤：

提供基底，于所述基底的上表面形成牺牲层；

于所述牺牲层的上表面形成重新布线层；

于所述重新布线层的上表面形成电连接结构，所述电连接结构与所述重新布线层电连接；

于所述重新布线层的上表面形成塑封层，所述塑封层将所述电连接结构塑封；

于所述塑封层的上表面形成第一天线层，所述第一天线层与所述电连接结构电连接，所述第一天线层包括至少一个第一天线；

于所述塑封层的上表面形成框架结构，所述框架结构位于所述第一天线层的外围；

提供透镜基底，所述透镜基底的一表面形成有第二天线层，所述第二天线层包括至少一个第二天线；将所述透镜基底键合于所述框架结构的顶部，键合后所述第二天线层位于所述透镜基底的下表面，且与所述第一天线层具有间距；

对所述透镜基底进行刻蚀以形成透镜层，所述透镜层包括至少一个透镜，所述透镜与所述第二天线上下对应；

去除所述基底及所述牺牲层；

提供芯片，将所述芯片键合于所述重新布线层的下表面，所述芯片与所述重新布线层电连接；

于所述重新布线层的下表面形成焊球凸块，所述焊球凸块与所述重新布线层电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：形成的所述框架结构包括树脂框架结构、金属框架结构或陶瓷框架结构；所述透镜层的透镜为凸透镜。

8.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，

于所述塑封层的上表面形成所述第一天线层包括如下步骤：

于所述塑封层的上表面形成第一天线金属层；

对所述第一天线金属层进行刻蚀以得到包括多个间隔排布的所述第一天线的所述第一天线层；

于所述透镜基底的一表面形成所述第二天线层包括如下步骤：

于所述透镜基底的一表面形成第二天线金属层；

对所述第二天线金属层进行刻蚀以得到包括多个间隔排布的所述第二天线的所述第二天线层；

所述第一天线与所述第二天线一一上下对应设置。