[发明专利]用于外延生长装置的腔室部件有效
申请号: | 201610180026.8 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN106011796B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 大木慎一;森義信 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;H01L21/67 |
代理公司: | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了用于外延生长装置的腔室部件。反应腔室由顶板来界定和形成。反应气体在侧壁中所设置的反应气体供应路径中整流,使得在所述反应腔室中的所述反应气体的流动方向上的水平分量对应于从所述反应气体供应路径的开口的中心延伸的方向上的水平分量。对所述外延生长装置的上侧壁、基座和整流板的改进已使得提高了基板上形成的外延层的均匀性和形成速度,从而使得产量更高并且缺陷更少。 | ||
搜索关键词: | 用于 外延 生长 装置 部件 | ||
【主权项】:
1.一种用于支撑基板于外延生长装置内的基座,所述基座包括:/n环形主体,所述环形主体从中心轴延伸至外部半径,所述环形主体包括顶表面和与所述顶表面相对的底表面,所述顶表面包括:/n内部部分,所述内部部分设置在所述中心轴处,并延伸至内部半径,/n非凹入部分,所述非凹入部分沿所述环形主体的周围设置,以及/n过渡部分,所述过渡部分将所述内部部分连接至所述非凹入部分,所述过渡部分被配置成与所述基板形成邻接并支撑所述基板,其中当所述顶表面面向上并且所述中心轴竖直设置时,所述过渡部分处于比所述内部部分更高的高度并且处于比所述非凹入部分更低的高度;以及/n多个通孔,所述多个通孔从所述顶表面延伸至所述底表面,其中所述多个通孔定位在所述内部部分和所述非凹入部分内,其中在所述内部部分和所述非凹入部分中的所述多个通孔的密度为每平方厘米有至少5.0个通孔,/n所述环形主体的所述外部半径与所述多个通孔中的一个的半径的比为从200至300。/n
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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