[发明专利]存储器设备及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201910417613.8 申请日: 2019-05-20
公开(公告)号: CN110675904B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 孙钟弼 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/4094 分类号: G11C11/4094
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 包括连接到多个字线的多个存储器单元的存储器设备的操作方法,该操作方法包括:从外部设备接收第一激活命令,在接收第一激活命令之后从外部设备接收至少一个操作命令,在接收至少一个操作命令之后接收预充电命令,并且在接收预充电命令之后从外部设备接收第二激活命令。当至少一个操作命令不包括写入命令时,在从接收预充电命令的时间起经过第一预充电参考时间之后接收第二激活命令。当至少一个操作命令包括写入命令时,在从接收预充电命令的时间起经过第二预充电参考时间之后接收第二激活命令。
搜索关键词: 存储器 设备 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种存储器设备的操作方法,所述存储器设备包括连接到多个字线的多个动态随机存取存储器单元,所述方法包括:/n从外部源接收第一激活命令;/n从外部源接收至少一个操作命令;/n接收预充电命令;/n确定所述至少一个操作命令是否包括写入命令;并且/n基于所述确定的结果,/n在从接收到所述预充电命令的时间起经过第一预充电参考时间段之后从外部源接收第二激活命令,或者/n在从接收到所述预充电命令的时间起经过第二预充电参考时间段之后从外部源接收第二激活命令。/n
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  • 史江一;李志文;王勇 - 西安国能科技有限公司
  • 2011-12-30 - 2013-02-13 - G11C11/4094
  • 本实用新型涉及一种存储器,特别是一种钟控异步先入先出FIFO存储器,用于集成电路芯片中不同时钟域间的数据缓冲。包括:双端口随机静态存储器SRAM、SRAM的写字线控制单元、SRAM的读字线控制单元、标志单元,所述的读字线控制单元包含第二寄存器链D2和第二组与门A2;第二寄存器链由第五寄存器D20、第六寄存器D21、第七寄存器D22和第八寄存器D23首尾相连构成,第二组与门A2由第五与门A20、第六与门A21、第七与门A22和第八与门A23构成。
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