[发明专利]气相化学反应器和其使用方法在审
申请号: | 201910477287.X | 申请日: | 2019-06-03 |
公开(公告)号: | CN110578133A | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | A·J·尼斯坎恩 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/458;C23C16/455 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 乐洪咏;朱黎明 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 公开了一种气相化学反应器、包括所述反应器的系统,以及使用所述反应器和系统的方法。示范性反应器包括反应室且被配置成向反应室内提供前体历时一个浸渍期,例如其中停止向所述反应室供应所述前体且在开始吹洗反应室之前的时期。这允许在衬底处理期间在反应室内获得相对较高滞留时间、相对较高前体分压和/或相对较高绝对压力。 | ||
搜索关键词: | 反应器 反应室 前体 浸渍 室内 化学反应器 衬底处理 绝对压力 吹洗 分压 滞留 配置 | ||
【主权项】:
1.一种气相化学反应器,包含:/n用于处理衬底的反应室;/n装载/卸载室,其包含用于接收所述衬底的开口和用于密封所述开口的阀门;/n具有顶表面以接收所述衬底的基座,其中所述基座能在所述装载/卸载室内移动,且其中当所述衬底处于处理位置时,所述基座的顶表面界定所述反应室的底部区段的至少一部分;/n用于将所述装载/卸载室抽真空的真空源;和/n用于控制前体递送过程和抽真空过程的控制器,所述控制器包含被编程以使得所述控制器能够执行以下步骤的存储器:/n当所述基座处于所述处理位置时,/n向所述反应室提供前体,同时用所述真空源将所述装载/卸载室抽真空;和/n停止所述前体的流动,以及/n通过将所述基座移动到所述装载/卸载室中来将所述反应室抽真空。/n
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的